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1. 发明申请

WO2015114043A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SPIEGELELEMENTS 审中-公开
标题翻译：一种用于生产的镜元件
公开(公告)号：WO2015114043A1
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：PCT/EP2015/051791
申请日：2015-01-29
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , ENKISCH, Hartmut , HUBER, Peter , STROBEL, Sebastian
发明人： ENKISCH, Hartmut , HUBER, Peter , STROBEL, Sebastian
IPC分类号： G02B5/08 , G02B5/09 , G21K1/06
CPC分类号： G03F7/702 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B5/09 , G02B26/0833 , G21K1/062 , G21K2201/064
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Spiegelelements, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Ein erfindungsgemäßes Verfahren weist folgende Schritte auf: Bereitstellen eines Substrats (101, 102, 103, 104, 201, 202, 301, 302, 401, 402, 501, 502, 801, 901, 951, 961) und Ausbilden eines Schichtstapels (111, 112, 113, 114, 211, 212, 311, 312, 411, 412, 511, 512) auf dem Substrat, wobei das Ausbilden des Schichtstapels derart erfolgt, dass eine für eine vorgegebene Betriebstemperatur gewünschte Soll-Krümmung des Spiegelelements durch eine von dem Schichtstapel ausgeübte Biegekraft erzeugt wird, wobei das Substrat vor dem Ausbilden des Schichtstapels eine von dieser Soll-Krümmung des Spiegelelements abweichende Krümmung besitzt, und wobei die von dem Schichtstapel ausgeübte Biegekraft zumindest teilweise dadurch erzeugt wird, dass eine Nachbehandlung zur Veränderung der Schichtspannung des Schichtstapels durchgeführt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种制造反射镜元件，特别是用于微光刻投射曝光设备的方法。本发明的方法包括以下步骤：提供衬底（101，102，103，104，201，202，301，302，401，402，501，502，801，901，951，961）以及形成的层堆叠（111 ，112，113，114，211，212，311，312，411，412，511，512）的衬底，层堆叠，其中形成上执行，使得通过一个期望的反射镜元件的一个预定的工作温度所需的曲率弯曲所施加的层堆叠上的力被形成，其中所述层堆叠的成形前基板，所述具有从曲率反射镜元件的期望的曲率偏离，并且其中由所述层堆叠施加的弯曲力是通过具有用于改变所述层堆叠的膜应力的后处理至少部分地形成执行。

2. 发明申请

WO2018134077A1 SPIEGEL, INSBESONDERE FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE ODER EIN INSPEKTIONSSYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2018134077A1
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：PCT/EP2018/050403
申请日：2018-01-09
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , HUBER, Peter
发明人： HUBER, Peter
IPC分类号： G02B5/08 , G02B27/00 , G03F7/20
摘要： Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage oder ein Inspektionssystem, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche aufweist, mit einem Spiegelsubstrat (205), einer Reflexionsschicht (220), welche derart ausgestaltet ist, dass der Spiegel für elektromagnetische Strahlung einer vorgegebenen Arbeitswellenlänge, welche auf die optische Wirkfläche (200a) unter einem auf die jeweilige Oberflächennormale bezogenen Einfallswinkel von wenigstens 65° auftrifft, eine Reflektivität von wenigstens 50% besitzt, und einem Bremsschichtsystem (210), welches zwischen der Reflexionsschicht (220) und dem Spiegelsubstrat (205) angeordnet ist und eine alternierende Folge von Schichtlagen aus einem ersten Material und wenigstens einem zweiten Material aufweist, wobei das Bremsschichtsystem (210) ein Durchdringen von Wasserstoffatomen bis zum Spiegelsubstrat (205) im Vergleich zu einem analogen Aufbau ohne das Bremsschichtsystem (210) um wenigstens einen Faktor 10 reduziert.

3. 发明申请

WO2017102256A1 REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT 审中-公开
标题翻译：反射光学元件
公开(公告)号：WO2017102256A1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：PCT/EP2016/078343
申请日：2016-11-21
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , HUBER, Peter
发明人： HUBER, Peter
IPC分类号： G03F1/24 , G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F1/24 , G03F1/84 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/065
摘要： Die Erfindung betrifft ein reflektives optisches Element, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage oder eine Maskeninspektionsanlage. Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist das refiektive optische Element eine optische Wirkfläche, ein Substrat (405, 505), ein Reflexionsschichtsystem (410, 510) und wenigstens eine poröse Ausgasschicht (450, 550) auf, welche bei Bestrahlung der optischen Wirkfläche (400a, 500a) mit elektromagnetischer Strahlung zumindest zeitweise in der Ausgasschicht (450, 550) adsorbierte Teilchen freisetzt.
摘要翻译：反射光学元件技术领域本发明涉及一种反射光学元件，特别是用于微光刻投影曝光设备或掩模检测系统。宝石＆AUML;大街澈，衬底（405，505），反射层系统（410，510）和至少一个POR＆OUML;本发明中，refiektive光学元件，光学Wirkfl＆AUML的一个方面本身Ausgasschicht（450，550），其在所述光学Wirkfl＆照射AUML 具有电磁辐射的表面（400a，500a）至少暂时释放吸气在释气层（450,550）中的颗粒。

