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1. 发明申请

WO2008074875A2 HETEROJONCTION A INTERFACE INTRINSEQUEMENT AMORPHE 审中-公开
标题翻译：与非线性界面异常
公开(公告)号：WO2008074875A2
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/EP2007/064373
申请日：2007-12-20
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) , ECOLE POLYTECHNIQUE , ROCA I CABARROCAS, Pere , DAMON-LACOSTE, Jérôme
发明人： ROCA I CABARROCAS, Pere , DAMON-LACOSTE, Jérôme
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/0745 , Y02E10/50
摘要： L'invention concerne une structure (100) pour applications photovoltaïques, comprenant : une première couche (10) en matériau semiconducteur cristallin présentant une face avant (1 ) pour recevoir et/ou émettre des photons et une face arrière (2); un contact arrière (40) en matériau conducteur situé du côté de la face arrière (2); caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une deuxième couche (50) en silicium-germanium amorphe hydrogéné (a-SiGe:H) entre la face arrière (2) de la première couche (10) et le contact arrière (40). L'invention concerne aussi un procédé pour réaliser une telle structure (100).
摘要翻译：本发明涉及一种用于光伏应用的结构（100），包括：晶体半导体材料的第一层（10），具有用于接收和/或发射光子的前面（1）和背面（2）; 设置在背面（2）侧的导电材料的背接触（40）; 其特征在于，还包括在所述第一层（10）的背面（2）和所述背接触（40）之间的氢化非晶硅 - 锗（a-SiGe：H）的第二层（50）。本发明还涉及一种用于实现所述结构（100）的方法。

2. 发明申请

WO2004070848A1 TRANSISTOR FOR ACTIVE MATRIX DISPLAY AND A METHOD FOR PRODUCING SAID TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：用于主动矩阵显示的晶体管和用于生成像素晶体管的方法
公开(公告)号：WO2004070848A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：PCT/EP2004/001107
申请日：2004-02-06
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) , ECOLE POLYTECHNIQUE , ROCA I CABARROCAS, Pere , VANDERHAGHEN, Régis , DREVILLON, Bernard
发明人： ROCA I CABARROCAS, Pere , VANDERHAGHEN, Régis , DREVILLON, Bernard
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66765 , H01L29/78603 , H01L29/78678
摘要： The invention concerns a transistor for active matrix display and a method for producing the said transistor (1). The transistor (1) comprises a microcrystalline silicon film (5) and an insulator (3). The crystalline fraction of the said microcrystalline silicon film (5) is above 80%. According to the invention, the transistor (1) comprises a plasma treated interface (4) located between the insulator (3) and the microcrystalline silicon film (5) so that the said transistor (1) has a linear mobility equal or superior to 1.5 cm2V-1s-1, shows threshold voltage stability and wherein the microcrystalline silicon film (5) comprises grains (6) whose size ranges between 10 nm and 400 nm. The invention concerns as well a display unit having a line-column matrix of pixels that are actively addressed, each pixel comprising at least a transistor as described above.
摘要翻译：本发明涉及用于有源矩阵显示的晶体管和用于产生所述晶体管（1）的方法。晶体管（1）包括微晶硅膜（5）和绝缘体（3）。所述微晶硅膜（5）的结晶部分高于80％。根据本发明，晶体管（1）包括位于绝缘体（3）和微晶硅膜（5）之间的等离子体处理的界面（4），使得所述晶体管（1）具有等于或优于1.5的线性迁移 cm2V-1s-1示出了阈值电压稳定性，其中微晶硅膜（5）包括尺寸在10nm和400nm之间的晶粒（6）。本发明还涉及具有被积极寻址的像素的行列矩阵的显示单元，每个像素至少包括如上所述的晶体管。

4. 发明公开

EP1604406A1 TRANSISTOR FOR ACTIVE MATRIX DISPLAY AND A METHOD FOR PRODUCING SAID TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：晶体管用于生产晶体管有源矩阵显示器和方法
公开(公告)号：EP1604406A1
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：EP04708761.4
申请日：2004-02-06
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) , ECOLE POLYTECHNIQUE
发明人： ROCA I CABARROCAS, Pere , VANDERHAGHEN, Régis , DREVILLON, Bernard
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66765 , H01L29/78603 , H01L29/78678
摘要： The invention concerns a transistor for active matrix display and a method for producing the said transistor (1). The transistor (1) comprises a microcrystalline silicon film (5) and an insulator (3). The crystalline fraction of the said microcrystalline silicon film (5) is above 80%. According to the invention, the transistor (1) comprises a plasma treated interface (4) located between the insulator (3) and the microcrystalline silicon film (5) so that the said transistor (1) has a linear mobility equal or superior to 1.5 cm2V-1s-1, shows threshold voltage stability and wherein the microcrystalline silicon film (5) comprises grains (6) whose size ranges between 10 nm and 400 nm. The invention concerns as well a display unit having a line-column matrix of pixels that are actively addressed, each pixel comprising at least a transistor as described above.

