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1. 发明公开

KR20200133775A LED 발광 표시 장치 및 그러한 장치를 생성하는 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200133775A
公开(公告)日：2020-11-30
申请号：KR20207030008
申请日：2019-03-18
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： TEMPLIER FRANCOIS , CHERAMY SEVERINE , FOURNEL FRANK
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/38
摘要： 본발명은제1 집적회로(200)를구비하는표시장치에관한것으로, 제1 집적회로(200)는, 발광다이오드(103)의어셈블리로서, 각다이오드는제1 도전형의제1 반도체층(105)과제2 도전형의제2 반도체층(109)의수직적층물을구비하는발광다이오드의어셈블리와, 제1 회로의제1 반도체층(105)과반대측의표면측에, 제1 회로의전체표면에걸쳐규칙적으로분포되고그 안에배열된, 복수의동일한또는유사한접속패드(205)를갖는유전체층(203)을구비하는접속구조물(201)로서, 각다이오드(103)는접속구조물(201)의하나이상의패드(205)와접촉하는상기제1 전극(111)과, 복수의다이오드의주변부에서접속구조물(201)의복수의패드(205)와접촉하는제2 전극(113)을갖는접속구조물을구비한다.

2. 发明申请

WO2004027878A3 QUASI-VERTICAL POWER SEMICONDUCTOR DEVICE ON A COMPOSITE SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：复合基板上的垂直功率半导体器件
公开(公告)号：WO2004027878A3
公开(公告)日：2004-05-06
申请号：PCT/FR0350045
申请日：2003-09-01
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , SOITEC SILICON ON INSULATOR , TEMPLIER FRANCOIS , DI CIOCCIO LEA , BILLON THIERRY , LETERTRE FABRICE
发明人： TEMPLIER FRANCOIS , DI CIOCCIO LEA , BILLON THIERRY , LETERTRE FABRICE
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L27/08
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/868
摘要： The invention relates to a power semiconductor device made of an epitaxied semiconductor material on a stacked structure (10), comprising a semiconductor material layer (13) which is applied to a first surface of a support substrate (11) and is integral with the support substrate (11) by means of an insulating layer (12), said support substrate comprising electric conduction means between the first surface and the second surface, the applied semiconductor material layer (13) acting as an epitaxy support layer for the epitaxied semiconductor material (14, 15).Means for electric connection (16, 17) of said device are provided on the epitaxied semiconductor material and on the second surface of the support substrate, whereby an electric connection via the electrically insulating layer and electric conduction means electrically links the epitaxied semiconductor material (14, 15) to electric connection means (17) provided on the second surface of the support substrate (11).
摘要翻译：本发明涉及一种由堆叠结构（10）上的表面半导体材料制成的功率半导体器件，包括半导体材料层（13），其被施加到支撑衬底（11）的第一表面并与支撑体衬底（11），所述支撑衬底包括在第一表面和第二表面之间的导电装置，所施加的半导体材料层（13）用作表面半导体材料的外延支撑层（13）所述装置的电连接（16,17）的尺寸设置在所述表面半导体材料和所述支撑基板的所述第二表面上，由此经由所述电绝缘层和导电装置的电连接将所述表面半导体材料（14,15）设置在设置在支撑基板（11）的第二表面上的电连接装置（17）上。

