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1. 发明申请

WO2012079855A2 ELECTRONIC ASSEMBLY COMPRISING AN IMPROVED SINTER CONNECTION 审中-公开
标题翻译：具有改进的烧结矿有关的电子组件
公开(公告)号：WO2012079855A2
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/EP2011069662
申请日：2011-11-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , WOLDE-GIORGIS DANIEL , KALICH THOMAS , SUESKE ERIK
发明人： WOLDE-GIORGIS DANIEL , KALICH THOMAS , SUESKE ERIK
IPC分类号： H01L23/492
CPC分类号： H01L23/13 , H01L23/49513 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/562 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/26175 , H01L2224/29011 , H01L2224/29015 , H01L2224/29018 , H01L2224/29023 , H01L2224/29083 , H01L2224/29339 , H01L2224/32014 , H01L2224/32221 , H01L2224/33181 , H01L2224/8384 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/1203 , H01L2924/15747 , H01L2924/3512 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
摘要： The invention relates to an electronic assembly comprising a base part (2), in particular a substrate, at least one electronic component (3), in particular a chip that is located on the base part (2), and a sinter connection (4) that connects the electronic component (3) to the base part (2). The sinter connection (4) is provided in sheet form between the base part (2) and the electronic component (3) and one edge (3) of the component is at least partially devoid of the sinter connection (4).
摘要翻译：本发明涉及一种电子组件，包括特别是其中设置在基座部分（2）的芯片，和烧结化合物（4）含有（2），特别是衬底，至少一个电子元件（3），一个基体部分电子元件（3）与所述基体部分（2），其中，所述烧结化合物（4）是基座部分（2）和电子部件（3），并且其中一个部件的边缘（3）至少部分地暴露之间平（从烧结化合物 4）。

2. 发明专利

DE102016202229A1 Verfahren zum Ausbilden einer Lötverbindung und Verwendung des Verfahrens 未知
公开(公告)号：DE102016202229A1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：DE102016202229
申请日：2016-02-15
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SUESKE ERIK , HERBERHOLZ TIMO , FEIL DANIEL , FIX ANDREAS
IPC分类号： B23K1/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden einer Lötverbindung, wobei zwischen einem Trägerelement (4) und einem mit dem Trägerelement (4) zu verbindenden Bauteil (1) eine metallische Gitterstruktur (10) und zwischen der Gitterstruktur (10) und dem Bauteil (1) eine Lötschicht (8) angeordnet wird, die durch den Wärmeeintrag beim Lötprozess verflüssigt wird und dabei Hohl- oder Zwischenräume (18, 21) der Gitterstruktur (10) ausfüllt. Erfindungsgemäß ist es vorgesehen, dass zusätzlich zwischen der Gitterstruktur (10) und dem Trägerelement (4) eine zusätzliche Lötschicht (9) angeordnet wird.

3. 发明专利

DE102015205695A1 Halbleiterbauelement und Kontaktanordnung 未知
公开(公告)号：DE102015205695A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：DE102015205695
申请日：2015-03-30
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SUESKE ERIK , ORSO STEFFEN , RUESCHENSCHMIDT KATHRIN , ROSINUS ARNO , GRIEB MICHAEL , KENNTNER JOHANNES
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/60 , H01L23/488
摘要： Die Erfindung betrifft Halbleiterbauelement, insbesondere ein Leistungshalbleiterbauelement, mit einer Halbleitermaterialebene umfassend zumindest zwei Dotierbereiche von unterschiedlicher Leitfähigkeit. Ferner umfasst das Halbleiterbauelement eine Metallisierungsebene, wobei die Metallisierungsebene auf der Halbleitermaterialebene angeordnet ist und die zumindest zwei Dotierbereiche elektrisch kontaktiert. Zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements mit einem Kontaktelement ist die Metallisierungsebene in zumindest einem Bereich als Außenkontakt ausgebildet. Ferner umfasst die Metallisierungsebene zumindest eine Schicht aus Neusilber.

