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1. 发明申请

WO2007020351A1 PROCÉDÉ DE REPORT D'UNE COUCHE MINCE SUR UN SUPPORT 审中-公开
标题翻译：将薄膜转移到支持上的方法
公开(公告)号：WO2007020351A1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：PCT/FR2006/001945
申请日：2006-08-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , DEGUET, Chrystel , CLAVELIER, Laurent , DECHAMP, Jérôme
发明人： DEGUET, Chrystel , CLAVELIER, Laurent , DECHAMP, Jérôme
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , Y10T156/1052 , Y10T156/109
摘要： Un procédé de report d'une couche mince sur un premier support (18), comprend les étapes suivantes : - fourniture d'une structure comportant une couche (3) dont une partie au moins est issue d'un substrat massif d'un premier matériau et solidaire d'un second support (6, 10) présentant un coefficient de dilatation thermique différent de celui du premier matériau et proche de celui du premier support ; - formation dans la couche (3) d'une zone fragilisée enterrée (14) délimitant la couche mince à reporter ; - collage de la couche (3) solidaire du second support (6, 10) sur le premier support (18) ; - fracture de la couche (3) au niveau de la zone fragilisée (14).
摘要翻译：本发明涉及一种将薄膜转移到第一支撑件（18）上的方法，包括以下步骤：提供包括膜（3）的结构，其中至少一个部分来自第一材料的固体基底并且其牢固地连接到具有与第一材料不同的热膨胀系数并且接近于第一支撑件的热膨胀系数的第二支撑件（6,10），在膜（3）内形成脆化区域（14）限定要转印的薄膜，将固定在第二支撑体（6,10）上的薄膜（3）固定到第一支撑件（18）上，并且在脆化区域（14）处打破薄膜（3）。

2. 发明申请

WO2010049654A1 PROCEDE D'ELABORATION D'UN SUBSTRAT HYBRIDE AYANT UNE COUCHE CONTINUE ELECTRIQUEMENT ISOLANTE ENTERREE 审中-公开
标题翻译：用嵌入式电绝缘连续层生产混合基板的方法
公开(公告)号：WO2010049654A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/FR2009/052091
申请日：2009-10-29
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , CLAVELIER, Laurent , DEGUET, Chrystel
发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas , FOURNEL, Franck , CLAVELIER, Laurent , DEGUET, Chrystel
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/84
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： Un procédé d'élaboration d'un substrat hybride comporte les étapes suivantes : on prépare un premier substrat (10) comportant une couche mixte qui est longée par une couche sous-jacente continue électriquement isolante (11) et qui est formée de premières zones monocristallines (12A) et de secondes zones adjacentes (12B) en un matériau sous forme amorphe, ces secondes zones formant au moins une partie de la surface libre de ce premier substrat; on colle à ce premier substrat, par collage moléculaire hydrophobe sur au moins ces zones amorphes, un second substrat (20) comportant en surface une couche de référence ayant une orientation cristallographique donnée; on provoque la recristallisation en phase solide d'au moins une partie des zones amorphes suivant l'orientation cristallographique de la couche de référence, et on sépare les deux substrats à l'interface de collage.
摘要翻译：本发明涉及一种制备混合基片的方法，包括以下步骤： - 制备第一基片（10），其包括由下面的电绝缘连续层（11）延伸并由第一单晶区域（12A）和第二相邻区域（12B），所述第二区域构成所述第一基板的自由表面的至少一部分; 在其表面上包含具有预定晶体取向的参考层的第二基板（20）至少通过疏水分子键结合到所述第一基板到所述非晶区域; 根据参考层的结晶取向进行至少部分非晶区域至固相的再结晶，并且在键合界面分离两个基板。