3. 发明申请

WO2004027844A3 METHOD FOR THE PRODUCTION OF A COMPOSITE SICOI-TYPE SUBSTRATE COMPRISING AN EPITAXY STAGE 审中-公开
标题翻译：用于生产包含外延阶段的复合SICOI型基材的方法
公开(公告)号：WO2004027844A3
公开(公告)日：2004-05-21
申请号：PCT/FR0350044
申请日：2003-09-01
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , SOITEC SILICON ON INSULATOR , DI CIOCCIO LEA , TEMPLIER FRANCOIS , BILLON THIERRY , LETERTRE FABRICE
发明人： DI CIOCCIO LEA , TEMPLIER FRANCOIS , BILLON THIERRY , LETERTRE FABRICE
IPC分类号： H01L29/872 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L21/76 , H01L27/12 , H01L29/47 , H01L29/786 , H01L29/812 , H01L29/861
CPC分类号： H01L21/7602 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/2007
摘要： The invention relates to a method for the production of a composite SiCOI-type substrate comprising the following stages: provision of an initial substrate comprising an Si or SiC support (1) supporting an SiO2 layer (2) on which a thin SiC layer (3) is applied; expitaxy of the SiC (4) on the thin SiC layer (3). Epitaxy is carried out at the following temperatures: from 1450 DEG C in order to obtain 6H or 4H polytype epitaxy (4) on the thin, applied 6H or 4H polytype layer (3) respectively; if the support (1) is made of SiC, from 1350C in order to obtain 3C polytype epitaxy (4) on the thin, applied 3C polytype layer (3); if the support (1) is made of Si or SiC, from 1350 DEG C in order to obtain 6H or 4H polytype epitaxy (4) on a thin, applied 6H or 4H polytype layer (3) respectively if the support (1) is made of Si.
摘要翻译：本发明涉及一种生产复合SiCOI型基片的方法，包括以下阶段：提供包括支撑SiO 2层（2）的Si或SiC载体（1）的初始基底，其上形成有薄的SiC层（3 ）被申请;被应用; SiC（4）在薄SiC层（3）上的析晶。外延在以下温度下进行：从1450℃分别在薄的施加的6H或4H多型层（3）上分别获得6H或4H多型外延（4）; 如果支撑体（1）由SiC制成，则在1350℃下，在薄的应用的3C多型层（3）上获得3C多型外延（4）; 如果载体（1）由Si或SiC由1350℃制成，以便在薄的施加的6H或4H多型层（3）上分别获得6H或4H多型外延（4），如果载体（1）为由Si制成。

4. 发明专利

FR3063163A1 CAPTEUR D'EMPREINTE A LED AU NITRURE DE GALLIUM. 未知
公开(公告)号：FR3063163A1
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：FR1751359
申请日：2017-02-21
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： MAINGUET JEAN-FRANCOIS , TEMPLIER FRANCOIS
IPC分类号： G06K9/00
摘要： L'invention concerne un capteur d'empreinte papillaire (100), comprenant des moyens d'émission lumineuse et un photo-détecteur matriciel, entrelacés ensemble dans et/ou au-dessus d'un même substrat semiconducteur (110) recevant des circuits de contrôle. Selon l'invention, les moyens d'émission lumineuse sont constitués d'au moins une LED au nitrure de gallium (140), s'étendant chacune au-dessus d'une piste métallique (120) des circuits de contrôle. On réalise ainsi un capteur d'empreinte dont les moyens d'émission lumineuse peuvent n'occuper qu'une surface réduite sur le substrat, tout en offrant une grande puissance d'éclairage. Selon une variante avantageuse, un matériau pyroélectrique est inséré entre les LED au nitrure de gallium, pour former les pixels d'un capteur d'empreinte de type thermique.

5. 发明专利

FR3054037B1 DISPOSITIF D’OBSERVATION D’UN ECHANTILLON 未知
公开(公告)号：FR3054037B1
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：FR1656751
申请日：2016-07-13
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： ALLIER CEDRIC , BORDY THOMAS , TEMPLIER FRANCOIS
IPC分类号： G01N15/14

6. 发明专利

FR3048105B1 CAPTEUR DE MOTIFS THERMIQUES A CAPSULES THERMO-RESISTIVES. 未知
公开(公告)号：FR3048105B1
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：FR1651423
申请日：2016-02-22
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BECKER SEBASTIEN , MAINGUET JEAN FRANCOIS , TEMPLIER FRANCOIS
IPC分类号： G06K9/20

7. 发明专利

FR3046275A1 CAPTEUR D'EMPREINTES A ECLAIRAGE OLED 未知
公开(公告)号：FR3046275A1
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：FR1563178
申请日：2015-12-23
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , SAFRAN
发明人： MAINGUET JEAN-FRANCOIS , BOUTET JEROME , FOURRE JOEL YANN , TEMPLIER FRANCOIS
IPC分类号： G06K9/00
摘要： L'invention concerne un capteur d'empreintes papillaires (100) comprenant superposés une surface de contact pour y appliquer l'empreinte à imager, un capteur optique matriciel et des moyens d'éclairage. Les moyens d'éclairage sont disposés entre la surface de contact et une surface de détection (125) du capteur optique matriciel, et sont constitués d'une pluralité de diodes électroluminescentes organiques (101), dites OLED. Chaque OLED (101) s'étend d'un seul tenant sur plus d'un tiers d'une largeur (L1) de ladite surface de détection, et les OLED s'étendent ensemble selon une ou deux séries de motifs parallèles entre eux répartis selon la longueur (L2) de la surface de détection. Cette configuration des OLED permet notamment de disposer les transistors de pilotage des OLED en dehors de la surface de détection. (125).