4. 发明申请

WO2011091891A2 ARRANGEMENT FOR AND METHOD OF CHARACTERISING THE POLARISATION PROPERTIES OF AN OPTICAL SYSTEM 审中-公开
标题翻译：表征光学系统偏振特性的方法和方法
公开(公告)号：WO2011091891A2
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/EP2010/068713
申请日：2010-12-02
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , HEMPELMANN, Uwe , MENGEL, Markus , HUBER, Peter
发明人： HEMPELMANN, Uwe , MENGEL, Markus , HUBER, Peter
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/7085 , G03F7/70566
摘要： The invention concerns an arrangement for and a method of characterising the polarisation properties of an optical system, in particular an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, comprising at least one polarisation state generator (130, 230, 330) which sets a defined polarisation state of radiation incident on the optical system, and a polarisation state detector (140, 240, 340) adapted to measure the exit polarisation state of radiation issuing from the optical system, wherein the optical system is designed for a working wavelength of less than 15 nm, and wherein the polarisation state generator and/or the polarisation state detector are so designed that their polarisation-optical action on an incident light beam is substantially constant over an angle spectrum of said light beam of at least 10°.
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征光学系统的偏振特性的装置和方法，特别是微光刻投影曝光装置的光学系统，其包括至少一个偏振状态发生器（130,230,330），其设定限定的偏振入射在光学系统上的辐射状态和适于测量从光学系统发出的辐射的出射极化状态的偏振状态检测器（140,240,340），其中该光学系统被设计用于小于15的工作波长 nm，并且其中所述偏振状态发生器和/或所述偏振状态检测器被设计成使得其对入射光束的偏振光学作用在至少10°的所述光束的角度光谱上基本上是恒定的。

5. 发明申请

WO2018188876A1 WELLENFRONTKORREKTURELEMENT ZUR VERWENDUNG IN EINEM OPTISCHEN SYSTEM 审中-公开
公开(公告)号：WO2018188876A1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：PCT/EP2018/056353
申请日：2018-03-14
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , HUBER, Peter
发明人： HUBER, Peter
IPC分类号： G03F7/20 , G02B26/06
摘要： Die Erfindung betrifft ein Wellenfrontkorrekturelement zur Verwendung in einem optischen System, insbesondere in einem optischen System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit einem Substrat (220, 230), einer auf dem Substrat (220, 230) vorgesehenen Anordnung von elektrisch leitenden Leiterbahnen (222, 232), wobei eine Wellenfront von auf das Wellenfrontkorrekturelement auftreffender elektromagnetischer Strahlung durch elektrische Ansteuerung der Leiterbahnen (222, 232) manipulierbar ist, und einer Isolierschicht (221, 231), welche die Leiterbahnen gegeneinander elektrisch isoliert, wobei die Isolierschicht (221, 231) erste Bereiche und zweite Bereiche aufweist, wobei die elektrische Durchbruchsfestigkeit der Isolierschicht (221, 231) gegen einen Durchbruch elektrischer Ladung durch die Isolierschicht (221, 231) hindurch bis zu der Anordnung von Leiterbahnen (222, 232) in den zweiten Bereichen um wenigstens einen Faktor zwei kleiner ist als in den ersten Bereichen.