3. 发明申请

WO2011042388A1 DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES COMPRENANT UN FILTRE A ONDES DE SURFACE ET UN FILTRE A ONDES DE VOLUME ET PROCEDE DE FABRICATION 审中-公开
标题翻译：包括表面波浪滤波器和大容量波形滤波器的声波装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2011042388A1
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/EP2010/064741
申请日：2010-10-04
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , DEGUET, Chrystel , CLAVELIER, Laurent , DEFAY, Emmanuel , REINHARDT, Alexandre
发明人： DEGUET, Chrystel , CLAVELIER, Laurent , DEFAY, Emmanuel , REINHARDT, Alexandre
IPC分类号： H03H3/02 , H03H3/08
CPC分类号： H03H3/08 , H03H3/02 , H03H2003/0071 , Y10T29/42
摘要： L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques comportant au moins un filtre à ondes acoustiques de surface (SAW) et un filtre à ondes acoustiques de volume (BAW), caractérisé en ce qu'il comprend sur un substrat comportant un second matériau piézoélectrique (P iézo2 ) : - un empilement de couches comportant au moins une première couche métallique (M 1 ) et une couche d'un premier matériau piézoélectrique (P iézo1 ) monocristallin; - l'empilement de couches étant partiellement gravé de manière à définir une première zone dans laquelle les premier et second matériaux piézoélectriques sont présents et une seconde zone dans laquelle le premier matériau piézoélectrique est absent; - une seconde métallisation (M 2 ) au niveau de la première zone pour définir le filtre à ondes acoustiques de volume intégrant le premier matériau piézoélectrique et une troisième métallisation (M 3 ) au niveau de la seconde zone pour définir le filtre à ondes acoustiques de surface intégrant le second matériau piézoélectrique. L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication du dispositif de l'invention exploitant avantageusement des étapes de report similaires à celles utilisées dans le procédé Smart Cut TM ou de collage/amincissement mécanique.
摘要翻译：本发明涉及一种包括至少一个表面声波（SAW）滤波器和一个体声波（BAW）滤波器）的声波装置，其特征在于，它包括在包括第二压电材料（Piézo2）的基板上：至少包括第一金属层（M1）和第一单晶压电材料层（Piézo1）的层，其中所述层的一部分被部分蚀刻以限定其中存在第一和第二压电材料的第一区域;以及第一压电材料不存在的第二区域; 在所述第一区域处的第二金属化（M2），用于限定集成所述第一压电材料的所述体声滤波器;以及在所述第二区域处的第三金属化（M3），用于限定整合所述第二压电材料的表面声波滤波器。本发明还涉及用于制造本发明的装置的方法，有利地使用与所使用的应用步骤相似的应用步骤是Smart Cut TM方法或机械粘合/变薄步骤。

4. 发明申请

WO2010049657A1 PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE DANS LE DOMAINE MICRO-ELECTRONIQUE 审中-公开
标题翻译：在微电子领域形成单晶膜的方法
公开(公告)号：WO2010049657A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/FR2009/052096
申请日：2009-10-29
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , SIGNAMARCHEIX, Thomas , CLAVELIER, Laurent , DEGUET, Chrystel
发明人： FOURNEL, Franck , SIGNAMARCHEIX, Thomas , CLAVELIER, Laurent , DEGUET, Chrystel
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02524 , H01L21/02538 , H01L21/02603 , H01L21/02667
摘要： Un procédé de formation d'une couche mince en un matériau donné comporte les étapes suivantes : on prépare un premier substrat 10 comportant, en surface, une couche amorphe et/ou polycristalline 12 dudit matériau donné; on colle à ce premier substrat, par collage moléculaire hydrophobe, un second substrat 20 comportant en surface une couche monocristalline de référence 21, ayant une orientation cristallographique donnée; on applique au moins à la couche amorphe et/ou polycristalline un traitement thermique adapté à provoquer la recristallisation en phase solide d'au moins une partie de cette couche amorphe et/ou polycristalline 12 suivant l'orientation cristallographique de la couche de référence 22, cette couche de référence agissant en tant que germe de recristallisation; et on sépare la couche au moins en partie recristallisée vis-à-vis d'au moins une partie de la couche de référence.
摘要翻译：用于形成给定材料的薄膜的方法包括以下步骤：制备表面上具有所述给定材料的无定形和/或多晶薄膜12的第一基底10; 通过疏水性直接键合（分子粘合）将第二基板20接合到该第一基板，所述第二基板在其表面具有给定结晶取向的单晶参考膜21; 至少对非晶和/或多晶膜施加热处理，所述热处理设计成使得该非晶和/或多晶膜12的至少一部分沿着参考膜的结晶取向进行固相重结晶 21，该参比膜作为再结晶种子; 并且至少部分重结晶的膜与参考膜的至少一部分分离。

5. 发明申请

WO2007036631A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT EN COUCHES MINCES 审中-公开
标题翻译：制造薄膜元件的方法
公开(公告)号：WO2007036631A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/FR2006/002184
申请日：2006-09-25
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , DEGUET, Chrystel , CLAVELIER, Laurent
发明人： DEGUET, Chrystel , CLAVELIER, Laurent
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/2007
摘要： L'invention vise un procédé de fabrication d'un élément en couches minces, caractérisé par les étapes suivantes : - croissance par épitaxie d'une couche cristalline (4) d'un premier matériau sur une couche cristalline (2) d'un support (2) formée dans un second matériau différent du premier matériau, ladite couche du premier matériau (4) ayant une épaisseur telle que son paramètre de maille est déterminé par celui de la couche cristalline (2) du support (2) ; - formation d'une couche de diélectrique (8) du côté de la face de ladite couche du premier matériau (4) opposée au support (2) pour former une structure donneuse (2, 4, 8) ; - assemblage de la structure donneuse (2, 4, 8) avec un substrat de réception (10) ; - élimination du support (2).
摘要翻译：本发明涉及一种制备薄膜元件的方法，其特征在于包括以下步骤：将第一材料的晶体层（4）外延生长在形成于其中的支撑体（2）的晶体层（2）上与第一材料不同的第二材料，所述第一材料层（4）的厚度使得其网格参数由支撑体（2）的晶体层（2）的厚度确定; 在与所述载体（2）相对的所述第一材料层的表面侧上形成介电层（8）以形成施主结构（2,4,8）; 将所述施主结构（2,4,8）与接收层（10）组装; 移除支架（2）。