8. 发明专利

FR2951875A1 PROCEDE DE FABRICATION D’UN ECRAN A TRES HAUTE RESOLUTION UTILISANT UNE COUCHE CONDUCTRICE ANISOTROPIQUE ET EMISSIVE 未知
公开(公告)号：FR2951875A1
公开(公告)日：2011-04-29
申请号：FR0957467
申请日：2009-10-23
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： TEMPLIER FRANCOIS , CLAVELIER LAURENT , RABAROT MARC
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/56
摘要： Pour réaliser un écran émissif à pixels * on forme une matrice active de pixels 1 longée par une première couche formant électrode 2, ces pixels étant répartis selon une distribution déterminée, * on forme un substrat anisotrope formé d'un ensemble de diodes électroluminescentes constituées chacune de nanofils 4 parallèles et répartis dans une matrice isolante 5 transversalement à son épaisseur avec une densité supérieure à celle des pixels, * on relie le substrat à la matrice active de pixels, d'une manière telle que seuls des sous-groupes 4A de ces nanofils sont reliés, par une première extrémité, à des électrodes de pixel distinctes définies dans la couche formant électrode selon la distribution des pixels de la matrice active de pixels, tandis qu'au moins ces sous-groupes de nanofils sont électriquement connectés, par une autre extrémité, à une électrode commune 6.

9. 发明专利

FR2947063A1 RETROPROJECTEUR 未知
公开(公告)号：FR2947063A1
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：FR0954154
申请日：2009-06-19
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： TEMPLIER FRANCOIS , MOUREY BRUNO
IPC分类号： G03B21/58 , G02B27/18 , G03B21/10
摘要： Ce rétroprojecteur comprend : - un écran (4) équipé d'un cadre et d'une toile translucide tendue sur ce cadre, la toile translucide présentant une face avant (20) sur laquelle s'affichent des images et une face arrière (8) sur laquelle sont projetées les images, l'écran (4) étant déplaçable entre une position rétractée et une position étendue dans laquelle la surface de la toile est augmentée d'au moins 10 % par rapport à la surface de la toile dans sa position rétractée, et - un appareil (5) de projection des images sur la face arrière de la toile translucide, cet appareil (5) étant apte à adapter la taille des images projetées aussi bien à la position rétractée qu'à la position étendue de l'écran.

10. 发明专利

FR2844099B1 未知
公开(公告)号：FR2844099B1
公开(公告)日：2005-09-02
申请号：FR0210883
申请日：2002-09-03
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： TEMPLIER FRANCOIS , DI CIOCCIO LEA , BILLON THIERRY , LETERTRE FABRICE
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L27/12 , H01L29/40
摘要： The device is implemented in epitaxial semiconductor material in the form of a piled-up structure comprising a layer of semiconductor material (13) transferred to the first face of a support substrate (11) and joined to it by the intermediary of an insulator layer (12), and epitaxial layers (14,15) supported by the semiconductor layer. The electric connection contacts (16,17) of the device are provided on the upper epitaxial layer and on the second face of the support substrate. The electric link metallizations (19) are extended from electric contacts (18) on the lower epitaxial layer to the support substrate through the insulator layer thus linking the epitaxial layer to the other contact (17) through the support substrate which is sufficiently conducting. The support substrate (11) is made of an electrically conducting material, or of a semiconductor material from the group comprising SiC, GaN, AlN, Si, GaAs, ZnO and Ge. The support substrate is overdoped on the side of the interface with the insulator layer. The epitaxial material comprises layers (14,15) of different doping level. The epitaxial material is from the group comprising SiC, GaN, AlGaN, InGaN, and diamond. The electric connection contacts comprise at least one Schottky contact. The insulator layer is of a material from the group comprising silicon dioxide (SiO2), silicon nitride (Si3N4), and diamond. The semiconductor layer (13) is of a material from the group comprising SiC, GaN, AlN, Si, ZaO, and diamond. A semiconductor circuit (claimed) is associated with at least one semiconductor power device (claimed), and with at least one semiconductor device which is not linked to the second face of the support substrate.

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