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1. 发明申请

WO2018037189A1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE COUCHE CONTRAINTE EN TENSION A BASE DE GERMANIUM ETAIN 审中-公开
标题翻译：一种用于生产层的应变电压锗TIN
公开(公告)号：WO2018037189A1
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：PCT/FR2017/052261
申请日：2017-08-23
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： REBOUD, Vincent , HARTMANN, Jean-Michel , TCHELNOKOV, Alexei
IPC分类号： H01L21/20
摘要： L'invention porte sur un procédé de réalisation d'une couche (12) contrainte en tension à base de germanium étain (GeSn), comportant les étapes suivantes : réalisation d'un empilement semiconducteur (10), comportant une couche à base de germanium étain (GeSn) et présentant une valeur initiale non nulle de contrainte en tension; structuration dudit empilement semiconducteur (10) de manière à former : o une partie structurée (20) et une partie périphérique (30), la partie structurée (20) comportant une portion centrale (21) reliée à la partie périphérique (30) par au moins deux portions latérales (22), o les portions latérales (22) présentant une largeur moyenne (b) supérieure à une largeur moyenne (a) de la portion centrale (21); suspension de la partie structurée (20), la portion centrale (21) présentant alors une valeur finale de contrainte en tension supérieure à la valeur initiale.
摘要翻译：
本发明涉及一种方法执行应力 - 应变层（12）锗é锡（GESN），包括以下步骤解：R té实现，其包括层＆agrave一个半导体层叠体（10）的; 锗基（GeSn）并显示初始非零应力值; 以这样的方式构造所述半导体堆叠（10）形式：○结构化é部分e（20）和pé部分; RIPHé美国（30），所述结构化é部分e（20），其具有连接éE＆agrave的中央部（21）; pé部分; RIPHé美国（30）由至少两个纬度é部分; RAL（22）O LATé部分; RAL（22）PRé感觉的平均宽度（b）SUPé更高＆agrave; 中央部分（21）的平均宽度（a）; 悬挂结构é部分e（20），中央部分（21）的PRé而感觉最终值电压应力SUPé更高＆agrave; 初始值。

2. 发明申请

WO2015059295A1 DISPOSITIF EMISSIF LUMINEUX, DISPOSITIF ET PROCEDE D'AJUSTEMENT D'UNE EMISSION LUMINEUSE D'UNE DIODE ELECTROLUMINESCENTE A PHOSPHORE 审中-公开
标题翻译：发光装置，以及用于调节包含磷光体的发光二极管的发光的装置和方法
公开(公告)号：WO2015059295A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：PCT/EP2014/072899
申请日：2014-10-24
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： ROBIN, Ivan-Christophe , TCHELNOKOV, Alexei , MOUREY, Bruno
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B37/0227 , H01L31/162 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/502 , H01L33/56 , H05B33/0815 , H05B33/0818 , H05B33/0851 , H05B33/0857 , Y02B20/346
摘要： Dispositif émissif lumineux (100) comportant au moins : - une diode électroluminescente (102) comprenant une zone active (120) couplée à du phosphore (103); - un dispositif (105) de détection d'un spectre et d'une intensité d'une lumière destinée à être émise par la diode électroluminescente, - une alimentation électrique à découpage (110) apte à alimenter électriquement la diode électroluminescente par un signal périodique dont un rapport cyclique α est tel que α ∈ ]0;1], - un dispositif (111) de commande de l'alimentation électrique à découpage apte à modifier une valeur crête et/ou une période et/ou un rapport cyclique a du signal périodique en fonction du spectre et de l'intensité de la lumière destinés à être détectés et en fonction de valeurs cibles du spectre et de l'intensité.
摘要翻译：本发明涉及至少包括：具有耦合到磷光体（103）的有源区（120）的发光二极管（102）的发光器件（100）。用于检测由所述发光二极管发射的光的光谱和强度的装置（105）; 一种开关电源（110），用于将发光二极管与具有占空比α的周期信号电连接，使得α∈] 0; 1]; 用于控制开关模式电源的装置（111），其可以根据要被检测的光的光谱和强度改变周期信号的峰值和/或周期和/或占空系数α 并根据目标光谱和强度值。

