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1. 发明专利

TW201736941A 用於極紫外線微影之薄膜审中-公开
简体标题：用于极紫外线微影之薄膜
公开(公告)号：TW201736941A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105141174
申请日：2016-12-13
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：凡柔彼德-珍 , VAN ZWOL, PIETER-JAN , 迪葛瑞夫丹尼司 , DE GRAAF, DENNIS , 簡森保羅 , JANSSEN, PAUL , 彼得瑪莉亞 , PETER, MARIA , 范戴克豪夫馬卡斯安德納斯 , VAN DE KERKHOF, MARCUS ADRIANUS , 汎德贊登威廉裘 , VAN DER ZANDE, WILLEM JOAN , 凡爾斯大衛凡迪奈德 , VLES, DAVID FERDINAND , 福爾特赫伊曾威廉-彼德 , VOORTHUIJZEN, WILLEM-PIETER
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/62
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/62 , G03F7/70916 , G03F7/70983
摘要：本發明提供一種用於EUV微影之薄膜，該薄膜具有不多於200奈米之一厚度且包含一堆疊，該堆疊包含：至少一個矽層；及至少一個矽化合物層，其係由矽與選自由硼、磷、溴組成的群組之一元素之一化合物製成。
简体摘要：本发明提供一种用于EUV微影之薄膜，该薄膜具有不多于200奈米之一厚度且包含一堆栈，该堆栈包含：至少一个硅层；及至少一个硅化合物层，其系由硅与选自由硼、磷、溴组成的群组之一元素之一化合物制成。

2. 发明专利

TW201719272A 製造隔膜總成之方法审中-公开
简体标题：制造隔膜总成之方法
公开(公告)号：TW201719272A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105128400
申请日：2016-09-02
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：赫威林薩摩席維斯特 , HOUWELING, ZOMER SILVESTER , 卡斯米瑞艾瑞克威廉菲力克斯 , CASIMIRI, ERIC WILLEM FELIX , 卓吉妮雅塔瑪拉 , DRUZHININA, TAMARA , 簡森保羅 , JANSSEN, PAUL , 庫伊肯麥可亞弗列德喬瑟夫斯 , KUIJKEN, MICHAEL ALFRED JOSEPHUS , 里恩德斯馬汀斯漢德利克斯安東尼斯 , LEENDERS, MARTINUS HENDRIKUS ANTONIUS , 沃斯特霍夫希考 , OOSTERHOFF, SICCO , 彼得瑪莉亞 , PETER, MARIA , 汎德贊登威廉裘 , VAN DER ZANDE, WILLEM JOAN , 凡柔彼德-珍 , VAN ZWOL, PIETER-JAN , 凡布魯吉畢兒翠斯路意斯瑪莉-喬瑟夫凱翠恩 , VERBRUGGE, BEATRIJS LOUISE MARIE-JOSEPH KATRIEN , 費爾莫默朗約翰內斯佩特魯斯馬丁努斯伯納德斯 , VERMEULEN, JOHANNES PETRUS MARTINUS BERNARDUS , 凡爾斯大衛凡迪奈德 , VLES, DAVID FERDINAND , 福爾特赫伊曾威廉-彼德 , VOORTHUIJZEN, WILLEM-PIETER
IPC分类号： G03F1/62
CPC分类号： G03F1/62
摘要：一種用於製造用於EUV微影之一隔膜總成之方法，該方法包含：提供包含一平坦基板及至少一個隔膜層之一堆疊，其中該平坦基板包含一內部區及圍繞該內部區之一邊界區；將該堆疊定位於一支撐件上使得曝光該平坦基板之該內部區；及使用一非液體蝕刻劑來選擇性地移除該平坦基板之該內部區，使得該隔膜總成包含：由該至少一個隔膜層形成之一隔膜；及固持該隔膜之一邊界，該邊界係由該平坦基板之該邊界區形成。
简体摘要：一种用于制造用于EUV微影之一隔膜总成之方法，该方法包含：提供包含一平坦基板及至少一个隔膜层之一堆栈，其中该平坦基板包含一内部区及围绕该内部区之一边界区；将该堆栈定位于一支撑件上使得曝光该平坦基板之该内部区；及使用一非液体蚀刻剂来选择性地移除该平坦基板之该内部区，使得该隔膜总成包含：由该至少一个隔膜层形成之一隔膜；及固持该隔膜之一边界，该边界系由该平坦基板之该边界区形成。

