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1. 发明申请

WO2007090946A1 SEMI-CONDUCTEUR FERROMAGNETIQUE, SON PROCEDE DE FABRICATION, COMPOSANTS L'INCORPORANT ET UTILISATIONS DE CE SEMI-CONDUCTEUR S'Y RAPPORTANT 审中-公开
标题翻译：光学半导体，其生产方法，与其组合的组分以及相关半导体的相应使用
公开(公告)号：WO2007090946A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/FR2007/000186
申请日：2007-02-01
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , JAMET, Matthieu , SAMSON, Yves , BARSKI, André , DEVILLERS, Thibaut
发明人： JAMET, Matthieu , SAMSON, Yves , BARSKI, André , DEVILLERS, Thibaut
IPC分类号： H01F1/40 , H01F10/193
CPC分类号： H01F10/193 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C30B23/063 , C30B29/52 , G01R33/09 , G01R33/093 , H01F1/405 , H01F41/30
摘要： La présente invention concerne un semi-conducteur ferromagnétique du groupe IV, son procédé de fabrication, un composant électronique de type diode pour l'injection ou la collecte de spins dans ou depuis un autre semi-conducteur, respectivement, ou bien de type élément sensible à un champ magnétique, et des utilisations de ce semi-conducteur relatives à ce composant. Un semi-conducteur ferromagnétique (1) selon l'invention comprend au moins un élément magnétique choisi dans le groupe constitué par Mn, Fe, Co, Ni et Cr, et il présente une température de Curie égale ou supérieure à 350 K et avantageusement égale ou supérieure à 400 K. Ce semi-conducteur présente une matrice (4) pauvre en élément(s) magnétique(s), à l'intérieur de laquelle est formée une phase discontinue formée de colonnes (3) qui est riche en élément(s) magnétique(s) et qui est ferromagnétique jusqu'à cette température de Curie, de sorte à générer une modulation latérale de la composition dudit semi-conducteur dans le plan de ladite couche mince.
摘要翻译：本发明涉及IV族的铁磁半导体及其生产方法，用于分别注入或从其它半导体注入或收集自旋的二极管型电子部件或对磁性敏感的电子部件以及涉及所述部件的所述半导体的使用。本发明的铁磁半导体（1）包括选自Mn，Fe，Co，Ni和Cr中的至少一种磁性元素，并且具有等于或高于350K的居里温度，并且有利地等于或高于所述半导体具有消耗了磁性元件的矩阵（4），并且包含由富含磁性元件的列形成的中断相，并且以这种方式具有铁磁性以便在薄层的平面中产生半导体的组成的横向调制。

2. 发明申请

WO2007042563A1 A MAGNETORESISTIVE TUNNEL JUNCTION MAGNETIC DEVICE AND ITS APPLICATION TO MRAM 审中-公开
标题翻译：磁阻隧道结磁装置及其应用于MRAM
公开(公告)号：WO2007042563A1
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：PCT/EP2006/067374
申请日：2006-10-13
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) , DIENY, Bernard , VEDYAEV, Anatoly , FAURE-VINCENT, Jérôme , WARIN, Patrick , JAMET, Matthieu , SAMSON, Yves
发明人： DIENY, Bernard , VEDYAEV, Anatoly , FAURE-VINCENT, Jérôme , WARIN, Patrick , JAMET, Matthieu , SAMSON, Yves
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L27/12
CPC分类号： G11C11/15 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/1675 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/305 , H01L27/222 , H01L43/08
摘要： The magnetic device comprises a magnetic device comprising a magnetoresistive tunnel junction (100), itself comprising: a reference magnetic layer (120) having magnetization in a direction that is fixed; a storage magnetic layer (110) having magnetization in a direction that is variable; and an intermediate layer (130) acting as a tunnel barrier that is essentially semiconductor or electrically insulating and that separates the reference magnetic layer (120) from the storage magnetic layer (110). The potential profile of the intermediate layer (130) is asymmetrical across the thickness of said layer (130) so as to produce a current response that is asymmetrical as a function of the applied voltage. The device is applicable to magnetic random access memories.
摘要翻译：磁性装置包括磁性装置，该磁性装置包括磁阻隧道结（100），其自身包括：具有沿固定方向的磁化的参考磁性层（120）存储磁性层（110），其具有在可变的方向上的磁化; 以及用作隧道势垒的中间层（130），其基本上是半导体或电绝缘的，并且将参考磁性层（120）与存储磁性层（110）分离。中间层（130）的电位分布在所述层（130）的厚度上是不对称的，以便产生作为施加电压的函数的不对称的电流响应。该器件适用于磁性随机存取存储器。

