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2. 发明申请

WO2018046683A1 CELLULE MEMOIRE NON-VOLATILE RESISTIVE A BASE D'OXYDE ET SON PROCEDE DE FABRICATION 审中-公开
标题翻译：基于氧化物的电阻性非易失性存储器单元及其制造方法
公开(公告)号：WO2018046683A1
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：PCT/EP2017/072622
申请日：2017-09-08
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GRENOUILLET, Laurent , BARLAS, Marios , BLAISE, Philippe , SKLENARD, Benoït , VIANELLO, Elisa
IPC分类号： H01L45/00
摘要： La présente invention se rapporte à une cellule mémoire (100) non-volatile résistive comportant une première électrode (1), une deuxième électrode (2) et une couche d'oxyde (3) disposée entre la première électrode et la deuxième électrode, la cellule mémoire étant apte à commuter de manière réversible entre : - un état à forte résistance obtenu en appliquant une première tension de polarisation entre la première électrode et la deuxième électrode; et - un état à faible résistance en appliquant une deuxième tension de polarisation entre la première électrode et la deuxième électrode; la couche d'oxyde comportant une zone de commutation formant un chemin de conduction privilégié au courant traversant la cellule mémoire lorsque la cellule mémoire est à l'état à faible résistance, la cellule mémoire étant caractérisée en ce que la couche d'oxyde comporte une première zone (31) dopée avec de l'aluminium ou du silicium, l'aluminium ou le silicium étant présent dans la première zone à une concentration atomique choisie de manière à localiser la zone de commutation en dehors de la première zone.
摘要翻译：
本发明涉及具有第一电极（1），第二电极（2）和设置在第一和第二电极（2）之间的氧化物层（3）的反应性非易失性存储单元（100）第一电极和第二电极，电池单元是合适的; 在以下之间切换： - “ 通过在第一电极和第二电极之间施加第一偏压获得的强阻力; 和 - 一个＆rsquo; 通过在第一电极和第二电极之间施加第二偏置电压来实现低电阻; 氧化物层具有形成优选传导路径的切换区; 当存储器单元被解冻时流向存储器单元的电流; 国家“ 低电阻，所述电池的特征在于所述氧化物层包含掺杂有铝或硅的第一区域（31），所述铝或者硅存在于第一区域中。操纵选定的原子浓度; 找到第一个区域之外的开关区域。

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