3. 发明申请

WO2015059294A1 DISPOSITIF EMISSIF LUMINEUX ET PROCEDE D'AJUSTEMENT DE SON EMISSION 审中-公开
标题翻译：发光装置和调整上述装置的发射的方法
公开(公告)号：WO2015059294A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：PCT/EP2014/072898
申请日：2014-10-24
申请人： COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： ROBIN, Ivan-Christophe , TCHELNOKOV, Alexei , MOUREY, Bruno
IPC分类号： H01L33/06 , H05B33/08 , H01L33/32 , H01L25/16
CPC分类号： H01L25/167 , H01L31/147 , H01L33/0025 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H05B33/0848 , H05B33/0866 , H01L2924/00
摘要： Dispositif émissif lumineux (100) comportant : • une diode électroluminescente (102) comprenant : • une couche émissive comprenant un semi-conducteur ternaire ou quaternaire comportant un élément chimique de la colonne 13 du tableau périodique des éléments parmi l'Al, le Ga et l'In dont la composition atomique varie le long de l'épaisseur de la couche émissive, et/ou au moins deux couches émissives comprenant chacune un tel semi-conducteur, les compositions atomiques dudit élément étant différentes d'une couche à l'autre, • un dispositif (108) détecteur d'une longueur d'onde et d'une intensité d'une lumière émise par la diode, • une alimentation électrique à découpage (110) apte à alimenter la diode par un signal périodique comprenant un rapport cyclique a, • un dispositif (111) de commande de l'alimentation électrique à découpage apte à modifier a et une valeur crête du signal périodique en fonction des valeurs détectées et de valeurs cibles.
摘要翻译：本发明涉及一种发光器件（100），包括：发光二极管（102），其具有包含三元或四元半导体的发光层，所述三元或四元半导体包括来自元素周期表的第13列的化学元素，Al， Ga和In，并且具有在发光层的厚度上变化的原子组成，和/或每个包含这种半导体的至少两个发光层，元件的原子组成不同于一层; 用于检测由二极管发射的光的波长和强度的装置（108）; 开关型电源（110），其能够向所述二极管提供具有占空比α的周期性信号; 用于控制开关模式电源的装置（111），其可以根据检测值和目标值改变周期信号的α和峰值。

4. 发明公开

EP3438041A1 STRUCTURE SEMICONDUCTRICE COMPORTANT UNE MEMBRANE SUSPENDUE A PORTION CENTRALE STRUCTUREE EN EPAISSEUR 有权
公开(公告)号：EP3438041A1
公开(公告)日：2019-02-06
申请号：EP18186767.2
申请日：2018-08-01
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： REBOUD, Vincent , GASSENQ, Alban , TARDIF, Samuel , CALVO, Vincent , TCHELNOKOV, Alexei
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , H01S5/30
摘要： L'invention porte sur une structure semiconductrice (1) comportant une couche semiconductrice (10) réalisée en un composé semiconducteur cristallin, dont une partie de la couche semiconductrice (10) forme une membrane suspendue au-dessus d'une couche support (2), la membrane suspendue étant formée d'une portion centrale (20) contrainte en tension et de plusieurs portions latérales (30) formant des bras tenseurs. La portion centrale (20) comporte au moins une zone amincie (21) en épaisseur.

5. 发明授权

EP3151266B1 PROCEDE DE FORMATION D'UNE PORTION SEMICONDUCTRICE PAR CROISSANCE EPITAXIALE SUR UNE PORTION CONTRAINTE 有权
标题翻译：在约束部分上通过外延生长形成半导体部分的方法
公开(公告)号：EP3151266B1
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：EP16190980.9
申请日：2016-09-28
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： REBOUD, Vincent , GASSENQ, Alban , GUILLOY, Kévin , CALVO, Vincent , TCHELNOKOV, Alexei
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02
CPC分类号： H01L33/26 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02612 , H01L21/02656 , H01L21/2007 , H01L21/823412 , H01L21/823807 , H01L29/1054 , H01L29/7842 , H01L33/0012 , H01L33/005 , H01L33/0054 , H01L33/0095 , H01L33/105 , H01L33/20 , H01L2924/01032 , H01L2924/3511 , H01L2933/0033

6. 发明公开

EP3061316A1 DISPOSITIF EMISSIF LUMINEUX, DISPOSITIF ET PROCEDE D'AJUSTEMENT D'UNE EMISSION LUMINEUSE D'UNE DIODE ELECTROLUMINESCENTE A PHOSPHORE 审中-公开
标题翻译：发光器件，以及设备和方法用于设置与荧光体的发光二极管的发光
公开(公告)号：EP3061316A1
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：EP14789275.6
申请日：2014-10-24
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： ROBIN, Ivan-Christophe , TCHELNOKOV, Alexei , MOUREY, Bruno
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B37/0227 , H01L31/162 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/502 , H01L33/56 , H05B33/0815 , H05B33/0818 , H05B33/0851 , H05B33/0857 , Y02B20/346
摘要： The invention relates to a light-emitting device (100) comprising at least: a light-emitting diode (102) having an active zone (120) coupled to phosphor (103); a device (105) for detecting a spectrum and intensity of a light intended to be emitted by the light-emitting diode; a switched-mode electric power supply (110) for supplying the light-emitting diode electrically with a periodic signal having a duty factor α such that α ∈ ]0;1]; a device (111) for controlling the switched-mode electric power supply, which can alter a peak value and/or a period and/or a duty factor α of the periodic signal according to the spectrum and intensity of the light intended to be detected and according to target spectrum and intensity values.