3. 发明申请

WO2005048255A1 DISPOSITIF D'ENREGISTREMENT DE DONNEES A MICRO-POINTES CONDUCTRICES ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF 审中-公开
标题翻译：数据记录装置，其包含导电微型物及其生产方法
公开(公告)号：WO2005048255A1
公开(公告)日：2005-05-26
申请号：PCT/FR2004/002755
申请日：2004-10-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , GIDON, Serge , SAMSON, Yves
发明人： GIDON, Serge , SAMSON, Yves
IPC分类号： G11B9/00
CPC分类号： G11B9/14 , G01Q70/12 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1472 , G11C2213/81
摘要： La micro-pointe (1) a une extrémité (2) destinée à être amenée en contact électrique avec un support d'enregistrement (3). La micro-pointe (1) comporte une âme (4) longitudinale conductrice ayant une section sensiblement constante. La micro-pointe (1) est entourée par une gaine (5) en matériau nonconducteur, de manière à ce que les extrémités libres de l'âme (4) et de la gaine (5) soient au même niveau à l'extrémité (2) de la micro-pointe (1). La gaine (5) peut avoir une section qui diminue en direction de l'extrémité (2) de la micropointe (1), par exemple de manière à former une partie tronconique. L'âme (4) peut être constituée par un nanotube de carbone. Une multitude de micropointes (1) peut être disposées selon un réseau, leurs extrémités (2) générant une surface commune sensiblement plane. Le procédé comporte une étape d'abrasion.
摘要翻译：本发明涉及包含导电微尖头的数据记录装置及其制造方法。根据本发明，微尖头（1）包括旨在与记录介质（3）电接触的一端（2）。此外，微尖端（1）包括具有基本恒定横截面的纵向导电芯（4）。此外，微尖端（1）由不导电材料的护套（5）围绕，使得芯（4）和护套（5）的自由端在微尖端的端部（2）处水平（1）。护套（5）的横截面可以朝向微尖端（1）的端部（2）减小，例如，例如形成截锥形部分。核心（4）可以包括碳纳米管。此外，多个微尖端（1）可以以网络的形式设置，其端部（2）产生基本平坦的公共表面。本发明的方法包括磨损步骤。

4. 发明申请

WO2006051186A3 RESEAU DE PARTICULES ET PROCEDE DE REALISATION D’UN TEL RESEAU 审中-公开
公开(公告)号：WO2006051186A3
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：PCT/FR2005/002728
申请日：2005-11-03
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , SAMSON, Yves , FOURNEL, Franck , EYMERY, Joël
发明人： SAMSON, Yves , FOURNEL, Franck , EYMERY, Joël
IPC分类号： H01L49/00 , C30B33/06
摘要： Un procédé de réalisation d'un réseau de particules comprend une étape de dépôt de particules, aptes à auto-organiser avec un pas déterminé selon une première direction, sur un substrat présentant une propriété permettant une interaction du substrat et des particules et modulée selon la première direction avec une période adaptée audit pas. Une interaction substantielle subsiste ainsi entre chacune des particules et ses particules voisines selon la première direction.

