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1. 发明申请

WO2014044871A3 PHOTOVOLTAIC CELL HAVING A HETEROJUNCTION AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A CELL 审中-公开
标题翻译：具有异位的光电池和制造这种细胞的方法
公开(公告)号：WO2014044871A3
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/EP2013069880
申请日：2013-09-24
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BUCKLEY JULIEN , MUR PIERRE
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/072 , H01L31/074 , H01L31/0747 , H01L31/1868 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to a photovoltaic cell having a heterojunction, including a doped substrate (1), in which: a first main face (1A) of said substrate is covered with a passivation layer (2A), a doped layer (3A) of the type opposite to the substrate and forming the transmitter of said cell; the second main face (1B) of said substrate is covered with a passivation layer (2B), a doped layer (3B) of the same type as the substrate defining a repulsing field for the minor carriers of the substrate; characterized in that: the material of the passivation layer (2A) on the transmitter (E) side is selected so as to have a lower potential barrier for the photo-generated minor carriers than for the major carrier of the substrate; and in that the material of the passivation layer (2B) on the side of the repulsing field (BSF) is selected so as to have a lower potential barrier for all the photo-generated major carriers than for the minor carriers of the substrate.
摘要翻译：本发明涉及具有异质结的光伏电池，包括掺杂衬底（1），其中：所述衬底的第一主面（1A）被钝化层（2A）覆盖，掺杂层（3A）类型与衬底相反并形成所述电池的发射器; 所述衬底的第二主面（1B）被钝化层（2B），与衬底相同类型的掺杂层（3B）覆盖，所述衬底限定用于衬底的次要载流子的排斥场; 其特征在于，选择发射机（E）侧的钝化层（2A）的材料，以使得对于光生的副载流子具有比基板的主载体更低的势垒; 并且选择在排斥场侧（BSF）侧的钝化层（2B）的材料，以便对于所有的光生主载流子具有比对于衬底的次要载流子更低的势垒。

2. 发明专利

ES2869182T3 Optoacoplador 未知
公开(公告)号：ES2869182T3
公开(公告)日：2021-10-25
申请号：ES19189875
申请日：2019-08-02
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BUCKLEY JULIEN , ESCOFFIER RENÉ
IPC分类号： H01L31/173 , H01L25/16 , H03K17/78
摘要： Optoacoplador (1) que comprende al menos una fuente de luz (2) y al menos un receptor (3) frente la al menos una fuente de luz (2), siendo esta al menos una fuente de luz (2) una matriz de diodos láser y configurada para recibir en entrada una señal eléctrica de entrada, y generar en salida en función de dicha señal eléctrica de entrada al menos una señal luminosa con destino a el al menos a un receptor (3), siendo el al menos un receptor (3) una matriz de células fotovoltaicas y estando configurado para recibir en entrada al menos parcialmente la señal luminosa y para emitir en salida al menos una señal eléctrica de salida, extendiéndose la matriz de células fotovoltaicas y la matriz de diodos láser, principalmente en planos paralelos y estando dispuestas enfrentadas entre sí, estando el optoacoplador (1) caracterizado porque la señal eléctrica de salida se emite por el al menos un receptor (3) en tres conexiones de salida (371, 371m), dispuestas de manera que se forma una conexión en punto medio.

3. 发明专利

FR3084801A1 CIRCUIT DE COMMANDE DE BRAS D'ONDULEUR 未知
公开(公告)号：FR3084801A1
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：FR1857326
申请日：2018-08-06
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BUCKLEY JULIEN , ESCOFFIER RENE
IPC分类号： H03K19/017 , H01L27/02 , H02M7/48 , H03K17/51
摘要： L'invention a pour objet un circuit électronique 1 comprenant sur un même substrat un bras d'onduleur formé par des transistors « high side » 14 et « low side » 15, et les circuits de commande de ces transistors 14, 15. Avantageusement, ces circuits de commande comprennent des portes logiques configurées pour recevoir un même signal d'entrée PWM et générer deux signaux de commande alternés à destination des transistors « high side » 14 et «low side » 15. L'invention a également pour objet un système d'onduleur comprenant le circuit électronique 1 et des optocoupleurs laser configurés pour isoler électriquement le circuit 1 d'un contrôleur délivrant le signal d'entrée PWM et d'une alimentation principale alimentant électriquement les circuits de commande.

