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2. 发明申请

WO2012034371A1 MOS TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译： MOS晶体管
公开(公告)号：WO2012034371A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/CN2011/070949
申请日：2011-02-12
申请人： CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD. , CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. , WANG, Genyi , WO, Tzong Shiann
发明人： WANG, Genyi , WO, Tzong Shiann
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/66727 , H01L29/66734
摘要： A metal oxide semiconductor (MOS) transistor (200) includes, in part, a semiconductor substrate (201), an epitaxial layer (202) formed above the substrate (201), a well region (203) formed in the epitaxial layer (202), a multitude of trenches (210) formed in the well region (203) with each trench (210) having formed therein a gate oxide layer (212) and a polysilicon gate (211), a multitude of contact holes (220) formed in the well region (203) wherein each contact hole (220) is positioned between a pair of adjacent trenches (210) and has disposed therein an adhesion layer (232) and a first metal layer (233) forming a metal plug, a multitude of body contact regions (204) positioned below the contact holes (220), and a multitude of source regions (231) formed in the well region (203). Each source region (231) is positioned between a trench (210) and a contact hole (220). The substrate (201), the epitaxial layer (202), and the source regions (231) are of a first conductivity type. The well region (203) and the body contact regions (204) are of a second conductivity type opposite the first conductivity type. The MOS transistor can minimize various parasitic effects and improve performance thereof. A method is also provided.
摘要翻译：金属氧化物半导体（MOS）晶体管（200）部分地包括半导体衬底（201），形成在衬底（201）上方的外延层（202），形成在外延层（202）中的阱区），形成在阱区（203）中的多个沟槽（210），其中每个沟槽（210）中形成有栅极氧化物层（212）和多晶硅栅极（211），形成多个接触孔（220）在井区域（203）中，其中每个接触孔（220）位于一对相邻的沟槽（210）之间，并且在其中设置有粘合层（232）和形成金属插塞的第一金属层（233）位于所述接触孔（220）下方的身体接触区域（204）以及形成在所述阱区域（203）中的多个源极区域（231）。每个源极区域（231）位于沟槽（210）和接触孔（220）之间。衬底（201），外延层（202）和源极区（231）是第一导电类型。阱区（203）和体接触区（204）具有与第一导电类型相反的第二导电类型。 MOS晶体管可以最小化各种寄生效应并提高其性能。还提供了一种方法。

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