5. 发明申请

WO2005004140A1 DISPOSITIF D’ENREGISTREMENT DE DONNEES COMPORTANT DES MICRO-POINTES ET UN SUPPORT D’ENREGISTREMENT 审中-公开
标题翻译：数据记录装置，包含微波和记录介质
公开(公告)号：WO2005004140A1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：PCT/FR2004/001406
申请日：2004-06-07
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , GIDON, Serge , SAMSON, Yves , BICHET, Olivier , BECHEVET, Bernard
发明人： GIDON, Serge , SAMSON, Yves , BICHET, Olivier , BECHEVET, Bernard
IPC分类号： G11B9/00
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/14 , G11B9/1463 , G11B11/08
摘要： Un dispositif d'enregistrement de données (1) comporte des micro-pointes (3) et un support d'enregistrement (2). Le support d'enregistrement (2) comporte un substrat (4) sur lequel est disposée une couche résistive (5), de préférence en carbone, ladite couche résistive (5) étant recouverte par une couche active (6). La couche active (6) est capable de passer d'une première valeur de résistivité électrique à une seconde valeur de résistivité électrique sous l'action d'une tension appliquée entre les micro-pointes (3) et une contre-électrode. Le dispositif d'enregistrement de données (1) comporte également au moins un élément résistif (7) en carbone disposé entre la couche active (6) et les micro-pointes (3).
摘要翻译：本发明涉及包括微型头（3）和记录介质（2）的数据记录装置（1）。记录介质（2）包括其上设置有优选碳电阻层（5）的衬底（4），所述电阻层（5）被有源层（6）覆盖。根据本发明，当在微尖端（3）和对电极之间施加电压时，上述有源层（6）可以从第一电阻率值传递到第二电阻率值。本发明的数据记录装置（1）还包括至少一个碳电阻元件（7），其设置在有源层（6）和微尖端（3）之间。

6. 发明授权

EP1680782B1 DISPOSITIF D' ENREGISTREMENT DE DONNEES A MICRO-POINTES CONDUCTRICES ET PROCEDE DE FABRICATION D' UN TEL DISPOSITIF 有权
标题翻译：随着对生产传导微尖和处理数据记录设备
公开(公告)号：EP1680782B1
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：EP04805312.8
申请日：2004-10-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： GIDON, Serge , SAMSON, Yves
IPC分类号： G11B9/00 , G11B11/00 , G01B7/34 , G12B21/02
CPC分类号： G11B9/14 , G01Q70/12 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1472 , G11C2213/81
摘要： The invention relates to a data-recording device comprising conductive microtips and to the production method thereof. According to the invention, the microtip (1) comprises one end (2) which is intended to be brought into electrical contact with a recording medium (3). Moreover, the microtip (1) comprises a longitudinal conducting core (4) having an essentially constant cross-section. In addition, the microtip (1) is surrounded by a sheath (5) of non-conducting material, such that the free ends of the core (4) and the sheath (5) are level at the end (2) of the microtip (1). The cross-section of the sheath (5) can diminish towards the end (2) of the microtip (1), e.g. such as to form a truncated-cone-shaped part. The core (4) can comprise a carbon nanotube. Furthermore, a multitude of microtips (1) can be disposed in the form of a network, the ends (2) thereof generating an essentially-flat common surface. The inventive method comprises an abrasion step.

7. 发明授权

EP1949466B1 A MAGNETORESISTIVE TUNNEL JUNCTION MAGNETIC DEVICE AND ITS APPLICATION TO MRAM 有权转让
标题翻译：磁阻隧道转移磁体结构及应用MRAM
公开(公告)号：EP1949466B1
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：EP06807238.8
申请日：2006-10-13
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
发明人： DIENY, Bernard , VEDYAEV, Anatoly , FAURE-VINCENT, Jérôme , WARIN, Patrick , JAMET, Matthieu , SAMSON, Yves
IPC分类号： H01L43/08 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01L27/22 , H01F10/32
CPC分类号： G11C11/15 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11C11/1675 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/305 , H01L27/222 , H01L43/08
摘要： The magnetic device comprises a magnetic device comprising a magnetoresistive tunnel junction (100), itself comprising: a reference magnetic layer (120) having magnetization in a direction that is fixed; a storage magnetic layer (110) having magnetization in a direction that is variable; and an intermediate layer (130) acting as a tunnel barrier that is essentially semiconductor or electrically insulating and that separates the reference magnetic layer (120) from the storage magnetic layer (110). The potential profile of the intermediate layer (130) is asymmetrical across the thickness of said layer (130) so as to produce a current response that is asymmetrical as a function of the applied voltage. The device is applicable to magnetic random access memories.