3. 发明专利

TW201732418A 薄膜總成审中-公开
简体标题：薄膜总成
公开(公告)号：TW201732418A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105141172
申请日：2016-12-13
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：布朗司德克瑟華提思傑卓達 , BROUNS, DERK SERVATIUS GERTRUDA , 簡森保羅 , JANSSEN, PAUL , 卡馬利莫哈瑪德瑞莎 , KAMALI, MOHAMMAD REZA , 彼得瑪莉亞 , PETER, MARIA , 汎德贊登威廉裘 , VAN DER ZANDE, WILLEM JOAN , 凡柔彼德-珍 , VAN ZWOL, PIETER-JAN , 凡爾斯大衛凡迪奈德 , VLES, DAVID FERDINAND , 福爾特赫伊曾威廉-彼德 , VOORTHUIJZEN, WILLEM-PIETER
IPC分类号： G03F1/64 , G03F1/66
CPC分类号： G03F1/64 , G03F1/66 , G03F7/70741 , G03F7/70983
摘要：一種用於EUV微影之薄膜總成，該薄膜總成包含：一平面薄膜；一邊界，其經組態以固持該薄膜；及一框架總成，其連接至該邊界且經組態以附接至用於EUV微影之一圖案化器件；其中該框架總成在垂直於該薄膜之平面之一方向上連接至該邊界，使得在使用中該框架總成係介於該邊界與該圖案化器件之間。
简体摘要：一种用于EUV微影之薄膜总成，该薄膜总成包含：一平面薄膜；一边界，其经组态以固持该薄膜；及一框架总成，其连接至该边界且经组态以附接至用于EUV微影之一图案化器件；其中该框架总成在垂直于该薄膜之平面之一方向上连接至该边界，使得在使用中该框架总成系介于该边界与该图案化器件之间。

4. 发明专利

TW201910552A 藉由局部熱處理之多層石墨烯膜之同時雙面塗層审中-公开
简体标题：借由局部热处理之多层石墨烯膜之同时双面涂层
公开(公告)号：TW201910552A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107124727
申请日：2018-07-18
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：克爾甘諾凡艾夫喬尼亞 , KURGANOVA, EVGENIA , 吉斯波爾思艾利那斯喬漢斯瑪麗亞 , GIESBERS, ADRIANUS JOHANNES MARIA , 納莎里維奇邁可辛亞歷山德羅維奇 , NASALEVICH, MAXIM ALEKSANDROVICH , 諾登布雅努威稜 , NOTENBOOM, ARNOUD WILLEM , 彼得瑪莉亞 , PETER, MARIA , 凡柔彼德珍 , VAN ZWOL, PIETER-JAN , 凡爾斯大衛凡迪奈德 , VLES, DAVID FERDINAND , 福爾特赫伊曾威廉彼德 , VOORTHUIJZEN, WILLEM-PIETER
IPC分类号： C23C16/48 , C23C16/52
摘要：本發明提供一種製造用於一微影設備之一表膜的方法，該方法包含：使用輻射加熱來局部加熱該表膜，且在該表膜之兩側上沈積塗佈材料，且本發明提供根據此方法製造之表膜。本發明亦揭示具有雙面六方氮化硼塗層之一多層石墨烯表膜在一微影設備中之用途。
简体摘要：本发明提供一种制造用于一微影设备之一表膜的方法，该方法包含：使用辐射加热来局部加热该表膜，且在该表膜之两侧上沉积涂布材料，且本发明提供根据此方法制造之表膜。本发明亦揭示具有双面六方氮化硼涂层之一多层石墨烯表膜在一微影设备中之用途。

