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    • 5. 发明授权
      US06493278B2 Semiconductor device and control device for use therewith 有权
    • Semiconductor device and control device for use therewith
    • 半导体装置及其使用的控制装置
    • US06493278B2
    • 2002-12-10
    • US09882602
    • 2001-06-15
    • Hidekazu Takata , Ken Sumitani
    • Hidekazu Takata , Ken Sumitani
    • G11C700
    • G11C7/24 , G11C16/22
    • A semiconductor device includes: a memory having a memory space for recording data, the memory space including addresses; at least one first storage section for storing at least a portion of an address at which access to the memory space is requested and/or data which is requested to be written to the memory space; and an operation restriction circuit for at least partially restricting operations to be performed on the memory. The operation restriction circuit controls restriction on the operations to be performed on the memory based on at least a portion of the data and/or the address stored in the at least one first storage section.
    • 半导体器件包括：具有用于记录数据的存储空间的存储器，所述存储器空间包括地址; 至少一个第一存储部分，用于存储请求访问存储器空间的地址的至少一部分和/或被请求写入存储器空间的数据; 以及用于至少部分地限制要对存储器执行的操作的操作限制电路。 操作限制电路基于存储在至少一个第一存储部分中的数据和/或地址的至少一部分来控制对存储器执行的操作的限制。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 6. 发明授权
      US07545683B2 Semiconductor memory device 失效
    • Semiconductor memory device
    • 半导体存储器件
    • US07545683B2
    • 2009-06-09
    • US11651455
    • 2007-01-10
    • Ken Sumitani
    • Ken Sumitani
    • G11C7/10
    • G11C16/10 , G11C16/3454 , G11C2216/14
    • A semiconductor memory device arranged for minimizing the duration of time required for conducting a batch verify action and thus speeding up a buffer write action is provided. The device which conducts a write action to memory cells in an address area, a batch verify action for collectively conducting verify action for a plurality of addresses, and repeats the batch verify action and the write action, comprises a detecting means for detecting whether or not each address contains an unwritten memory cell, and conducts a verify action at least at a part of the batch verify action excluding at least a part of addresses judged not to contain unwritten memory cells by the verify action at one or more cycles before.
    • 提供一种半导体存储器件，其被设置用于使进行批次验证动作所需的持续时间最小化，从而加速缓冲器写入动作。 对地址区域中的存储单元进行写入动作的装置，对多个地址进行统一进行验证动作的批处理动作，重复批次验证动作和写入动作的检测装置，包括检测装置 每个地址包含未写入的存储器单元，并且至少在批量验证动作的一部分进行验证动作，除了在一个或多个周期之前通过验证动作判断为不包含未写入的存储器单元的地址的至少一部分。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 7. 发明申请
      US20070159895A1 Semiconductor memory device 失效
    • Semiconductor memory device
    • 半导体存储器件
    • US20070159895A1
    • 2007-07-12
    • US11651455
    • 2007-01-10
    • Ken Sumitani
    • Ken Sumitani
    • G11C7/10
    • G11C16/10 , G11C16/3454 , G11C2216/14
    • A semiconductor memory device arranged for minimizing the duration of time required for conducting a batch verify action and thus speeding up a buffer write action is provided. The device which conducts a write action to memory cells in an address area, a batch verify action for collectively conducting verify action for a plurality of addresses, and repeats the batch verify action and the write action, comprises a detecting means for detecting whether or not each address contains an unwritten memory cell, and conducts a verify action at least at a part of the batch verify action excluding at least a part of addresses judged not to contain unwritten memory cells by the verify action at one or more cycles before.
    • 提供一种半导体存储器件，其被设置用于使进行批次验证动作所需的持续时间最小化，从而加速缓冲器写入动作。 对地址区域中的存储单元进行写入动作的装置，对多个地址进行统一进行验证动作的批处理动作，重复批次验证动作和写入动作的检测装置，包括检测装置 每个地址包含未写入的存储器单元，并且至少在批量验证动作的一部分进行验证动作，除了在一个或多个周期之前通过验证动作判断为不包含未写入的存储器单元的地址的至少一部分。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 9. 发明授权
      US07161843B2 Semiconductor memory device and method for writing data 有权
    • Semiconductor memory device and method for writing data
    • 半导体存储器件和数据写入方法
    • US07161843B2
    • 2007-01-09
    • US10461066
    • 2003-06-12
    • Ken Sumitani
    • Ken Sumitani
    • G06F12/02
    • G11C16/3486 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3454
    • A semiconductor memory device, comprising a memory array including a plurality of memory cells capable of storing data of at least 1 bit, includes a data write control section for controlling a data write operation to the plurality of memory cells; an address signal generation section for generating an address signal which represents an address of a prescribed memory cell; a determination section for determining whether or not to write data to the prescribed memory cell and outputting a first write signal; a data register section for storing data represented by the first write signal and outputting a second write signal; and a data write section for writing data to the prescribed memory cell based on the second write signal. The data register section stores the data based on a control signal which is output by the data write control section.
    • 一种半导体存储器件，包括一个包括能存储至少1位数据的多个存储单元的存储器阵列，包括一个用于控制对多个存储器单元的数据写入操作的数据写入控制部分; 地址信号生成部，用于生成表示规定的存储单元的地址的地址信号; 确定部分，用于确定是否向规定的存储器单元写入数据并输出第一写入信号; 数据寄存器部分，用于存储由第一写信号表示的数据并输出第二写信号; 以及数据写入部分，用于基于第二写入信号将数据写入规定的存储器单元。 数据寄存器部分基于由数据写入控制部分输出的控制信号存储数据。
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