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1. 发明授权

US4999683A Avalanche breakdown semiconductor device 失效
标题翻译：雪崩击穿半导体器件
公开(公告)号：US4999683A
公开(公告)日：1991-03-12
申请号：US458398
申请日：1989-12-28
申请人： Akio Kiyomura , Takayoshi Terashima , Tohru Suzuki
发明人： Akio Kiyomura , Takayoshi Terashima , Tohru Suzuki
IPC分类号： H01L29/866 , H01L29/87
CPC分类号： H01L29/866 , H01L29/87
摘要： A Zener diode comprising a semiconductor substrate having an n-type region partly exposed at a main force of the substrate, a p.sup.+ -type region disposed contiguous to the n-type region and exposed at the main face of the semiconductor substrate, and an n.sup.+ -type region also exposed at the main face of the substrate and contiguously surrounded by the p.sup.+ -type region besides being contiguous to the p.sup.+ -type region. The arrangement of the semiconductor regions in relation to one another, and an an insulating layer on the main face of the substrate and to a pair of electrodes thereon, is such that the breakdown voltage is free from the influence of temperatures and of the ions contained in the insulating layer.
摘要翻译：一种齐纳二极管，包括：半导体衬底，其具有以衬底的主力部分地暴露的n型区域，与所述n型区域邻接并暴露在所述半导体衬底的主面处的p +型区域，以及n + 型区域也暴露在基板的主面上，并连续地被p +型区域包围，除了与p +型区域相邻。半导体区域相对于彼此的布置，以及基板的主面上的绝缘层和其上的一对电极，使得击穿电压不受温度和所含离子的影响在绝缘层中。

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