8. 发明公开

EP1989716A1 SEMI-CONDUCTEUR FERROMAGNETIQUE, SON PROCEDE DE FABRICATION, COMPOSANTS L'INCORPORANT ET UTILISATIONS DE CE SEMI-CONDUCTEUR S'Y RAPPORTANT 有权
标题翻译： FERRO磁半导体，METHOD FOR THE元素这些半导体集成和相关使用这个半目
公开(公告)号：EP1989716A1
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：EP07730902.9
申请日：2007-02-01
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： JAMET, Matthieu , SAMSON, Yves , BARSKI, André , DEVILLERS, Thibaut
IPC分类号： H01F1/40 , H01F10/193
CPC分类号： H01F10/193 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C30B23/063 , C30B29/52 , G01R33/09 , G01R33/093 , H01F1/405 , H01F41/30
摘要： The invention relates to a ferromagnetic semiconductor of group IV, to a method for the production thereof, to a diode-type electronic component for the injection or collection of spins into or from another semiconductor respectively, or an electronic component which is sensitive to a magnetic field, and to uses of said semiconductor relating to said component. An inventive ferromagnetic semiconductor (1) comprises at least one magnetic element selected from the group consisting of Mn, Fe, Co, Ni and Cr, and has a Curie temperature which is equal to or higher than 350 K, and advantageously equal to or higher than 400 K. Said semiconductor has a matrix (4) which is depleted in magnetic element(s) and contains a discontinued phase which is formed from columns, enriched with magnetic elements, and is ferromagnetic up to said Curie temperature, in such a way as to generate a lateral modulation of the composition of the semiconductor in the plane of the thin layer.

9. 发明公开

EP1680782A1 DISPOSITIF D' ENREGISTREMENT DE DONNEES A MICRO-POINTES CONDU CTRICES ET PROCEDE DE FABRICATION D' UN TEL DISPOSITIF 有权
标题翻译：随着对生产传导微尖和处理数据记录设备
公开(公告)号：EP1680782A1
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：EP04805312.8
申请日：2004-10-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人： GIDON, Serge , SAMSON, Yves
IPC分类号： G11B9/00 , G11B11/00 , G01B7/34 , G12B21/02
CPC分类号： G11B9/14 , G01Q70/12 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1472 , G11C2213/81
摘要： The invention relates to a data-recording device comprising conductive microtips and to the production method thereof. According to the invention, the microtip (1) comprises one end (2) which is intended to be brought into electrical contact with a recording medium (3). Moreover, the microtip (1) comprises a longitudinal conducting core (4) having an essentially constant cross-section. In addition, the microtip (1) is surrounded by a sheath (5) of non-conducting material, such that the free ends of the core (4) and the sheath (5) are level at the end (2) of the microtip (1). The cross-section of the sheath (5) can diminish towards the end (2) of the microtip (1), e.g. such as to form a truncated-cone-shaped part. The core (4) can comprise a carbon nanotube. Furthermore, a multitude of microtips (1) can be disposed in the form of a network, the ends (2) thereof generating an essentially-flat common surface. The inventive method comprises an abrasion step.

10. 发明申请

WO2008000973A3 MÉTHODE D'ESTIMATION DU POTENTIEL DE CROISSANCE DES INFARCTUS CÉRÉBRAUX 审中-公开
公开(公告)号：WO2008000973A3
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/FR2007/001111
申请日：2007-06-29
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE - CNRS , BAILLET, Sylvain , SAMSON, Yves , HEVIA-MONTIEL, Nidiyare , ROSSO, Charlotte , DELTOUR, Sandrine , BARDINET, Eric , DORMONT, Didier
发明人： BAILLET, Sylvain , SAMSON, Yves , HEVIA-MONTIEL, Nidiyare , ROSSO, Charlotte , DELTOUR, Sandrine , BARDINET, Eric , DORMONT, Didier
IPC分类号： G06T7/00
摘要： L'invention concerne une méthode d'estimation automatique du potentiel de croissance des infarctus cérébraux en particulier en phase aiguë, c'est-à-dire dans les six heures suivant la survenue de l'accident ischémique cérébral. Il est connu de la technique quelques méthodes de prédiction de la croissance des infarctus cérébraux, mais ces méthodes ne sont pas encore standardisées. L'invention propose donc de remédier à ce problème en proposant une méthode d'estimation du potentiel de croissance des infarctus cérébraux gui comporte : une étape (10) acquisition de séquences d'images IRM de diffusion, une étape (40) calcul du coefficient de diffusion apparent (CDA) en une multitude de points ou voxels du parenchyme cortical, une étape (30) de localisation et délimitation de l'infarctus initial et modélisation de l'évolution de l'infarctus à partir d'un modèle de croissance établi par la minimisation itérative d'un indice d'énergie globale E défini par une combinaison linéaire de paramètres d'énergie élémentaires dépendant de l'intensité du CDA.

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