6. 发明申请

WO2010015470A1 METHOD OF MAKING MULTIPLE IMPLANTATIONS IN A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：在基板上制作多个植入物的方法
公开(公告)号：WO2010015470A1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：PCT/EP2009/058557
申请日：2009-07-07
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , SIGNAMARCHEIX, Thomas , DEGUET, Chrystel , MAZEN, Frédéric
发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas , DEGUET, Chrystel , MAZEN, Frédéric
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method of implanting atoms and/or ions into a substrate, comprising: a) a first implantation of ions or atoms at a first depth in the substrate, in order to form a first implantation plane, b) at least one second implantation of ions or atoms at a second depth in the substrate, which is different from the first depth, in order to form at least one second implantation plane.
摘要翻译：本发明涉及将原子和/或离子注入衬底的方法，包括：a）在衬底中的第一深度处首先注入离子或原子，以形成第一注入平面，b）至少一个在与第一深度不同的衬底中的第二深度处第二次注入离子或原子，以便形成至少一个第二注入平面。

7. 发明申请

WO2010023308A1 SUBSTRAT POUR COMPOSANT ÉLECTRONIQUE OU ÉLECTROMÉCANIQUE ET NANOELEMENTS 审中-公开
标题翻译：电子或机电元件和纳米元件的基板
公开(公告)号：WO2010023308A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/EP2009/061203
申请日：2009-08-31
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , GOISLARD DE MONSABERT, Thomas , DEGUET, Chrystel , DIJON, Jean , KOSTRZEWA, Marek
发明人： GOISLARD DE MONSABERT, Thomas , DEGUET, Chrystel , DIJON, Jean , KOSTRZEWA, Marek
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/06
CPC分类号： F02D13/02 , B81C1/00349 , B82Y10/00 , H01L21/187 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/53276 , H01L25/0657 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L51/001 , H01L51/0045 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , Y02T10/18 , H01L2924/00
摘要： II s'agit d'un substrat destiné à supporter au moins un composant électronique ou électromécanique (708) et un ou plusieurs nanoéléments, formé d'un support de base (301), d'un système catalytique (302), d'une couche barrière (303), et d'une couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (304) en Si monocristallin ou en Ge ou en un mélange de ces matériaux. Le système catalytique (302) repose sur le support de base (301) sans contact avec la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (304) et la couche barrière (303) est placée en sandwich entre le système catalytique (302) et la couche apte à accueillir le composant électronique ou électromécanique (304). Cette couche barrière (303) est sans contact avec le support de base (301).
摘要翻译：本发明涉及用于承载至少一个电子或机电元件（708）和一个或多个纳米元件的衬底，所述纳米元件包括基底载体（301），催化系统（302），阻挡层（303）和层（304），其能够接收电子或机电部件并由单晶Si或Ge或这些材料的混合物制成。催化系统（302）承载在基底载体（301）上，而不接触能够接收电子或机电部件的层（304），并且阻挡层（303）夹在催化系统（302）和层 304），其能够接收电子或机电部件。阻挡层（303）不与基底载体（301）接触。

