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    • 4. 发明公开
    • Mémoire à bulles magnétiques
    • 磁泡存储器。
    • EP0130128A1
    • 1985-01-02
    • EP84401315.1
    • 1984-06-22
    • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
    • Fedeli, Jean-MarcJouve, HubertMagnin, JoelPisella, Christian
    • G11C19/08
    • G11C19/0875
    • Cette mémoire comprend une série de registres mineurs (1, 2....), orientés longitudinalement et au moins un registre majeur d'accès (3) orienté transversalement; tous ces registres comportent des motifs (4, 5) dont les frontières (6,7) sont définies par des zones (8, 9, 10) ioniquement implantées d'une couche (11) d'un grenat magnétique. La mémoire comprend aussi des moyens (26) de transfert de bulle d'une extrémité de registre mineur vers le registre majeur (3), des moyens pour déplacer les bulles dans chaque registre mineur (1, 2) par application d'un champ magnétique tournant, des moyens (12, 13) pour déplacer les bulles dans le registre majeur (3) par circulation de courants dans deux feuilles (12, 13) électriquement conductrices, superposées à la couche de grenat magnétique (11), et percées de fenêtres (14, 15,20,18) en regard des motifs de ce registre. Elle est caractérisée en ce que les fenêtres sont disposées de manière que les bulles circulent en restant en contact avec les frontières (7) des motifs (5) du registre majeur, dans les zones implantées du grenat (11).
      Application aux mémoires à bulles magnétiques.
    • 6. 发明公开
    • Mémoire à bulles magnétique en technologie hybride
    • 混合动力技术中的磁泡存储器
    • EP0237374A1
    • 1987-09-16
    • EP87400240.5
    • 1987-02-03
    • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
    • Delaye, Marie-ThérèseFedeli, Jean-MarcMagnin, JoelRabarot, Marc
    • G11C19/08
    • G11C19/0891
    • Mémoire dans laquelle une jonction IP est réalisée entre un premier chemin de propagation défini par une frontière (34) entre une zone implantée (36) et une zone non-implantée (38), et un second chemin de propagation défini par une suite de motifs déposés (40, 42, 44).
      Cette jonction est caractérisée en ce que la zone de recouvrement (46) entre les chemins a une sur­face sensiblement égale à la taille d'une bulle magné­tique, en ce que la frontière (34) franchie par la bulle magnétique a une direction perpendiculaire à un axe de facile aimantation du matériau magnétique de la mémoire, et en ce qu'une zone implantée (52) est réali­sée sous une aile (48) du motif déposé (40).
    • 存储器,其中一个IP连接是由的图案的序列限定的植入区域(36)和非注入区(38),和第二传送磁道之间的边界(34)限定的第一传送磁道之间进行 沉积(40,42,44)。 这个结的特征在于,路径之间的重叠区域(46)具有基本上等于磁泡的大小,在该区域由磁泡越过边界(34)具有垂直于一个方向 所述存储器的所述磁性材料的易磁化轴,并在该植入区(52)被构造为所沉积的图案(40)的一个凸缘(48)。