4. 发明专利

FR3083647A1 TRANSISTOR A HETEROJONCTION DE TYPE NORMALEMENT OUVERT A RESISTANCE DE PASSAGE REDUITE 未知
公开(公告)号：FR3083647A1
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：FR1856111
申请日：2018-07-03
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BAINES YANNICK , BUCKLEY JULIEN , ESCOFFIER RENE
IPC分类号： H01L29/38 , H01L29/737 , H01L29/739

5. 发明专利

FR3050869B1 TRANSISTOR A HETEROJONCTION DE TYPE NORMALEMENT OUVERT A TENSION DE SEUIL ELEVEE 未知
公开(公告)号：FR3050869B1
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：FR1653905
申请日：2016-04-29
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BAINES YANNICK , BUCKLEY JULIEN
IPC分类号： H01L29/778

6. 发明专利

FR3050869A1 TRANSISTOR A HETEROJONCTION DE TYPE NORMALEMENT OUVERT A TENSION DE SEUIL ELEVEE 未知
公开(公告)号：FR3050869A1
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：FR1653905
申请日：2016-04-29
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BAINES YANNICK , BUCKLEY JULIEN
IPC分类号： H01L29/778
摘要： L'invention concerne un transistor à effet de champ (1) à haute mobilité électronique de type normalement ouvert, comprenant : -une superposition d'une première couche de matériau semi-conducteur (15) et d'une deuxième couche de matériau semi-conducteur (16) de façon à former une couche de gaz d'électrons (17) à l'interface de l'interface entre ces première et deuxième couches; -une tranchée (5) séparant la superposition en des premier et deuxième domaines (51, 52) ; -un élément isolant (34) disposé dans ladite tranchée pour isoler électriquement lesdits premier et deuxième domaines; -un élément semi-conducteur (33) à dopage de type P en contact avec la première ou la deuxième couche de matériau semi-conducteur (16) des premier et deuxième domaines (51,52), et s'étendant en continu entre les premier et deuxième domaines ; -un isolant de grille (32) disposé sur l'élément semi-conducteur (33) ; -une électrode de grille (31) disposée sur l'isolant de grille (32).

7. 发明专利

FR2996058B1 CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A HEREROJONCTION ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE CELLULE 未知
公开(公告)号：FR2996058B1
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：FR1258942
申请日：2012-09-24
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BUCKLEY JULIEN , MUR PIERRE
IPC分类号： H01L31/042

8. 发明专利

FR2993117B1 MODULE ELECTRONIQUE LOGIQUE NON-VOLATILE 未知
公开(公告)号：FR2993117B1
公开(公告)日：2014-08-15
申请号：FR1256572
申请日：2012-07-09
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BUCKLEY JULIEN , BEN JAMAA HAYKEL
IPC分类号： H03K19/007

9. 发明专利

FR2996058A1 CELLULE PHOTOVOLTAIQUE A HEREROJONCTION ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE CELLULE 未知
公开(公告)号：FR2996058A1
公开(公告)日：2014-03-28
申请号：FR1258942
申请日：2012-09-24
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BUCKLEY JULIEN , MUR PIERRE
IPC分类号： H01L31/042
摘要： L'invention concerne une cellule photovoltaïque à hétérojonction comprenant un substrat (1) dopé, dans laquelle : - une première face principale (1A) dudit substrat est recouverte d'une couche de passivation (2A), d'une couche (3A) dopée du type opposé à celui du substrat, formant l'émetteur de ladite cellule, - la seconde face principale (1B) dudit substrat est recouverte d'une couche de passivation (2B), d'une couche (3B) dopée du même type que le substrat, formant un champ répulsif pour les porteurs minoritaires du substrat, caractérisée en ce que : - le matériau de la couche de passivation (2A) côté émetteur (E) est choisi pour présenter une barrière de potentiel plus basse pour les porteurs minoritaires photogénérés que pour les porteurs majoritaires du substrat, et - le matériau de la couche de passivation (2B) côté champ répulsif (BSF) est choisi pour présenter une barrière de potentiel plus basse pour les porteurs majoritaires photogénérés que pour les porteurs minoritaires du substrat.

10. 发明专利

FR2984008B1 DISPOSITIF ELECTRONIQUE 未知
公开(公告)号：FR2984008B1
公开(公告)日：2014-01-10
申请号：FR1161530
申请日：2011-12-13
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
发明人： BEN JAMAA HAYKEL , BUCKLEY JULIEN , LEDUC PATRICK
IPC分类号： H01L23/34

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