4. 发明专利

DE102014219229A1 Kontaktsystem mit einem Schaltungsträger und einer nietverbundenen Stromschiene 未知
公开(公告)号：DE102014219229A1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：DE102014219229
申请日：2014-09-24
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SENTUERK TUNCAY , SUESKE ERIK , ORSO STEFFEN , BAER ALEXANDER , KIENZLE UTA , BARSUKOVA TATIANA , KEIL MANUELA
IPC分类号： H01R12/51 , H01R4/06
摘要： Die Erfindung betrifft ein Kontaktsystem. Das Kontaktsystem weist einen Schaltungsträger, insbesondere einen keramischen und/oder metallischen Schaltungsträger auf. Der Schaltungsträger weist wenigstens eine elektrisch isolierende Schicht und wenigstens eine mit der elektrisch isolierenden Schicht verbundene elektrisch leitfähige Schicht auf. Erfindungsgemäß ist die elektrisch leitfähige Schicht mit einem Endabschnitt einer Stromschiene mittels wenigstens eines Nietelements verbunden. Der Endabschnitt der Stromschiene weist einen Durchbruch für das Nietelement auf, wobei das Nietelement in dem Durchbruch der Stromschiene angeordnet ist und das Nietelement ausgebildet ist, die Stromschiene formschlüssig gegen die elektrisch leitfähige Schicht zu pressen, wobei der Schaltungsträger mit der Stromschiene mittels des Nietelements derart verbunden ist, dass die elektrisch leitfähige Schicht und der Endabschnitt in einem Überlappungsbereich einander überlappen, wobei die Stromschiene und die elektrisch leitfähige Schicht auf dem Überlappungsbereich einander berührend elektrisch verbunden sind.

5. 发明专利

DE102015205695B4 Halbleiterbauelement, Kontaktanordnung und Verfahren zur Herstellung 未知
公开(公告)号：DE102015205695B4
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：DE102015205695
申请日：2015-03-30
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SUESKE ERIK , ORSO STEFFEN , RUESCHENSCHMIDT KATHRIN , ROSINUS ARNO , GRIEB MICHAEL , KENNTNER JOHANNES
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/60 , H01L23/488
摘要： Halbleiterbauelement (100) mit einer Halbleitermaterialebene (20) umfassend zumindest zwei Dotierbereiche (20') von unterschiedlicher Leitfähigkeit, und mit einer Metallisierungsebene (30), wobei die Metallisierungsebene (30) auf der Halbleitermaterialebene (20) angeordnet ist und die zumindest zwei Dotierbereiche (20') elektrisch kontaktiert und zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauelements (100) mit einem Kontaktelement (40, 45, 51, 52, 100') die Metallisierungsebene (30) in zumindest einem Bereich als Außenkontakt (11.1, 11.2, 12.1) ausgebildet ist, wobei die Metallisierungsebene (30) zumindest eine Schicht (10) aus Neusilber umfasst, und wobei die Metallisierungsebene (30) in zumindest einem Bereich aus mehreren übereinander angeordneten Schichten gebildet ist, umfassend eine einzige Schicht (10) aus Neusilber und zumindest eine weitere Schicht (30') aus AI, aus Au, aus Cu, aus Ni, aus Ag oder einer deren Legierungen, wobei die einzige Schicht (10) aus Neusilber auf der zumindest einen weiteren Schicht (30') als abschließende Schicht in dem zumindest einen Bereich des Außenkontaktes angrenzend angeordnet ist.

