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    • 4. 发明申请
    • PORÖSES FOLIENMATERIAL, UMFASSEND WENIGSTENS EINE KOHLENSTOFFHALTIGE HALBMETALLOXIDPHASE, UND SEINE VERWENDUNG ALS SEPARATORMATERIAL FÜR ELEKTROCHEMISCHE ZELLEN
    • 多孔膜材料,包括至少一个含有碳HALBMETALLOXIDPHASE,它的使用作为分隔电化学电池
    • WO2011000858A1
    • 2011-01-06
    • PCT/EP2010/059261
    • 2010-06-30
    • BASF SEHILDEBRANDT, NicoleLANGE, ArnoLEITNER, KlausHANEFELD, PhillipSTAUDT, Claudia
    • HILDEBRANDT, NicoleLANGE, ArnoLEITNER, KlausHANEFELD, PhillipSTAUDT, Claudia
    • H01M2/16
    • H01M2/166H01M2/1646H01M10/0525Y10T428/249979
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues, poröses Folienmaterial, das wenigstens eine kohlenstoffhaltige Halbmetalloxidphase umfasst, und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Die Erfindung betrifft auch die Verwendung dieser porösen Folienmaterialien als Separatorschicht bzw. zur Herstellung solcher Separatorschichten in elektrochemischen Zellen, insbesondere in Lithiumionen-Zellen und speziell in Lithiumionen-Sekundärzellen. Das erfindungsgemäße poröses Folienmaterial umfasst: a) wenigstens eine kohlenstoffhaltige (Halb)Metalloxidphase A des Siliziums, AIuminiums, Titans oder Zirkons, die an das (Halb)Metall kovalent gebundene Kohlenwasserstoffgruppen aufweist; b) gegebenenfalls eine oder mehrere organische Polymerphasen B, wobei die anorganische (Halb)Metalloxidphase A im wesentlichen kontinuierliche Phasendomänen bildet, in die die im Folienmaterial enthaltenen Porenphase und die gegebenenfalls enthaltene(n) organischen Polymerphase(n) B eingelagert sind, wobei der mittlere Abstand zweier Phasengrenzen benachbarter Domänen identischer Phasen maximal 50 nm, vorzugsweise maximal 10 nm, insbesondere maximal 5 nm und speziell maximal 2 nm beträgt.
    • 本发明涉及一种新型的多孔片材,其包括至少一种碳质Halbmetalloxidphase,及其制备的方法。 本发明还涉及使用该多孔膜作为隔膜材料或用于电化学电池,特别是锂离子电池,特别是在锂离子二次电池的制备这样的分离器的。 本发明的多孔片材包括:a)至少一种碳质(半)金属氧化物相的硅,AIuminiums,钛或锆,它具有在(半)金属共价键合的烃基的A; b)任选地一种或多种有机聚合物相B,其特征在于,所述无机(半)金属氧化物相A形成一个基本上连续的相域,其中,所述孔相和包含在该薄膜材料任选存在(一个或多个)有机聚合物相(多个)B被存储,其中,所述平均 为50nm以下的相同相的相邻域的两个相边界之间的距离,优选在10nm以下,尤其是最大为5nm,特别是最大为2nm。