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    • 8. 发明授权
    • Humidity sensor of capacitance change type
    • 电容变化型湿度传感器
    • US4217623A
    • 1980-08-12
    • US912714
    • 1978-06-05
    • Atsushi NishinoAkihiko Yoshida
    • Atsushi NishinoAkihiko Yoshida
    • G01N27/22H01G7/00
    • G01N27/225
    • A device comprising a metal substrate serving as a first electrode, a dielectric oxide film formed by oxidation of a surface region of the substrate and a second electrode layer formed porously on the dielectric oxide film. Microscopically, the second electrode layer is only partially in contact with the dielectric oxide film. Accordingly moisture adsorbed through the second electrode layer covers uncoated regions of the dielectric film surface to a variable extent in dependence on humidity, resulting in a change in the electrostatic capacitance across the electrodes. Preferably the device comprises a semiconducting metal oxide layer as an innermost part of the second electrode layer.
    • 包括用作第一电极的金属基板,通过氧化基板的表面区域形成的电介质氧化物膜和在电介质氧化物膜上形成的第二电极层的装置。 在显微镜下,第二电极层仅部分地与电介质氧化膜接触。 因此,通过第二电极层吸收的水分根据湿度覆盖电介质膜表面的未涂覆区域到可变程度,导致跨过电极的静电电容的变化。 优选地,该器件包括作为第二电极层的最内部的半导体金属氧化物层。