6. 发明专利

DE102014221142A1 Modul mit Sinteranbindung 未知
公开(公告)号：DE102014221142A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：DE102014221142
申请日：2014-10-17
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： WOLDE-GIORGIS DANIEL , SUESKE ERIK , ORSO STEFFEN , BARSUKOVA TATIANA , SCHOSER SIEGMAR , GEINITZ ECKART , GUENTHER MICHAEL
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/13 , H01L23/367 , H01L29/739
摘要： Modul (1) mit mindestens einem Leistungshalbleiter (10) und einem Gehäuse (14), wobei der mindestens eine Leistungshalbleiter (10) innerhalb des Gehäuses (14) angeordnet ist, wobei an einer ersten Oberfläche einer ersten Seite des mindestens einen Leistungshalbleiters (10) ein erster Kontakt (11) angeordnet ist, wobei der erste Kontakt (11) des mindestens einen Leistungshalbleiters (10) mit einer ersten Zuleitung (21) elektrisch verbunden ist, wobei die erste Zuleitung (21) bereichsweise außerhalb des Gehäuses (14) angeordnet ist, wobei die erste Oberfläche der ersten Seite des mindestens einen Leistungshalbleiters (10) mittels einer Bondverbindung mit einer zweiten Zuleitung (23) elektrisch verbunden ist, wobei die zweite Zuleitung (23) bereichsweise außerhalb des Gehäuses (14) angeordnet ist, wobei ein Bereich der ersten Zuleitung (21), der außerhalb des Gehäuses (14) angeordnet ist abschnittsweise mittels einer Sinterverbindung (19) mit einem ersten Außenkontakt (22) verbunden ist und ein Bereich der zweiten Zuleitung (23), der außerhalb des Gehäuses (14) angeordnet ist abschnittsweise mit einem zweiten Außenkontakt (24) verbunden ist, insbesondere mittels einer Lötverbindung oder einer Schweißverbindung oder einer Sinterverbindung (20).

7. 发明专利

DE102014211562A1 Halbleiteranordnung mit einer Wärmesenke 未知
公开(公告)号：DE102014211562A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：DE102014211562
申请日：2014-06-17
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SUESKE ERIK , SUENNER THOMAS , GEINITZ ECKART , KIENZLE UTA
IPC分类号： H01L23/36
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung. Die Halbleiteranordnung weist wenigstens einen Leistungshalbleiter auf. Die Halbleiteranordnung weist auch ein flach ausgebildetes Substrat auf, wobei der Leistungshalbleiter mit dem Substrat elektrisch und wärmeleitfähig verbunden ist. Das Substrat ist mit einer Wärmesenke wärmeleitfähig verbunden. Erfindungsgemäß weist das Substrat eine elektrisch isolierende Schicht und einen mit der elektrisch isolierenden Schicht verbundenen Metallkörper auf. Die Halbleiteranordnung weist eine Wärmesenke auf, wobei der Metallkörper mit der Wärmesenke wärmeleitend verbunden ist. Der Metallkörper und die Wärmesenke sind aus demselben Metall oder aus einem Legierungsmetall mit jeweils demselben Wärmeausdehnungskoeffizienten gebildet.

8. 发明专利

DE102018212273A1 Elektronikeinheit 未知
公开(公告)号：DE102018212273A1
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：DE102018212273
申请日：2018-07-24
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： METAIS BENJAMIN , SUESKE ERIK , MUELLER BJOERN JAKOB
IPC分类号： H05K1/02 , H05K1/18 , H05K1/03
摘要： Ausgegangen wird von einer Elektronikeinheit umfassend zumindest einen Schaltungsträger mit einem keramischen Trägersubstrat aus Si3N4, insbesondere ein AMB (Active Metal Brazing) -Schaltungsträger, wobei das Trägersubstrat eine Ober- und eine Unterseite aufweist und auf der Ober- und/oder Unterseite zumindest eine Leiterstruktur umfassend zumindest eine Schicht aus Kupfer oder einer Kupferlegierung angeordnet ist. Ferner weist die Leiterstruktur eine äußerste Abschlussfläche auf, auf welcher Kontaktierungsstellen ausgebildet sind, die mit Kontaktanschlüssen zumindest eines elektrischen und/oder elektronischen Bauelements unter Ausbildung einer elektronischen Schaltung der Elektronikeinheit elektrisch kontaktiert sind. Die elektronische Schaltung umfasst dabei zumindest einen MLCC-Keramikvielschicht-Chipkondensator (Multi Layer Ceramic Capacitor). Zusätzlich weist die Leiterstruktur zumindest einen gegenüber der äußersten Abschlussfläche vertieften Strukturbereich auf, wobei in dem zumindest einen vertieften Strukturbereich tiefenversetzte Kontaktierungsstellen ausgebildet sind, die dann mit korrespondierenden Kontaktanschlüssen des zumindest einen MLCC-Keramikvielschicht-Chipkondensator elektrisch kontaktiert sind, beispielsweise mittels einer Lot-, Sinter- oder Leitkleberverbindung.

