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1. 发明专利

TW201715198A 計量方法、輻射源、計量裝置及器件製造方法审中-公开
简体标题：计量方法、辐射源、计量设备及器件制造方法
公开(公告)号：TW201715198A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105125819
申请日：2016-08-12
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：波里亞考夫艾利希奧利高維奇 , POLYAKOV, ALEXEY OLEGOVICH , 昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD , 白尼凡丁葉弗真葉米希 , BANINE, VADIM YEVGENYEVICH , 凡斯庫瑞恩柯恩艾德瑞安納斯 , VERSCHUREN, COEN ADRIANUS
IPC分类号： G01B11/02 , G01N21/892 , G01N21/47 , G01N23/20
CPC分类号： H05G2/00 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G21K1/06
摘要：藉由至少第一次運用由逆康普頓散射而產生之EUV輻射(304)輻照藉由微影製成或用於微影中之一目標結構(T)來檢測該結構。偵測(312)在反射或透射中之由該目標結構散射之輻射(308)，且藉由一處理器(340)基於該所偵測之散射輻射來計算該目標結構之屬性。該輻射可具有在0.1奈米至125奈米之EUV範圍內之一第一波長。在使用同一源且控制一電子能量的情況下，可運用在該EUV範圍內之不同波長及/或運用較短(x射線)波長及/或運用較長(UV光、可見光)波長來輻照該結構多次。藉由在逆康普頓散射源中快速切換電子能量，可每秒執行在不同波長下之輻照若干次。
简体摘要：借由至少第一次运用由逆康普顿散射而产生之EUV辐射(304)辐照借由微影制成或用于微影中之一目标结构(T)来检测该结构。侦测(312)在反射或透射中之由该目标结构散射之辐射(308)，且借由一处理器(340)基于该所侦测之散射辐射来计算该目标结构之属性。该辐射可具有在0.1奈米至125奈米之EUV范围内之一第一波长。在使用同一源且控制一电子能量的情况下，可运用在该EUV范围内之不同波长及/或运用较短(x射线)波长及/或运用较长(UV光、可见光)波长来辐照该结构多次。借由在逆康普顿散射源中快速切换电子能量，可每秒运行在不同波长下之辐照若干次。

2. 发明专利

TW201629431A 度量衡方法、度量衡裝置及元件製造方法审中-公开
简体标题：度量衡方法、度量衡设备及组件制造方法
公开(公告)号：TW201629431A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW105102097
申请日：2016-01-22
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD
IPC分类号： G01B15/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70591 , G03F7/70625 , G03F7/70633
摘要：藉由為一微影製造系統之部分之一微影裝置(LA)將一圖案施覆至一基板(W)。產生具有大小小於10nm之特徵的結構。目標包含具有一週期性方向(D)之光柵。一偵測器406捕獲一或多個繞射光譜以實施一小角度X射線散射(T-SAXS)度量衡。自所捕獲之該光譜(例如)藉由重新建構計算諸如線寬(CD)之性質。當投影至該基板之一平面上時，該輻照方向相對於與該基板垂直之一方向(N)定義一非零極角(θ)且相對於該週期性方向(D)定義一非零方位角(φ)。藉由選擇一合適方位角，可藉由一重要因素提高該目標之該繞射效率。此允許量測時間相較於已知技術顯著減少。
简体摘要：借由为一微影制造系统之部分之一微影设备(LA)将一图案施覆至一基板(W)。产生具有大小小于10nm之特征的结构。目标包含具有一周期性方向(D)之光栅。一侦测器406捕获一或多个绕射光谱以实施一小角度X射线散射(T-SAXS)度量衡。自所捕获之该光谱(例如)借由重新建构计算诸如线宽(CD)之性质。当投影至该基板之一平面上时，该辐照方向相对于与该基板垂直之一方向(N)定义一非零极角(θ)且相对于该周期性方向(D)定义一非零方位角(φ)。借由选择一合适方位角，可借由一重要因素提高该目标之该绕射效率。此允许量测时间相较于已知技术显着减少。

3. 发明专利

TWI613512B 用於識別一產品結構中之缺陷之方法、檢測設備及電腦程式產品及相關器件製造方法有权
简体标题：用于识别一产品结构中之缺陷之方法、检测设备及电脑进程产品及相关器件制造方法
公开(公告)号：TWI613512B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105125820
申请日：2016-08-12
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD
IPC分类号： G03F1/84 , G01N21/956 , G03F7/20 , G02B21/36 , G03F1/24
CPC分类号： G03F7/7065 , G01N21/4788 , G01N21/95607 , G01N2021/95615 , G01N2201/06113 , G01N2201/12 , G02B21/365 , G02B21/367 , G03F1/24 , G03F1/84 , G21K7/00 , G21K2207/00 , G21K2207/005

4. 发明专利

TWI563350B 於度量衡中使用之基板及圖案化器件、度量衡方法及器件製造方法有权
简体标题：于度量衡中使用之基板及图案化器件、度量衡方法及器件制造方法
公开(公告)号：TWI563350B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW104113769
申请日：2015-04-29
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD , 蔻妮威樂馬力朱立亞麻索 , COENE, WILLEM MARIE JULIA MARCEL
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/70683

5. 发明专利

TWI539247B 檢測裝置及方法，微影系統及器件製造方法有权
简体标题：检测设备及方法，微影系统及器件制造方法
公开(公告)号：TWI539247B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW103142906
申请日：2014-12-09
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD
IPC分类号： G03F7/20 , G01B11/00
CPC分类号： G03F7/70516 , G01B11/06 , G01B11/14 , G03F7/70625