5. 发明公开

EP2801113A2 PROCÉDÉ DE PRODUCTION À BASSE TEMPÉRATURE DE NANOSTRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES À JONCTION RADIALE, DISPOSITIF A JONCTION RADIALE ET CELLULE SOLAIRE COMPRENANT DES NANOSTRUCTURES À JONCTION RADIALE 有权转让
标题翻译：方法的半导体纳米结构的径向转拨的低温生产，径向过渡设备和太阳能电池，与径向跃迁性纳米结构
公开(公告)号：EP2801113A2
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：EP13701815.6
申请日：2013-01-03
申请人： TOTAL MARKETING SERVICES , Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) , Ecole Polytechnique
发明人： YU, Linwei , ROCA I CABARROCAS, Pere
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/365 , H01L31/0352 , H01L31/042 , H01L31/075 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/24 , C30B9/10 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B29/60 , H01L29/786 , C30B29/08 , H01L21/02
CPC分类号： H01L31/182 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02422 , H01L21/02472 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/167 , H01L29/24 , H01L31/035227 , H01L31/035272 , H01L31/035281 , H01L31/075 , H01L31/077 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： The present invention relates to a method for the low-temperature production of radial electronic junction semiconductor nanostructures on a substrate (2), including the steps of: a) forming metal aggregates (2) on said substrate (2), said metal aggregates being capable of electronically doping a first semiconductor material; b) growing, in the vapor phase, doped semiconductor nanowires (1) in the presence of one or more non-dopant precursor gases of said first semiconductor material, the substrate (2) being heated to a temperature at which said metal aggregates are in the liquid phase, the growth of the doped semiconductor nanowires (1) in the vapor phase being catalyzed by said metal aggregates (3); c) rendering the residual metal aggregates (3) inactive; and d) the chemical vapor deposition, in the presence of one or more precursor gases and a dopant gas, of at least one thin film of a second semiconductor material so as to form at least one radial electronic junction nanostructure between said nanowire and said at least one doped thin film. The invention also relates to a solar cell including a plurality of radial electronic junction nanostructures produced according to the invention.

6. 发明公开

EP2126980A2 HETEROJONCTION A INTERFACE INTRINSEQUEMENT AMORPHE 审中-公开
标题翻译：带本非晶表面异质过渡
公开(公告)号：EP2126980A2
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：EP07857992.7
申请日：2007-12-20
申请人： Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) Etablissement Public à Caractère Scientifique et Technologique , Ecole Polytechnique
发明人： ROCA I CABARROCAS, Pere , DAMON-LACOSTE, Jérôme
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/0745 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to a structure (100) for photovoltaic applications including: a first layer (10) of a crystalline semiconductor material having a front face (1) for receiving and/or emitting photons and a back face (2); a back contact (40) of a conductive material provided on the side pf the back face (2); characterised in that it further comprises a second layer (50) of hydrogenated amorphous silicon-germanium (a-SiGe:H) between the back face (2) of the first layer (10) and the back contact (40). The invention also relates to a method for realising said structure (100).