9. 发明专利

DE102018207537A1 Verbundanordnung aus drei gestapelten Fügepartnern 未知
公开(公告)号：DE102018207537A1
公开(公告)日：2019-11-21
申请号：DE102018207537
申请日：2018-05-15
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SUENNER THOMAS , SUESKE ERIK , ZIPPRICH JUERGEN , SCHIELE CHRISTIAN , KRUTSCH ANDREAS
IPC分类号： B23K1/19 , B23K1/00
摘要： Die Erfindung betrifft eine Verbundanordnung (1) aus drei gestapelten Fügepartnern (10, 20, 30) und ein korrespondierendes Verfahren zum Verbinden eines Schichtstapels aus drei Fügepartnern (10, 20, 30). Die drei gestapelten Fügepartner (10, 20, 30) sind durch eine obere Lotschicht (3) und durch eine untere Lotschicht (5) stoffschlüssig miteinander verbunden, wobei ein oberer Fügepartner (10) und ein unterer Fügepartner (30) in ihrer Höhe fixiert sind und einen vorgegebenen Abstand (H) zueinander aufweisen, wobei die obere Lotschicht (3) aus einem ersten Lotmittel mit einer ersten Schmelztemperatur zwischen dem oberen Fügepartner (10) und einem mittleren Fügepartner (20) ausgebildet ist, und die zweite Lotschicht (5) aus einem zweiten Lotmittel mit einer höheren zweiten Schmelztemperatur zwischen dem mittleren Fügepartner (20) und dem unteren Fügepartner (30) ausgebildet ist, und wobei der obere Fügepartner (10) eine nach oben offene mit dem ersten Lotmittel gefüllte Lotausgleichsöffnung (14) aufweist, aus welcher das erste Lotmittel zur Anfüllung des Spalts zwischen dem oberen Fügepartner (10) und dem mittleren Fügepartner (20) in den Spalt nachfließt.

10. 发明专利

DE102014221306A1 Schaltungsträger und Schaltungsmodul 未知
公开(公告)号：DE102014221306A1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：DE102014221306
申请日：2014-10-21
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： SUESKE ERIK , ORSO STEFFEN , RUESCHENSCHMIDT KATHRIN , ROSINUS ARNO
IPC分类号： H05K1/11 , H01L23/48 , H05K3/40
摘要： Die Erfindung betrifft einen Schaltungsträger für eine elektrische und/oder elektronische Schaltung. Dabei umfasst der Schaltungsträger zumindest eine Leiterbahn und/oder einen elektrisch leitenden Kontakt. Die zumindest eine Leiterbahn und/oder der zumindest eine elektrisch leitende Kontakt weist mindestens eine Kontaktoberfläche auf, welche zur Ausbildung der elektrischen und/oder elektronischen Schaltung mit zumindest einem elektrischen und/oder elektronischen Bauelement kontaktierbar ist. Die mindestens eine Kontaktoberfläche der zumindest einen Leiterbahn und/oder des zumindest einen leitenden Kontaktes ist dabei durch eine Schicht aus Neusilber gebildet.

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