6. 发明申请

WO2015062919A1 SPIEGEL, INSBESONDERE FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译： MIRROR，尤其是对于微光刻投射曝光设备
公开(公告)号：WO2015062919A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/EP2014/072576
申请日：2014-10-21
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , HUBER, Peter
发明人： HUBER, Peter
IPC分类号： G03F7/20 , G02B1/10 , G21K1/06 , G02B5/08 , G02B5/28 , C23C28/00
CPC分类号： G03F7/702 , C23C8/20 , C23C28/322 , C23C28/341 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G02B5/085 , G02B5/0891 , G02B5/28 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G03F7/70983 , G21K1/062 , G21K2201/067
摘要： Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Ein erfindungsgemäßer Spiegel weist eine optische Wirkfläche (10a), ein Spiegelsubstrat (11) und einen Reflexionsschichtstapel (12) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (10a) auftreffender elektromagnetischer Strahlung auf, wobei auf der der optischen Wirkfläche (10a) zugewandten Seite des Reflexionsschichtstapels (12) eine metallische Diffusionsbarriereschicht (13) angeordnet ist, wobei auf der der optischen Wirkfläche (10a) zugewandten Seite dieser Diffusionsbarriereschicht (13) eine Stabilisierungsschicht (14) angeordnet ist, welche bei Bestrahlung der optischen Wirkfläche (10a) mit elektromagnetischer Strahlung eine Deformation der Diffusionsbarriereschicht (13) im Vergleich zu einem analogen Aufbau ohne diese Stabilisierungsschicht (14) reduziert, wobei diese Stabilisierungsschicht (14) eine Porosität aufweist, wobei für die Stabilisierungsschicht (14) die relative Dichte, welche als Verhältnis aus geometrischer Dichte und Reindichte definiert ist, nicht mehr als 80% beträgt.
摘要翻译：本发明涉及一种反射镜，特别是用于微光刻投射曝光设备。根据本发明的反射镜具有一个光学有效区域（10a）中，反射镜衬底（11）和用于反射到入射的电磁辐射的光学活性表面（10A），一个反射层堆叠（12），其中，在朝向所述反射层堆叠的一侧的光学有效区域（10a）的（12）的金属扩散阻挡层（13）布置，在其中，所述扩散阻挡层（13）的面对的一侧的光学活性表面（10A）包括具有变形的电磁辐射的稳定层（14）被布置，在光学有效区域（10A）的照射扩散阻挡层（13）在没有稳定层（14）具有类似的结构相比，减少，所述稳定层（14）具有的孔隙率，其中，所述稳定化层（14），相对密度，其被定义为几何密度和真密度之比，没有人第80％。

7. 发明申请

WO2012156394A1 REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT AND OPTICAL SYSTEM FOR EUV LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：反射光学元件和光学系统的EUV LITHOGRAPHY
公开(公告)号：WO2012156394A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/EP2012/058997
申请日：2012-05-15
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , EHM, Dirk Heinrich , HUBER, Peter , MUELLENDER, Stephan , BLANCKENHAGEN, Gisela von
发明人： EHM, Dirk Heinrich , HUBER, Peter , MUELLENDER, Stephan , BLANCKENHAGEN, Gisela von
IPC分类号： G02B1/10 , G02B5/08 , G02B27/00 , G02B19/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2008 , B82Y10/00 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G02B5/0891 , G02B19/0095 , G02B27/0006 , G03F7/2004 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067 , Y10T428/265
摘要： In order to reduce the negative influence of reactive hydrogen on the lifetime of a reflective optical element, particularly inside an EUV lithography device, there is proposed for the extreme ultraviolet and soft X-ray wavelength region a reflective optical element (50) having a reflective surface with a multilayer system (51 ) and in the case of which the reflective surface (60) has a protective layer system (59) with an uppermost layer (56) composed of silicon carbide or ruthenium, the protective layer system (59) having a thickness of between 5 nm and 25 nm.
摘要翻译：为了减少反应性氢对反射型光学元件的寿命的负面影响，特别是在EUV光刻设备内，提出了极紫外和软X射线波长区域的反射光学元件（50），其具有反射具有多层系统（51）的表面，并且在反射表面（60）具有由碳化硅或钌构成的最上层（56）的保护层系统（59）的情况下，保护层系统（59）具有在5nm和25nm之间的厚度。

8. 发明申请

WO2013131648A1 MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE, METHOD FOR PRODUCING SUCH A MIRROR, AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS COMPRISING SUCH A MIRROR 审中-公开
标题翻译：用于EUV波长范围的镜子，用于生产这种镜子的方法以及包含这种镜子的投影曝光装置
公开(公告)号：WO2013131648A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：PCT/EP2013/000663
申请日：2013-03-06
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： HUBER, Peter , VON BLANCKENHAGEN, Gisela
IPC分类号： G21K1/06
CPC分类号： G03F7/702 , B82Y10/00 , C23C14/06 , C23C14/35 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G21K1/062
摘要： The invention relates to a mirror (1) for the EUV wavelength range having a reflectivity of greater than 40% for at least one angle of incidence of between 0° and 25°, comprising a substrate (S) and a layer arrangement, wherein the layer arrangement comprises at least one non-metallic individual layer (B, H, M), and wherein the non-metallic individual layer (B, H, M) has a doping with impurity atoms of between 10 ppb and 10%, in particular between 100 ppb and 0.1%, such that a charge carrier density of greater than 6*10 10 cm -3 and/or an electrical conductivity of greater than 1*10 -3 S/m, in particular a charge carrier density of greater than 6*10 13 cm -3 and/or an electrical conductivity of greater than 1 S/m, are/is afforded for the non-metallic individual layer (B, H, M).
摘要翻译：本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜（1），其具有在0°至25°之间的至少一个入射角大于40％的反射率，包括基底（S）和层布置，其中层布置包括至少一个非金属单层（B，H，M），并且其中非金属单层（B，H，M）具有掺杂在10ppb至10％之间的杂质原子，特别是在100ppb和0.1％之间，使得大于6×10 10 cm -3的电荷载流子密度和/或大于1×10-3S / m的电导率，特别是大于6的电荷载流子密度对于非金属单层（B，H，M），可以提供* 1013cm-3和/或大于1S / m的电导率。