7. 发明申请

WO2008052706A1 METHOD OF FORMING A FILM BY DEPOSITION FROM A PLASMA 审中-公开
标题翻译：通过从等离子体沉积形成薄膜的方法
公开(公告)号：WO2008052706A1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/EP2007/009306
申请日：2007-10-26
申请人： DOW CORNING CORPORATION , ECOLE POLYTECHNIQUE , ROCA I CABARROCAS, Pere , BULKIN, Pavel , DAINEKA, Dmitri , LEEMPOEL, Patrick , DESCAMPS, Pierre , KERVYN DE MEERENDRE, Thibault
发明人： ROCA I CABARROCAS, Pere , BULKIN, Pavel , DAINEKA, Dmitri , LEEMPOEL, Patrick , DESCAMPS, Pierre , KERVYN DE MEERENDRE, Thibault
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32678 , C23C16/24 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/45542 , C23C16/511 , C23C16/515 , H01J37/32192
摘要： A method is described of depositing film of an amorphous or microcrystalline material, for example silicon, from a plasma on to a substrate. Microwave energy is introduced into a chamber as a sequence of discrete microwave pulses, a film precursors gas is introduced into the chamber as a sequence of discrete gas pulses, and gas for generating atomic hydrogen is supplied to the chamber at least during each microwave pulse. Each microwave pulse is followed in non-overlapping fashion with a precursor gas pulse, and each precursor gas pulse is followed by a period during which there is neither a microwave pulse nor a precursor gas pulse.
摘要翻译：描述了将等离子体中的非晶或微晶材料（例如硅）的膜沉积到衬底上的方法。将微波能量作为一系列离散的微波脉冲被引入腔室中，将膜前体气体作为一系列离散的气体脉冲引入腔室中，并且至少在每个微波脉冲期间将产生原子氢的气体提供给腔室。每个微波脉冲以不重叠的方式跟随前体气体脉冲，并且每个前体气体脉冲之后是不存在微波脉冲和前体气体脉冲的周期。

8. 发明申请

WO2011023893A1 PROCEDE DE NETTOYAGE DE LA SURFACE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 审中-公开
标题翻译：清洁硅基材表面的方法
公开(公告)号：WO2011023893A1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/FR2010/051755
申请日：2010-08-23
申请人： ECOLE POLYTECHNIQUE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , ROCA I CABARROCAS, Pere , MORENO, Mario
发明人： ROCA I CABARROCAS, Pere , MORENO, Mario
IPC分类号： H01L31/18 , C30B33/12 , C30B29/06
CPC分类号： C30B33/12 , C30B29/06 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： L'invention concerne un procédé de nettoyage de la surface d'un substrat de silicium, ladite surface étant recouverte d'une couche d'oxyde de silicium. Selon l'invention, le procédé comprend une étape a) d'exposition de ladite surface à un plasma radiofréquence généré à partir d'un gaz fluoré, produisant le décapage de la couche d'oxyde de silicium, et générant l'adsorption d'éléments fluorés sur la surface du substrat de silicium, ladite exposition étant réalisée pendant une durée comprise entre 60 s et 900 s, la densité de puissance générée avec le plasma étant comprise entre 10 m W/cm 2 et 350 m W/cm 2 , la pression du gaz fluoré étant comprise entre 10 m Torr et 200 m Torr, et la température du substrat de silicium étant inférieure ou égale à 300° C, et une étape b) d'exposition de ladite surface comprenant les éléments fluorés à un plasma radiofréquence d'hydrogène, pour élimer lesdits éléments fluorés de la surface du substrat, ladite exposition étant réalisée pendant une durée comprise entre 5 s et 120 s, la densité de puissance générée avec le plasma étant comprise entre 10 m W/cm 2 et 350 m W/cm 2 , la pression d'hydrogène étant comprise entre 10 m Torr et 1 Torr, et la température du substrat de silicium étant inférieure ou égale à 300° C.
摘要翻译：本发明涉及清洗硅衬底表面的方法，所述表面被氧化硅层覆盖。根据本发明，所述方法包括以下步骤：a）将所述表面暴露于由氟化气体产生的射频等离子体，以剥离氧化硅层并诱导氟化元素在硅衬底的表面上的吸附，所述曝光持续时间为60〜900秒，使用等离子体产生的功率密度为10mW / cm 3〜350mW / cm 2，氟化气体压力为10mTorr〜200mTorrs，硅基板温度低于或等于300℃; 以及将包括氟化元素的所述表面暴露于氢射频等离子体的步骤b），以便从衬底表面去除所述氟化元素，所述曝光进行5至120秒的持续时间，使用等离子体为10mW / cm 2〜350mW / cm 2，氢压为10mTorr至1Torr，硅衬底温度低于或等于300℃。

