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1. 发明专利

DE102019201228A1 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Sensoreinrichtungen und Sensoreinrichtung 未知
公开(公告)号：DE102019201228A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：DE102019201228
申请日：2019-01-31
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： PINTER STEFAN , HAUG DANIEL , HENN TOBIAS , KNAUSS MICHAEL , BARAKI RASCHID , SCHULER-WATKINS SEBASTIAN
IPC分类号： H01L21/50 , B81B7/00 , H01L23/04
摘要： Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Sensoreinrichtungen (1) umfassend ein Bereitstellen (S1) eines Substrats (2) mit Kontaktstellen (K1; K2; ...; Kn) in einer Mehrzahl von vorbestimmten Bereichen (BS) für Sensorchips (3); ein Anordnen (S2) der Sensorchips (3) in den vorbestimmten Bereichen (BS) auf dem Substrat (2) sowie elektrisches Kontaktieren der Sensorchips (3) mit den Kontaktstellen (K1; K2; ...; Kn); ein Aufbringen (S3) einer Rahmenstruktur (6) mit einem Klebematerial (4) auf dem Substrat (2) und zwischen den Sensorchips (3), wobei die Rahmenstruktur (6) die Sensorchips (3) lateral umläuft, wobei sich die Rahmenstruktur (6) nach dem Aufbringen vertikal über die Sensorchips (3) hinaus erstreckt und eine Kavität (K) jeweils für zumindest einen der Sensorchips (6) bildet, und eine Membran (7) über zumindest einer der Kavitäten (K) für die Sensorchips (3) diese abdeckend überspannt; und ein Vereinzeln (S4) des Substrats (2) oder der Rahmenstruktur (6) und des Substrats (2) um die jeweiligen Kavitäten (K) herum in mehrere Sensoreinrichtungen (1).

2. 发明专利

DE102018214113A1 Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Sensors 未知
公开(公告)号：DE102018214113A1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：DE102018214113
申请日：2018-08-21
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： FRIEDRICH THOMAS , HAUG DANIEL , HENN TOBIAS
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , B81B7/02 , G01L9/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Sensors, umfassend die Schritte- Bereitstellen einer Funktionsschicht auf einer Vorderseite einer Trägerschichtanordnung,- Herstellen von Gräben zur teilweisen seitlichen Freistellung der Funktionsschicht und des unter der Funktionsschicht angeordneten Teils der Trägerschichtanordnung zur mechanischen Stressentkopplung,- Entfernen eines Teils der Rückseite der Trägerschichtanordnung, wobei ein seitlicher Trägerrahmen gebildet wird,- Ausbilden einer Oberfläche des nach dem Entfernen verbliebenen Teils der Rückseite der Trägerschichtanordnung zum Ableiten und/oder Verdrängen eines Mediums.

3. 发明专利

DE102020214096A1 Bauelement mit einem Halbleiterchip und einer erweiterten Umverdrahtungsschicht 未知
公开(公告)号：DE102020214096A1
公开(公告)日：2022-05-12
申请号：DE102020214096
申请日：2020-11-10
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： GIESSELMANN TIMO , HENN TOBIAS
IPC分类号： H01L23/50 , B81B7/02 , H01L25/065
摘要： Es wird ein Bauelement (100) umfassend ein Substrat (110), einen auf dem Substrat (110) angeordneten und eine integrierte Schaltung (124) aufweisenden ersten Halbleiterchip (120) und wenigstens einen in der Umgebung des ersten Halbleiterchips (120) angeordneten weiteren Halbleiterchip (150, 160) beschrieben. Dabei umfasst der erste Halbleiterchip (120) ferner eine Umverdrahtungsschicht (130) mit wenigstens einer der integrierten Schaltung (124) zugeordneten ersten Verdrahtungsstruktur (135), die einen funktionellen Anschluss (125) der integrierten Schaltung (124) auf wenigstens eine externe Anschlussfläche (138) des ersten Halbleiterchips (120) herausführt. Ferner umfasst die Umverdrahtungsschicht (130) wenigstens eine der integrierten Schaltung (124) nicht zugeordnete zweite Verdrahtungsstruktur (136), die eine Umverdrahtung einer außerhalb des ersten Halbleiterchips (120) verlaufenden elektrischen Leitung (170) des weiteren Halbleiterchips (150, 160) bewirkt.