9. 发明申请

WO2017202579A1 OPTISCHES ELEMENT UND EUV-LITHOGRAPHIESYSTEM 审中-公开
标题翻译：光学元件和EUV光刻系统
公开(公告)号：WO2017202579A1
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：PCT/EP2017/060481
申请日：2017-05-03
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： HUBER, Peter , GONCHAR, Anastasia
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06 , G02B27/00 , G02B1/18
CPC分类号： G03F7/70316 , B82Y20/00 , G02B1/18 , G02B27/0006 , G03F7/70916 , G21K1/062 , G21K2201/067
摘要： Die Erfindung betrifft ein optisches Element (1) zur Reflexion von EUV- Strahlung (4), umfassend: ein Substrat (2), eine auf dem Substrat (2) gebildete Beschichtung (3) zur Reflexion von EUV-Strahlung (4), wobei die Beschichtung (3) eine Deckschicht (6) mit einer dem Substrat (2) abgewandten Oberfläche aufweist. Zumindest an der Oberfläche der Deckschicht (6) ist eine Oberflächenstruktur gebildet, die Nanostrukturen aufweist, wobei die Nanostrukturen als säulenartige Nanostrukturen ausgebildet sind oder es sich bei den Nanostrukturen um Nanofasern handelt, die ein faserartiges Netzwerk bilden.
摘要翻译：
本发明涉及的光学元件（1），用于EUV辐射（4）的反射，包括：形成在衬底（2）涂层（3），用于反射在基板（2） EUV辐射（4），其中所述涂层（3）具有覆盖层（6），所述覆盖层具有背向所述基底（2）的表面。至少在覆盖层的表面BEAR表面（6）形成具有纳米结构chenstruktur表面BEAR，其中所述纳米结构为s BEAR。形成ulenartige纳米结构或它是纳米纤维是在该形成纤维状网络

10. 发明申请

WO2017207264A1 MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE 审中-公开
标题翻译： EUV波长范围的镜子
公开(公告)号：WO2017207264A1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：PCT/EP2017/061697
申请日：2017-05-16
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： WEBER, Joern , GRASSE, Christian , STROBEL, Sebastian , HUBER, Peter
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06 , G02B5/08
CPC分类号： G03F7/70958 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G21K1/062
摘要： The invention relates to a mirror (S1, S2) for the EUV wavelength range and a projection lens (4) and illumination system (3) for microlithography comprising such a mirror (S1, S2). Furthermore, the invention relates to a projection exposure apparatus (1) for microlithography comprising such a projection lens (4) and/or such an illumination system (3). A mirror for the EUV wavelength range (S1, S2) according to the invention comprises a substrate and a layer arrangement, wherein the layer arrangement (X) comprises a reflective layer system (RL) having at least one layer subsystem (Ρ') and a protective layer system (SPL) protecting the substrate, wherein the protective layer system (SPL) comprises a periodical sequence of at least two periods (P SPL ), consisting of in each case two individual layers (AZ, R), characterized in that the first individual layer (AZ) of the period (P SPL ) simultaneously protects the substrate by absorbing the EUV radiation and compensates for layer stresses in the layer arrangement (X), and the respective second individual layer (R) reduces the surface roughness of the protective layer system (SPL) by smoothing the surface roughness of the first individual layer (AZ).
摘要翻译：本发明涉及用于EUV波长范围的反射镜（S1，S2）以及包括这种反射镜（S1，S2）的用于微光刻的投影透镜（4）和照明系统（3）。此外，本发明涉及包括这种投影透镜（4）和/或这种照明系统（3）的用于微光刻的投影曝光设备（1）。根据本发明的用于EUV波长范围（S1，S2）的反射镜包括衬底和层布置，其中层布置（X）包括具有至少一个层子系统（P'）的反射层系统（RL）和保护基底的保护层系统（SPL），其中保护层系统（SPL）包括至少两个周期（P SPL）的周期性序列，其分别由两个单独的层（AZ ，其特征在于，周期的第一单层（AZ）通过吸收EUV辐射同时保护衬底并补偿层布置（X）中的层应力，并且相应的第二单层（R）通过平滑第一单层（AZ）的表面粗糙度来降低保护层系统（SPL）的表面粗糙度。

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