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    • 1. 发明申请
    • pHEMT with barrier optimized for low temperature operation
    • pHEMT具有针对低温操作优化的阻挡层
    • US20060220062A1
    • 2006-10-05
    • US11100095
    • 2005-04-05
    • Bruce GreenOlin HartinEllen LanPhilip LiMonte MillerMatthias PasslackMarcus RayCharles Weitzel
    • Bruce GreenOlin HartinEllen LanPhilip LiMonte MillerMatthias PasslackMarcus RayCharles Weitzel
    • H01L29/739
    • H01L29/7785
    • In one embodiment, a semiconductor device (500) includes a buffer layer (504) formed over a substrate (502). An AlxGa1-xAs layer (506) is formed over the buffer layer (504) and has a first doped region (508) formed therein. An InxGa1-xAs channel layer (512) is formed over the AlxGa1-xAs layer (506). An AlxGa1-xAs layer (518) is formed over the InxGa1-xAs channel layer (512), and the AlxGa1-xAs layer (518) has a second doped region formed therein. A GaAs layer (520) having a first recess is formed over the AlxGa1-xAs layer (518). A control electrode (526) is formed over the AlxGa1-xAs layer (518). A doped GaAs layer (524) is formed over the undoped GaAs layer (520) and on opposite sides of the control electrode (526) and provides first and second current electrodes. When used to amplify a digital modulation signal, the semiconductor device (500) maintains linear operation over a wide temperature range.
    • 在一个实施例中,半导体器件(500)包括形成在衬底(502)上的缓冲层(504)。 在缓冲层(504)之上形成Al x Ga 1-x As层(506),并且在其中形成有第一掺杂区域(508)。 在Al x Ga 1-x 上形成一个In 1 / x Ga 1-x As As沟道层(512) >作为层(506)。 在In 1 x 1 Ga 1-x N上形成Al x Ga 1-x As层(518) 作为沟道层(512)和Al x Ga 1-x As层(518)具有形成在其中的第二掺杂区域。 具有第一凹陷的GaAs层(520)形成在Al 1 Ga 1-x As层(518)上。 控制电极(526)形成在Al 1 Ga 1-x As As层(518)上。 在未掺杂的GaAs层(520)上和控制电极(526)的相对侧上形成掺杂GaAs层(524),并提供第一和第二电流电极。 当用于放大数字调制信号时,半导体器件(500)在宽的温度范围内保持线性操作。