9. 发明申请

WO2010063970A2 MODULE PHOTOVOLTAIQUE COMPRENANT UNE ELECTRODE TRANSPARENTE CONDUCTRICE D'EPAISSEUR VARIABLE ET PROCEDES DE FABRICATION D'UN TEL MODULE 审中-公开
标题翻译：透明导电电极厚变动及这种模块方法的光伏组件
公开(公告)号：WO2010063970A2
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/FR2009/052400
申请日：2009-12-03
申请人： ECOLE POLYTECHNIQUE , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , JOHNSON, Erik, V. , ROCA I CABARROCAS, Pere
发明人： JOHNSON, Erik, V. , ROCA I CABARROCAS, Pere
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/0392
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/046 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： L'invention concerne un module photovoltaïque (1 ) comprenant au moins deux cellules photovoltaïques (7, 7') en série, chaque cellule (7, 7') rectangulaire comprenant respectivement une première électrode arrière en couche mince (5, 5'), un empilement photovoltaïque d'au moins deux matériaux actifs (3) compris entre l'électrode arrière (5) et une électrode transparente conductrice (TC) en couche mince (4), ladite électrode TC (4, 4') étant apte à collecter et à transmettre un courant électrique (10, 10') généré par l'empilement photovoltaïque (3, 3'), les deux cellules photovoltaïques (7, 7') étant reliées électriquement en série par une bande de contact électrique (6) comprise entre l'électrode TC (4) de la première cellule (7) et l'électrode arrière (5') de la seconde cellule (7'). Selon l'invention, l'épaisseur locale (e) de l'électrode TC (4) de la cellule (7) varie en fonction de la distance à la bande de contact électrique (6). L'invention concerne également des procédés de dépôt et de gravure de la couche transparente conductrice (TC) pour fabriquer simultanément plusieurs cellules (7, 7', 7"...) d'un même module (1 ).
摘要翻译：本发明涉及包括串联的至少两个光伏电池（7,7'）的光电模块（1），每个矩形电池（7,7'）分别包括第一薄膜电极（5,5'），位于所述后电极（5）之间的至少两种活性材料（3）的光伏堆叠; 和薄层（4）中的透明导电电极（TC），所述TC电极（4,4'）适合使用收集和＆gt; 一般传输电流（10,10'）。通过堆叠光伏＆IUML;作为（3，3 '），所述两个光伏＆IUML细胞; C（7,7'）é如由接触条é电连接éESé电以s E系列（6）在第一电池（7）的电极TC（4）和第二电池（7'）的后电极（5'）之间。根据本发明，电池（7）的电极TC（4）的局部厚度（e）作为距离Δ的函数而变化。电接触条（6）。本发明还涉及蚀刻和蚀刻导电透明层（TC）以同时产生多个单元（7,7'，7“......）的方法。一个偶数模块（1）。

10. 发明申请

WO2008053271A1 DEPOSITION OF AMORPHOUS SILICON FILMS BY ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE 审中-公开
标题翻译：通过电子循环谐振沉积非晶硅膜
公开(公告)号：WO2008053271A1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/IB2006/003960
申请日：2006-11-14
申请人： DOW CORNING CORPORATION , ECOLE POLYTECHNIQUE , ROCA I CABARROCAS, Pere , BULKIN, Pavel , DAINEKA, Dmitri , DAO, Thien Hai , LEEMPOEL, Patrick , DESCAMPS, Pierre , KERVYN DE MEERENDRE, Thibault
发明人： ROCA I CABARROCAS, Pere , BULKIN, Pavel , DAINEKA, Dmitri , DAO, Thien Hai , LEEMPOEL, Patrick , DESCAMPS, Pierre , KERVYN DE MEERENDRE, Thibault
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/511 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/24 , H01J37/32192 , H01J37/32678
摘要： A method is described for forming a film of amorphous silicon (a-Si:H) on a substrate by deposition from a plasma. The substrate is placed in an enclosure, a film precursor gas is introduced into the enclosure, and unreacted and dissociated gas is extracted from the enclosure so as to provide a low pressure in the enclosure. Microwave energy is introduced into the gas within the enclosure to produce a plasma therein by distributed electron cyclotron resonance (DECR) and cause material to be deposited from the plasma on the substrate. The substrate is held during deposition at a temperature in the range 200-600°C, preferably 225-350°C and a bias voltage is applied to the substrate at a level to give rise to a sheath potential in the range -30 to -105V, preferably using a source of RF power in the range of 50-250 mW/cm2 of the area of the substrate holder.
摘要翻译：描述了通过从等离子体沉积而在衬底上形成非晶硅膜（a-Si：H）的方法。将基板放置在外壳中，将膜前体气体引入外壳中，并且从外壳中提取未反应和解离的气体，以便在外壳中提供低压。将微波能量引入外壳内的气体中，通过分布式电子回旋共振（DECR）在其中产生等离子体，并使材料从衬底上的等离子体沉积。衬底在沉积期间在200-600℃，优选225-350℃的温度下保持，并且将偏置电压施加到衬底上，以产生在-30至 - 105V，优选地使用在衬底保持器的面积的50-250mW / cm 2的范围内的RF功率的源。

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