5. 发明专利

TW201725178A 製造用於微影設備之表膜的方法、用於微影設備之表膜、微影設備、器件製造方法、用於處理表膜的設備、及用於處理表膜的方法审中-公开
简体标题：制造用于微影设备之表膜的方法、用于微影设备之表膜、微影设备、器件制造方法、用于处理表膜的设备、及用于处理表膜的方法
公开(公告)号：TW201725178A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105133981
申请日：2016-10-21
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：彼得瑪莉亞 , PETER, MARIA , 艾柏格艾瑞克阿奇里斯 , ABEGG, ERIK ACHILLES , 吉斯波爾思艾利那斯喬漢斯瑪麗亞 , GIESBERS, ADRIANUS JOHANNES MARIA , 克魯特偉傑喬漢亨德力克 , KLOOTWIJK, JOHAN HENDRIK , 納莎里維奇邁可辛亞歷山德羅維奇 , NASALEVICH, MAXIM ALEKSANDROVICH , 凡登艾登威希姆斯勒歐杜斯安東尼瓊安尼 , VAN DEN EINDEN, WILHELMUS THEODORUS ANTHONIUS JOHANNES , 汎德贊登威廉裘 , VAN DER ZANDE, WILLEM JOAN , 凡柔彼德-珍 , VAN ZWOL, PIETER-JAN , 費爾莫默朗約翰內斯佩特魯斯馬丁努斯伯納德斯 , VERMEULEN, JOHANNES PETRUS MARTINUS BERNARDUS , 凡爾斯大衛凡迪奈德 , VLES, DAVID FERDINAND , 福爾特赫伊曾威廉-彼德 , VOORTHUIJZEN, WILLEM-PIETER
IPC分类号： C01B31/04 , G03F1/62 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70958 , G03F1/62 , G03F7/70983 , G21K2201/067
摘要：本發明揭示一種製造用於一微影設備的一表膜之方法。在一個配置中，該方法包含將至少一個石墨烯層沈積於一基板之一平面表面上。該基板包含一第一基板部分及一第二基板部分。該方法進一步包含移除該第一基板部分以由該至少一個石墨烯層形成一獨立薄膜。該獨立薄膜藉由該第二基板部分支撐。
简体摘要：本发明揭示一种制造用于一微影设备的一表膜之方法。在一个配置中，该方法包含将至少一个石墨烯层沉积于一基板之一平面表面上。该基板包含一第一基板部分及一第二基板部分。该方法进一步包含移除该第一基板部分以由该至少一个石墨烯层形成一独立薄膜。该独立薄膜借由该第二基板部分支撑。

6. 发明专利

TW201820031A 光阻組合物审中-公开
简体标题：光阻组合物
公开(公告)号：TW201820031A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106115586
申请日：2017-05-11
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：福爾特赫伊曾威廉-彼德 , VOORTHUIJZEN, WILLEM-PIETER , 凡雷爾瑪莉-克萊爾 , VAN LARE, MARIE-CLAIRE , 威斯特珊德弗瑞德瑞克 , WUISTER, SANDER FREDERIK
IPC分类号： G03F7/004
摘要：本發明提供一種光阻組合物，其包含：a)含有金屬之奈米粒子及/或奈米簇；及b)配位體及或有機連接子，其中a)或b)中之一者或兩者係多價的。一種光阻組合物，其中： i) 該光阻組合物係一負性光阻，且該等奈米粒子及/或奈米簇在該等配位體及/或有機連接子在曝露於電磁輻射或一電子束之後進行交聯後即成簇；或 ii) 該光阻組合物係一負性光阻，且該等配位體及/或有機連接子經交聯，且交聯鍵在曝露於電磁輻射或一電子束後即斷裂，從而允許該等奈米粒子及/或奈米簇成簇在一起；或該光阻組合物係一正性光阻，且該等配位體及/或有機連接子經交聯，且該等交聯鍵在曝露於電磁輻射或一電子束後即斷裂。
简体摘要：本发明提供一种光阻组合物，其包含：a)含有金属之奈米粒子及/或奈米簇；及b)配位体及或有机连接子，其中a)或b)中之一者或两者系多价的。一种光阻组合物，其中： i) 该光阻组合物系一负性光阻，且该等奈米粒子及/或奈米簇在该等配位体及/或有机连接子在曝露于电磁辐射或一电子束之后进行交联后即成簇；或 ii) 该光阻组合物系一负性光阻，且该等配位体及/或有机连接子经交联，且交联键在曝露于电磁辐射或一电子束后即断裂，从而允许该等奈米粒子及/或奈米簇成簇在一起；或该光阻组合物系一正性光阻，且该等配位体及/或有机连接子经交联，且该等交联键在曝露于电磁辐射或一电子束后即断裂。

