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    • 6. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KOHLENWASSERSTOFFKETTEN ENTHALTENDEN VERBINDUNGEN
    • 用于生产烃链含氮化合物
    • WO2009027181A1
    • 2009-03-05
    • PCT/EP2008/060174
    • 2008-08-01
    • BASF SEHANEFELD, PhillipMÜHLBACH, KlausWALTER, Hans-MichaelMAYR, HerbertKEDZIOREK, Mariusz
    • HANEFELD, PhillipMÜHLBACH, KlausWALTER, Hans-MichaelMAYR, HerbertKEDZIOREK, Mariusz
    • C07C209/08C08F8/32C07C211/21C08F10/10
    • C07C211/21C07C209/08C08F8/00C08F10/10
    • Herstellung von Kohlenwasserstoffketten enthaltenden Verbindungen I R 1 -C(CH 3 ) 2 -CH 2 -C(CH 3 ) 2 -[CH 2 -CH=CH-CH 2 ] n -Nu (I) in der R 1 einen Kohlenwasserstoffrest bezeichnet, Nu eine aus einem O- oder N-Nu- cleophil abgeleitete Gruppierung bedeutet und n für 1 bis 10 steht, durch Umsetzung von halogenhaltigen oder pseudohalogenhaltigen Kohlenwasserstoffen oder Kohlenwasserstoffpolymeren Il R 1 -C(CH 3 ) 2 -CH 2 -C(CH 3 ) 2 -[CH 2 -CH=CH-CH 2 ] n -X (II) in der X für ein Halogenatom oder ein Pseudohalogenatom steht, mit Nucleophilen H-Nu in Anwesenheit stöchiometrischer Mengen an Base, wobei die halogenhaltigen oder pseudohalogenhaltigen Kohlenwasserstoffe oder Kohlenwasserstoffpolymere Il aus an tertiären Kohlenstoff gebundenes Halogen oder Pseudohalogen enthaltender Ausgangsverbindung III R 1 C(CH 3 )2-CH 2 -C(CH 3 ) 2 -X durch Umsetzung mit n Mol 1,3-Butadien in Gegenwart einer Lewis-Säure, gegebenenfalls in einem inerten organischen Lösungsmittel, erhalten worden sind, dadurch gekennzeichnet, dass man die Umsetzung der Verbindungen III über die halogenhaltigen oder pseudohalogenhaltigen Kohlenwasserstoffe oder Kohlenwasserstoffpolymere Il zu den Verbindungen I ohne Isolierung oder Reinigung der halogenhaltigen oder pseudohalogenhaltigen Kohlenwasserstoffe oder Kohlenwasserstoffpolymere Il durchführt.
    • 含氮化合物的烃链的生产I R1-C(CH3)2-CH2-C(CH3)2- [CH2-CH = CH-CH 2] n的-NU(I)表示的烃基,其中R 1中,Nu一个O-之一 或N-核酸cleophil指衍生部分,n为1至10,通过含有伪卤素含卤素或烃类或烃类聚合物反应伊尔R1-C(CH3)2-CH2-C(CH3)2- [CH2-CH = CH- CH 2] n的X(II),其中X代表在化学计算量的碱的存在下,卤素原子或拟卤素原子,与亲核试剂H-女,其中,所述或含拟的烃或烃聚合物伊尔从结合于叔碳含卤素或拟卤素的起始化合物III R1C含卤 (CH3)2-CH2-C(CH3)2-X通过在路易斯酸,在适当情况下都在惰性有机溶剂中获得的存在下1,3-丁二烯的n个摩尔反应,其特征在于,Umsetzun 上的含伪卤素含卤素或烃类或烃类聚合物II的化合物III的克,得到我而不含伪卤素含卤素或烃类或烃类聚合物II的分离或纯化进行的化合物。
    • 8. 发明申请
    • PORÖSES FOLIENMATERIAL, UMFASSEND WENIGSTENS EINE KOHLENSTOFFHALTIGE HALBMETALLOXIDPHASE, UND SEINE VERWENDUNG ALS SEPARATORMATERIAL FÜR ELEKTROCHEMISCHE ZELLEN
    • 多孔膜材料,包括至少一个含有碳HALBMETALLOXIDPHASE,它的使用作为分隔电化学电池
    • WO2011000858A1
    • 2011-01-06
    • PCT/EP2010/059261
    • 2010-06-30
    • BASF SEHILDEBRANDT, NicoleLANGE, ArnoLEITNER, KlausHANEFELD, PhillipSTAUDT, Claudia
    • HILDEBRANDT, NicoleLANGE, ArnoLEITNER, KlausHANEFELD, PhillipSTAUDT, Claudia
    • H01M2/16
    • H01M2/166H01M2/1646H01M10/0525Y10T428/249979
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues, poröses Folienmaterial, das wenigstens eine kohlenstoffhaltige Halbmetalloxidphase umfasst, und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Die Erfindung betrifft auch die Verwendung dieser porösen Folienmaterialien als Separatorschicht bzw. zur Herstellung solcher Separatorschichten in elektrochemischen Zellen, insbesondere in Lithiumionen-Zellen und speziell in Lithiumionen-Sekundärzellen. Das erfindungsgemäße poröses Folienmaterial umfasst: a) wenigstens eine kohlenstoffhaltige (Halb)Metalloxidphase A des Siliziums, AIuminiums, Titans oder Zirkons, die an das (Halb)Metall kovalent gebundene Kohlenwasserstoffgruppen aufweist; b) gegebenenfalls eine oder mehrere organische Polymerphasen B, wobei die anorganische (Halb)Metalloxidphase A im wesentlichen kontinuierliche Phasendomänen bildet, in die die im Folienmaterial enthaltenen Porenphase und die gegebenenfalls enthaltene(n) organischen Polymerphase(n) B eingelagert sind, wobei der mittlere Abstand zweier Phasengrenzen benachbarter Domänen identischer Phasen maximal 50 nm, vorzugsweise maximal 10 nm, insbesondere maximal 5 nm und speziell maximal 2 nm beträgt.
    • 本发明涉及一种新型的多孔片材,其包括至少一种碳质Halbmetalloxidphase,及其制备的方法。 本发明还涉及使用该多孔膜作为隔膜材料或用于电化学电池,特别是锂离子电池,特别是在锂离子二次电池的制备这样的分离器的。 本发明的多孔片材包括:a)至少一种碳质(半)金属氧化物相的硅,AIuminiums,钛或锆,它具有在(半)金属共价键合的烃基的A; b)任选地一种或多种有机聚合物相B,其特征在于,所述无机(半)金属氧化物相A形成一个基本上连续的相域,其中,所述孔相和包含在该薄膜材料任选存在(一个或多个)有机聚合物相(多个)B被存储,其中,所述平均 为50nm以下的相同相的相邻域的两个相边界之间的距离,优选在10nm以下,尤其是最大为5nm,特别是最大为2nm。