8. 发明申请

WO2009092799A2 OBJET COMPORTANT UN ELEMENT GRAPHIQUE REPORTE SUR UN SUPPORT ET PROCEDE DE REALISATION D'UN TEL OBJET 审中-公开
标题翻译：包含转移到支持波形的图形元素的对象和生成这样的对象的方法
公开(公告)号：WO2009092799A2
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：PCT/EP2009/050785
申请日：2009-01-23
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , REY, Alain , DEGUET, Chrystel , VANDROUX, Laurent
发明人： REY, Alain , DEGUET, Chrystel , VANDROUX, Laurent
IPC分类号： A44C17/00 , A44C27/00 , H01L21/316 , B44C1/00 , B44C1/22 , B32B7/04
CPC分类号： B44C1/00 , A44C17/00 , A44C27/00 , B44C1/22 , B44C5/0407
摘要： Objet (100) muni d'au moins un élément graphique, comportant au moins une couche (6', 6'') à base d'au moins un métal et gravée selon un motif de l'élément graphique, une première face de ladite couche étant disposée en regard d'une face d'au moins un substrat (2) au moins partiellement transparent, une seconde face, opposée à la première face, de ladite couche étant recouverte par au moins une couche de passivation (12') solidarisée à au moins une face d'au moins un support (20) par adhésion moléculaire et formant, avec le support, une structure monolithique, et ladite couche comportant, au moins au niveau de la seconde face, au moins une zone (10) à base dudit métal et d'au moins un semi-conducteur.
摘要翻译：具有至少一个图形元件的对象（100），包括至少一个基于至少一种金属并以图形元素的图案蚀刻的层（6'，6“），所述层的第一面朝向至少一个至少部分透明的基板（2）的一个面，在所述层的与第一面相对的一侧上的第二面被覆盖有至少一个钝化层（12'），该钝化层至少一个支撑晶片（20），通过直接晶片结合（分子粘合）并与支撑晶片一体形成整体结构，并且所述层至少在第二面上包括至少一个区域（10），基于所述金属和至少一个半导体。

9. 发明申请

WO2010139794A1 PROCÈDE DE FABRICATION D'IMAGES COLORÉES AVEC UNE RÉSOLUTION MICRONIQUE ENFOUIES DANS UN SUPPORT TRÈS ROBUSTE ET TRÈS PÉRENNE 审中-公开
标题翻译：用于生产非常强大，非常耐用的介质中嵌入的微分辨率彩色图像的方法
公开(公告)号：WO2010139794A1
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/EP2010/057850
申请日：2010-06-04
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , REY, Alain-Marcel , DEGUET, Chrystel , FREY, Laurent , TARDIF, François
发明人： REY, Alain-Marcel , DEGUET, Chrystel , FREY, Laurent , TARDIF, François
IPC分类号： G02B5/28 , G03C7/04 , C03C17/00
CPC分类号： G02B5/286 , C03C17/34 , C03C2217/425 , C03C2217/72 , G02B5/201 , G03F7/0007 , Y10T156/10 , Y10T428/24802
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'un substrat coloré ou fluorescent en vue de la formation d'une image colorée ou fluorescente comportant la formation, sur un substrat (10), d'une matrice colorée ou fluorescente, définissant des pixels d'au moins deux couleurs différentes, chaque pixel formant un filtre pour une couleur donnée. Au moins un filtre est un filtre interférentiel ou obtenu avec des particules colorées ou fluorescentes.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产彩色或荧光底物的方法，以便形成一种颜色或荧光图像，其包括在基底（10）上形成颜色或荧光矩阵的图形，其定义至少两种不同颜色的像素像素形成用于预定颜色的滤光器。至少一个滤光片是用彩色或荧光颗粒获得的干涉滤光片或滤光片。

10. 发明申请

WO2011009847A2 PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF A ELEMENT GRAPHIQUE 审中-公开
标题翻译：用于制造具有显示元件的器件的方法
公开(公告)号：WO2011009847A2
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010/060456
申请日：2010-07-20
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES , DEGUET, Chrystel , REY, Alain-Marcel , SIGNAMARCHEIX, Thomas
发明人： DEGUET, Chrystel , REY, Alain-Marcel , SIGNAMARCHEIX, Thomas
IPC分类号： B44F1/04 , A44C27/00 , H01L21/316 , B44C1/22 , B32B3/30 , B32B17/00
CPC分类号： B44F1/04 , A44C27/00
摘要： Procédé de réalisation d'un dispositif (100) à élément graphique (108), comportant les étapes de : a) réalisation d'un empilement comportant une couche sacrificielle disposée entre un premier substrat et une couche protectrice (106), et un élément graphique (108) réalisé au niveau d'une première face de la couche protectrice opposée à une seconde face de la couche protectrice telle que ladite seconde face soit disposée contre la couche sacrificielle, b) solidarisation dudit empilement avec au moins un second substrat (116) telle que l'élément graphique soit disposé entre le premier substrat et le second substrat, c) désolidarisation de la couche sacrificielle vis-à-vis de la couche protectrice.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造具有显示元件（108）的装置（100）的方法，包括以下步骤：a）产生包括放置在第一基板和保护层（106）之间的牺牲层的堆叠，以及显示元件（108），其形成在所述保护层的与所述保护层的第二表面相对的第一表面上，使得所述第二表面抵靠所述牺牲层放置，b）用至少一个第二基板（116）固定所述堆叠，使得显示元件被放置在第一基板和第二基板之间，c）将牺牲层与保护层分离。

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