6. 发明专利

TW201546569A 於度量衡中使用之基板及圖案化器件、度量衡方法及器件製造方法审中-公开
简体标题：于度量衡中使用之基板及图案化器件、度量衡方法及器件制造方法
公开(公告)号：TW201546569A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104113769
申请日：2015-04-29
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD , 蔻妮威樂馬力朱立亞麻索 , COENE, WILLEM MARIE JULIA MARCEL
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/70683
摘要：藉由一微影裝置(LA)將來自一圖案化器件(M)之一圖案施加至一基板(W)。該經施加圖案包括產品特徵及度量衡目標(600、604)。該等度量衡目標包括用於使用X射線散射(度量衡裝置104)來量測疊對之大目標(600a)及用於藉由可見光輻射之繞射(度量衡裝置102)來量測疊對之小目標(600b、604)。該等較小目標(604)中之一些分佈於該等較大目標之間的部位處，而其他小目標(600b)置放於與一大目標相同的部位處。藉由比較在該相同部位處之使用一小目標(600b)及大目標(600a)而量測之值，為了較佳準確度可校正使用所有該等小目標所量測之參數值(704)。該等大目標可主要位於切割道(SL)內，而該等小目標分佈於產品區域(602，D)內。
简体摘要：借由一微影设备(LA)将来自一图案化器件(M)之一图案施加至一基板(W)。该经施加图案包括产品特征及度量衡目标(600、604)。该等度量衡目标包括用于使用X射线散射(度量衡设备104)来量测叠对之大目标(600a)及用于借由可见光辐射之绕射(度量衡设备102)来量测叠对之小目标(600b、604)。该等较小目标(604)中之一些分布于该等较大目标之间的部位处，而其他小目标(600b)置放于与一大目标相同的部位处。借由比较在该相同部位处之使用一小目标(600b)及大目标(600a)而量测之值，为了较佳准确度可校正使用所有该等小目标所量测之参数值(704)。该等大目标可主要位于切割道(SL)内，而该等小目标分布于产品区域(602，D)内。

7. 发明专利

TW201702750A 度量衡方法、度量衡裝置及元件製造方法审中-公开
简体标题：度量衡方法、度量衡设备及组件制造方法
公开(公告)号：TW201702750A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105109263
申请日：2016-03-24
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V. , 亞琛工業大學 , RWTH AACHEN UNIVERSITY
发明人：昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD , 丹尼路克瑟希 , DANYLYUK, SERHIY
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/956 , G01N21/95
CPC分类号： G01N21/956 , G01N21/8806 , G01N2021/95676 , G03F7/2004 , G03F7/70625 , G06K9/00
摘要：一種微影製造系統，其產生具有小於10奈米之特徵大小及一週期性方向(D)之週期性結構。具有在EUV光譜(1奈米至100奈米或1奈米至150奈米)中之一波長範圍的一輻射光束(1904)聚焦成具有大約5微米直徑之一光點(S)。反射輻射(1908)分解成一光譜(1910)，該光譜經捕捉(1913)以獲得一目標光譜信號(ST)。偵測(1914)一參考光譜以獲得一參考光譜信號(SR)。視情況提供一偵測器(1950)以使用由目標之光柵結構一階繞射之輻射來獲得一另外光譜信號(SF)。可調整入射角(α)及方位角(φ)。在一或多個角度下獲得之該等信號(ST、SR、SF)係用以演算目標之經量測屬性，例如，CD及疊對。
简体摘要：一种微影制造系统，其产生具有小于10奈米之特征大小及一周期性方向(D)之周期性结构。具有在EUV光谱(1奈米至100奈米或1奈米至150奈米)中之一波长范围的一辐射光束(1904)聚焦成具有大约5微米直径之一光点(S)。反射辐射(1908)分解成一光谱(1910)，该光谱经捕捉(1913)以获得一目标光谱信号(ST)。侦测(1914)一参考光谱以获得一参考光谱信号(SR)。视情况提供一侦测器(1950)以使用由目标之光栅结构一阶绕射之辐射来获得一另外光谱信号(SF)。可调整入射角(α)及方位角(φ)。在一或多个角度下获得之该等信号(ST、SR、SF)系用以演算目标之经量测属性，例如，CD及叠对。

8. 发明专利

TWI626422B 計量方法、輻射源、計量裝置及器件製造方法有权
简体标题：计量方法、辐射源、计量设备及器件制造方法
公开(公告)号：TWI626422B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW105125819
申请日：2016-08-12
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：波里亞考夫艾利希奧利高維奇 , POLYAKOV, ALEXEY OLEGOVICH , 昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD , 白尼凡丁葉弗真葉米希 , BANINE, VADIM YEVGENYEVICH , 凡斯庫瑞恩柯恩艾德瑞安納斯 , VERSCHUREN, COEN ADRIANUS
IPC分类号： G01B11/02 , G01N21/892 , G01N21/47 , G01N23/20

9. 发明专利

TWI609250B 度量衡方法、度量衡裝置及元件製造方法有权
简体标题：度量衡方法、度量衡设备及组件制造方法
公开(公告)号：TWI609250B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW105109263
申请日：2016-03-24
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD , 丹尼路克瑟希 , DANYLYUK, SERHIY
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/956 , G01N21/95
CPC分类号： G01N21/956 , G01N21/8806 , G01N2021/95676 , G03F7/2004 , G03F7/70625 , G06K9/00

10. 发明专利

TWI603054B 量測由一微影製程製造之一結構之一性質之方法、用於量測一微影製程之效能之度量衡裝置及元件製造方法有权
简体标题：量测由一微影制程制造之一结构之一性质之方法、用于量测一微影制程之性能之度量衡设备及组件制造方法
公开(公告)号：TWI603054B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW105102097
申请日：2016-01-22
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD
IPC分类号： G01B15/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70591 , G03F7/70625 , G03F7/70633

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