7. 发明公开

EP3151265A1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE SEMICONDUCTRICE COMPORTANT UNE PORTION CONTRAINTE 有权
标题翻译： HERSTELLUNGSVERFAHREN EINER HALBLEITERSTRUKTUR，DIE EINEN SPANNABSCHNITT UMFASST
公开(公告)号：EP3151265A1
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：EP16190978.3
申请日：2016-09-28
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
发明人： GASSENQ, Alban , REBOUD, Vincent , GUILLOY, Kévin , CALVO, Vincent , TCHELNOKOV, Alexei
IPC分类号： H01L21/02 , H01S5/32 , H01S5/125 , H01L33/34 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/3201 , H01L21/02002 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/823412 , H01L29/1054 , H01L29/7842 , H01L33/0008 , H01L33/0012 , H01L33/0054 , H01L33/0095 , H01L33/105 , H01L33/20 , H01L33/26 , H01L2924/01032 , H01L2924/3511 , H01S5/021 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/3031 , H01S5/3223
摘要： L'invention porte sur un procédé de réalisation d'une structure semiconductrice (1) comportant une portion contrainte (40) et solidaire d'une couche support (30) par collage moléculaire, comportant les étapes dans lesquelles on réalise une cavité (21) située sous une partie structurée (11) de manière à contraindre une portion centrale (40) par des portions latérales (50), ainsi qu'une mise en contact et un collage moléculaire de la partie structurée (11) avec une couche support, le procédé étant caractérisé en ce qu'on effectue un recuit de consolidation, et on grave une partie distale (51) des portions latérales (50) vis-à-vis de la portion contrainte (40).
摘要翻译：一种制造半导体结构的方法，该半导体结构包括通过分子接合连接到支撑层的应变部分，包括其中产生位于结构部分下面的空腔以便通过侧向部分使中心部分变形的步骤，以及结构化部分与支撑层接触并分子结合，其中执行固结退火，并且蚀刻相对于应变部分的侧向部分的远端部分。

8. 发明授权

EP2092618B1 DISPOSITIF LASER A SOURCE LASER ET GUIDE D'ONDE COUPLES 有权转让
标题翻译：耦合激光源和光纤激光器结构
公开(公告)号：EP2092618B1
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：EP07847635.5
申请日：2007-12-03
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： GILET, Philippe , TCHELNOKOV, Alexei , FULBERT, Laurent
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/026 , H01S5/021 , H01S5/1028 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/14

9. 发明公开

EP2510391A1 DISPOSITIF DE COUPLAGE D'UNE ONDE ÉLECTROMAGNÉTIQUE ENTRE UN GUIDE D'ONDE ET UN GUIDE MÉTALLIQUE À FENTE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF, ET COUPLEUR OPTIQUE ET ÉLECTRIQUE D'UN OBJET UTILISANT LE DISPOSITIF DE COUPLAGE OPTIQUE 有权
标题翻译：装置用于联接之间的电磁波用于制造这种装置和光学电气连接器与光学耦合设备中的对象纤维和沟槽金属管理，流程
公开(公告)号：EP2510391A1
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：EP10799076.4
申请日：2010-12-07
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： DELACOUR, Cécile , BEN BAKIR, Badhise , FEDELI, Jean-Marc , TCHELNOKOV, Alexei
IPC分类号： G02B6/122
CPC分类号： G02B6/1226 , B82Y20/00
摘要： The electromagnetic wave coupling device comprises a wave guide (1) and a grooved metal guide (2). The grooved metal guide (2) is formed of two coplanar metal elements (3a, 3b) that are spaced apart from each other so as to form the groove. The grooved metal guide (2) is placed within a plane (P2) that is shifted relative to the plane (P1) of the wave guide (1) and partially covers said wave guide (1), said wave guide (1) and the grooved guide (2) being spaced apart from each other by means of a dielectric.

10. 发明公开

EP3629385A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE D'ÉMISSION DE LUMIÈRE INFRAROUGE COMPORTANT UNE COUCHE ACTIVE À BASE D'ÉTAIN-GERMANIUM 有权
公开(公告)号：EP3629385A1
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：EP19199589.3
申请日：2019-09-25
申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： REBOUD, Vincent , TCHELNOKOV, Alexei , WIDIEZ, Julie
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/50 , H01S5/04 , H01S5/183 , H01L33/08 , H01S5/343
摘要： L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (1) d'émission d'un rayonnement infrarouge (lambda2), comportant les étapes suivantes :
i) réalisation d'un premier empilement (10) comportant :
o une source lumineuse (11) d'excitation,
o une première sous-couche de collage (17) réalisée en un matériau métallique choisi parmi l'or, le titane et le cuivre,

ii) réalisation d'un deuxième empilement (20) comportant :

o une couche active (23) à base de GeSn ré-émetteur dans l'infrarouge (lambda2), obtenue par épitaxie à une température d'épitaxie (T epi ),
o une deuxième sous-couche de collage (25) réalisée en ledit matériau métallique,

iii) détermination d'une température d'assemblage (Tc) comprise entre une température ambiante (T amb ) et ladite température d'épitaxie, à 10% près, telle qu'une énergie surfacique de collage direct dudit matériau métallique est supérieure ou égale à 0,5 J/m 2 ;
iv) assemblage par collage direct, à ladite température d'assemblage, desdits empilements.

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