专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明申请

WO2004010494A2 PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE ELECTRIQUEMENT ACTIVE. 审中-公开
标题翻译：用于传输电动活性薄层的方法
公开(公告)号：WO2004010494A2
公开(公告)日：2004-01-29
申请号：PCT/FR2003/002225
申请日：2003-07-15
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , SOITEC , DI CIOCCIO, Léa , LETERTRE, Fabrice , HUGONNARD-BRUYERE, Elsa
发明人： DI CIOCCIO, Léa , LETERTRE, Fabrice , HUGONNARD-BRUYERE, Elsa
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/7602
摘要： L'invention concerne un procédé de transfert d'une couche mince électriquement active depuis un substrat initial vers un substrat cible, comprenant les étapes suivantes :- implantation ionique au travers d'une face du substrat initial pour créer une couche enterrée fragilisée à une profondeur déterminée par rapport à la face implantée du substrat initial, une couche mince étant ainsi délimitée entre la face implantée et la couche enterrée,- solidarisation de la face implantée du substrat initial sur une face du substrat cible,- séparation de la couche mince d'avec le reste du substrat initial au niveau de la couche enterrée,- amincissement de la couche mince transférée sur le substrat cible.La dose, l'énergie et le courant d'implantation sont choisis, lors de l'étape d'implantation ionique, pour que la concentration en défauts d'implantation soit inférieure à un seuil déterminé conduisant à; obtenir dans la couche mince amincie un nombre de défauts accepteurs compatible avec les propriétés électriques désirées pour la couche mince.
摘要翻译：本发明涉及一种用于将电活性薄层从初始衬底转移到目标衬底上的方法，包括以下步骤：通过初始衬底的一个表面离子注入以在相对于注入表面的特定深度产生脆化的嵌入层的初始衬底，由此在植入表面和嵌入层之间限定了薄层; 将初始基板的注入侧固定在目标基板的表面上; 在所述嵌入层处将所述薄层与所述初始衬底的其余部分分离; 减薄转移到目标基底上的薄层。在离子注入步骤期间，选择注入的剂量，能量和电流，使得注入的缺陷浓度小于特定阈值，这导致薄层获得薄层所需的电性能。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式