7. 发明专利

TW201807507A 用於極紫外線微影之膜审中-公开
简体标题：用于极紫外线微影之膜
公开(公告)号：TW201807507A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106113642
申请日：2017-04-24
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：納莎里維奇邁可辛亞歷山德羅維奇 , NASALEVICH, MAXIM ALEKSANDROVICH , 艾柏格艾瑞克阿奇里斯 , ABEGG, ERIK ACHILLES , 班諾吉尼魯潘 , BANERJEE, NIRUPAM , 布勞米契爾亞歷山卓 , BLAUW, MICHIEL ALEXANDER , 布朗司德克瑟華提思傑卓達 , BROUNS, DERK SERVATIUS GERTRUDA , 簡森保羅 , JANSSEN, PAUL , 可魯依寧嘉馬提亞斯 , KRUIZINGA, MATTHIAS , 蘭德林克愛伯革 , LENDERINK, EGBERT , 邁可辛尼可拉 , MAXIM, NICOLAE , 倪祺佩洛安得列 , NIKIPELOV, ANDREY , 諾登布雅努威稜 , NOTENBOOM, ARNOUD WILLEM , 彼烈戈克勞蒂亞 , PILIEGO, CLAUDIA , 彼得瑪莉亞 , PETER, MARIA , 瑞斯朋吉斯博特 , RISPENS, GIJSBERT , 碩納德嘉 , SCHUH, NADJA , 范戴克豪夫馬卡斯安德納斯 , VAN DE KERKHOF, MARCUS ADRIANUS , 汎德贊登威廉裘 , VAN DER ZANDE, WILLEM JOAN , 凡柔彼德-珍 , VAN ZWOL, PIETER-JAN , 沃伯格安東尼斯威廉 , VERBURG, ANTONIUS WILLEM , 費爾莫默朗約翰內斯佩特魯斯馬丁努斯伯納德斯 , VERMEULEN, JOHANNES PETRUS MARTINUS BERNARDUS , 凡爾斯大衛凡迪奈德 , VLES, DAVID FERDINAND , 福爾特赫伊曾威廉-彼德 , VOORTHUIJZEN, WILLEM-PIETER , 茲德拉夫科夫亞歷山得尼可拉夫 , ZDRAVKOV, ALEKSANDAR NIKOLOV
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/62 , G03F1/24
CPC分类号： G03F1/62 , G03F1/82
摘要：揭示用於EUV微影之膜。在一個配置中，一膜包含具有按以下次序之層之一堆疊：一第一罩蓋層，其包含第一金屬之氧化物；一基層，其包含化合物，該化合物包含第二金屬及選自由以下各者組成之群組之額外元素：Si、B、C及N；及一第二罩蓋層，其包含第三金屬之氧化物，其中該第一金屬不同於該第二金屬且該第三金屬相同或不同於該第一金屬。
简体摘要：揭示用于EUV微影之膜。在一个配置中，一膜包含具有按以下次序之层之一堆栈：一第一罩盖层，其包含第一金属之氧化物；一基层，其包含化合物，该化合物包含第二金属及选自由以下各者组成之群组之额外元素：Si、B、C及N；及一第二罩盖层，其包含第三金属之氧化物，其中该第一金属不同于该第二金属且该第三金属相同或不同于该第一金属。

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