4. 发明专利

DE102020212422A1 Laserdiodenvorrichtung und Datenbrillensystem 未知
公开(公告)号：DE102020212422A1
公开(公告)日：2022-04-07
申请号：DE102020212422
申请日：2020-10-01
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： STEUER BENJAMIN , PINTER STEFAN , BUSCH MAXIMILIAN , HENN TOBIAS , GRABMAIER FLORIAN
IPC分类号： H01S5/022 , G02B27/01 , G02B27/18
摘要： Die Erfindung geht aus von einer Laserdiodenvorrichtung mit zumindest einer Substrateinheit, welche zumindest ein Trägersubstrat umfasst und welche insbesondere zumindest ein Plateauelement aufweist, mit zumindest einer Gehäuseeinheit, welche zumindest eine Gehäusekappe aufweist, welche mit dem Trägersubstrat verbunden ist, und mit zumindest einem Laserelement zu einem Erzeugen zumindest eines Hauptlaserstrahls, welches, insbesondere an dem zumindest einen Plateauelement, in der zumindest einen Gehäusekappe angeordnet ist, und welches dazu ausgebildet ist, zumindest einen dem zumindest einen Hauptlaserstrahl entgegengerichteten Nebenlaserstrahl zu erzeugen.Es wird vorgeschlagen, dass die Laserdiodenvorrichtung- eine Strahlblockiereinheit aufweist, welche in der Gehäuseeinheit angeordnet ist und welche dazu ausgebildet ist, den zumindest einen Nebenlaserstrahl innerhalb der zumindest einen Gehäuseeinheit zumindest zum Großteil zu blockieren, und/oder- eine Strahlabsorbiereinheit aufweist, welche in der Gehäuseeinheit angeordnet ist und welche dazu ausgebildet ist, den zumindest einen Nebenlaserstrahl innerhalb der zumindest einen Gehäuseeinheit zumindest im Wesentlichen zu absorbieren, und/oder- eine Strahlablenkeinheit aufweist, welche dazu ausgebildet ist, den zumindest einen Nebenlaserstrahl zumindest im Wesentlichen aus einem von dem zumindest einen Hauptlaserstrahl eingenommenen Bereich zu wegzulenken.

5. 发明专利

DE102018222724A1 Verfahren zum Herstellen einer dreidimensional stressentkoppelten Substratanordnung 未知
公开(公告)号：DE102018222724A1
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：DE102018222724
申请日：2018-12-21
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： FRIEDRICH THOMAS , HENN TOBIAS
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , B81B7/02 , G01L9/00
摘要： Offenbart ist ein Verfahren zum Herstellen mindestens einer stressentkoppelter Substratanordnung für einen mikromechanischen Sensor, wobei ein waferförmiges Substrat mit einer vergrabenen Kavität bereitgestellt wird, mindestens eine Sensorstruktur zum Ausbilden eines Sensors auf einer Vorderseite des Substrats aufgebracht wird, die Sensorstruktur zumindest bereichsweise durch vorderseitigen Materialabtrag des Substrats seitlich zumindest bereichsweise freigestellt wird und die Sensorstruktur in Verbindung mit der seitlichen Freistellung und der vergrabenen Kavität allseitig freigestellt wird. Des Weiteren sind eine Substratanordnung sowie ein mikromechanischer Sensor offenbart.

6. 发明专利

DE102018216282A1 Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Sensors 未知
公开(公告)号：DE102018216282A1
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：DE102018216282
申请日：2018-09-25
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： HAUG DANIEL , HENN TOBIAS , SCHULER-WATKINS SEBASTIAN
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/02 , G01L9/06 , G01L19/14
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines MEMS-Sensors, umfassend die Schritte- Bereitstellen eines Substrats,- Aufbringen einer Tragschicht auf einer Rückseite des Substrats,- Ausbilden einer Aussparung im Substrat dergestalt, dass ein Zugang zur Rückseite von der Vorderseite des Substrats ausgebildet wird,- Einbringen einer MEMS-Struktur in die Aussparung, und- Festlegen der MEMS-Struktur auf der Tragschicht.

