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    • 3. 发明专利
    • PROCEDE DE GRAVURE PLASMA
    • FR3017241A1
    • 2015-08-07
    • FR1450781
    • 2014-01-31
    • COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUECENTRE NAT RECH SCIENT
    • JOUBERT OLIVIERCUNGE GILLESDESPIAU-PUJO EMILIEPARGON ERWINEPOSSEME NICOLAS
    • H01L21/3065H01L21/311
    • L'invention porte sur un procédé de gravure d'une couche à graver dans un réacteur de gravure plasma, le procédé comportant au moins une séquence d'étapes comprenant au moins: une étape de formation d'une couche réactive (710) comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz réactif pour former un plasma de gaz réactif(s), le plasma de gaz réactif(s) formant avec la couche à graver une couche réactive (110) qui pénètre dans la couche à graver au fur et à mesure de la gravure de la couche à graver, les paramètres de l'étape de formation d'une couche réactive (710) permettant à la couche réactive (110) d'atteindre, à l'issue d'une durée déterminée d'injection du gaz réactif, une épaisseur stationnaire dans le temps, caractérisé en ce que : l'injection du gaz réactif est interrompue avant ladite durée déterminée de manière à ce qu'à l'issue de l'étape de formation d'une couche réactive (710) l'épaisseur de la couche réactive (110) est inférieure à ladite épaisseur stationnaire dans le temps, et en ce que la séquence d'étapes comprend au moins une étape de retrait (720) de la couche réactive (110), l'étape de retrait (720) comprenant une injection dans le réacteur d'au moins un gaz neutre pour former un plasma de gaz neutre(s) permettant de retirer uniquement la couche réactive (110). L'invention porte également sur un système pour la mise en œuvre de l'invention.