7. 发明专利

DE102018214113B4 Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Sensors 未知
公开(公告)号：DE102018214113B4
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：DE102018214113
申请日：2018-08-21
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： FRIEDRICH THOMAS , HAUG DANIEL , HENN TOBIAS
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , B81B7/02 , G01L9/00
摘要： Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Sensors (1), umfassend die Schritte- Bereitstellen (S1) einer Funktionsschicht (4) auf einer Vorderseite (3a) einer Trägerschichtanordnung (3),- Herstellen (S2) von Gräben (7) zur teilweisen seitlichen Freistellung der Funktionsschicht (4) und des unter der Funktionsschicht (4) angeordneten Teils der Trägerschichtanordnung zur mechanischen Stressentkopplung,- Entfernen (S3) eines Teils der Rückseite (3b) der Trägerschichtanordnung (3), wobei ein seitlicher Trägerrahmen (2) gebildet wird,- Ausbilden (S4) einer Oberfläche (3b') des nach dem Entfernen verbliebenen Teils der Rückseite (3b) der Trägerschichtanordnung (3) zum Ableiten und/oder Verdrängen eines viskosen Mediums, wobei die Oberfläche (3b') in Bezug auf die Funktionsschicht (4) konvex ausgebildet wird,- Befüllen eines Bereichs an der Rückseite (3b) mit dem viskosen Medium.

8. 发明专利

DE102018216294A1 Verfahren zur Herstellung eines MEMS-Sensors 未知
公开(公告)号：DE102018216294A1
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：DE102018216294
申请日：2018-09-25
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： HAUG DANIEL , HENN TOBIAS , KNAUSS MICHAEL
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00 , B81B7/02 , G01L9/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines MEMS-Sensors, umfassend die Schritte- Bereitstellen einer MEMS-Struktur, welche zumindest einen Zugang für eine Aussparung in der MEMS-Struktur aufweist,- Aufbringen der MEMS-Struktur auf einer Trägerstruktur, dergestalt, sodass durch die Aussparung der MEMS-Struktur eine Kaverne zwischen Trägerstruktur und MEMS-Struktur gebildet wird, die über den zumindest einen Zugang mit einem Medium beaufschlagbar ist,- Abdichten eines Zwischenraums zwischen der MEMS-Struktur und der Trägerstruktur, sodass die Kaverne bis auf den zumindest einen Zugang abgedichtet ist, und- Verfüllen der Kaverne und des zumindest einen Zugangs über den zumindest einen Zugang mit einem Medium.

9. 发明专利

DE102018200140A1 Umweltsensor, Umweltsensorzwischenprodukt und Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von Umweltsensoren 未知
公开(公告)号：DE102018200140A1
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：DE102018200140
申请日：2018-01-08
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： HAUG DANIEL , HENN TOBIAS , KNAUSS MICHAEL
IPC分类号： B81C1/00 , B81B1/00 , G01L7/08
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl medienresistenter Umweltsensoren (10) mit einem Aufbringen eines Klebstoffs (20) auf einer Oberfläche (16a) der Moldmasse (16) in einem Bereich zwischen jeweiligen Sensor-Chips (14) und einem Laminieren einer Membran (22) auf das Substrat (12) im Bereich der auf der Oberfläche (12a) des Substrats (12) angeordneten Vielzahl von Sensor-Chips (14), wobei die Membran (22) die Vielzahl von Sensor-Chips (14) bedeckt. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Umweltsensorzwischenprodukt und einen medienresistenten Umweltsensor (10).

10. 发明专利

DE102017205244A1 Mikromechanischer Drucksensor sowie Verfahren zur Herstellung des mikromechanischen Drucksensors 未知
公开(公告)号：DE102017205244A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：DE102017205244
申请日：2017-03-28
申请人： BOSCH GMBH ROBERT
发明人： DANNENBERG ARNE , HENN TOBIAS
IPC分类号： G01L9/00 , B81B3/00 , B81B7/02 , B81C1/00
摘要： Mikromechanischer Drucksensor (10), aufweisend einen in einem Siliziumsubstrat (11) in einem drucksensitiven Bereich (A) ausgebildeten Sensorkern mit einer Sensormembran (12), wobei an der Sensormembran (12) eine erste Kavität (13) in dem Siliziumsubstrat (11) ausgebildet ist; eine zwischen einer rückseitigen Oberfläche des Siliziumsubstrat (11) und dem Sensorkern ausgebildete zweite Kavität (18), wobei von der rückseitigen Oberfläche des Siliziumsubstrats (11) ausgehende Zugangslöcher (17) mit der zweiten Kavität (18) verbunden sind; und mindestens eine von der rückseitigen Oberfläche ausgehende Verankerungsvertiefung (16) in einem den drucksensitiven Bereich umschließenden Verankerungsbereich (B) des Siliziumsubstrats (11) ausgebildet ist, wobei die Verankerungsvertiefung (16) so ausgebildet ist, dass eine Moldmasse in die Verankerungsvertiefung (16) fließen kann.

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