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1. 发明专利

TWI502286B 用於進階微影術之可察知透鏡升溫的源光罩最佳化有权
简体标题：用于进阶微影术之可察知透镜升温的源光罩最优化
公开(公告)号：TWI502286B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW102105036
申请日：2013-02-08
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：克魯斯麥可馬修 , CROUSE, MICHAEL MATTHEW , 凡多姆倫尤瑞喬漢那勞瑞提斯瑪利亞 , VAN DOMMELEN, YOURI JOHANNES LAURENTIUS MARIA , 劉朋 , LIU, PENG , 劉華玉 , LIU, HUA-YU , 蔣愛琴 , JIANG, AIQIN , 黃文謹 , HUANG, WENJIN
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G06F17/5081 , G03F7/70125 , G03F7/70433 , G03F7/705 , G03F7/70891

2. 发明专利

TWI495961B 用於三維拓樸晶圓之微影模型有权
简体标题：用于三维拓朴晶圆之微影模型
公开(公告)号：TWI495961B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW101125925
申请日：2012-07-18
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：劉朋 , LIU, PENG
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/705

3. 发明专利

TWI519901B 用於三維抗蝕分佈模擬之微影模型有权
简体标题：用于三维抗蚀分布仿真之微影模型
公开(公告)号：TWI519901B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW102104054
申请日：2013-02-01
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：劉朋 , LIU, PENG
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G06F17/5009 , G03F7/705 , G03F7/70625 , G03F7/70666

4. 发明专利

TW201437736A 用於三維圖案化器件之微影模型审中-公开
简体标题：用于三维图案化器件之微影模型
公开(公告)号：TW201437736A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103104979
申请日：2014-02-14
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：劉朋 , LIU, PENG
IPC分类号： G03F1/36
CPC分类号： G03F7/7055 , G03F7/70441 , G03F7/705
摘要：本文揭示一種用於在一微影投影裝置中模擬包含一或多個特徵之一圖案化器件之一散射輻射場的電腦實施方法，該方法包含：使用該一或多個特徵之特徵元件之一或多個散射函數來判定該圖案化器件之一散射函數；其中該一或多個特徵中至少一者為一三維特徵，或該一或多個散射函數特性化該等特徵元件上處於複數個入射角之入射輻射場之散射。
简体摘要：本文揭示一种用于在一微影投影设备中仿真包含一或多个特征之一图案化器件之一散射辐射场的电脑实施方法，该方法包含：使用该一或多个特征之特征组件之一或多个散射函数来判定该图案化器件之一散射函数；其中该一或多个特征中至少一者为一三维特征，或该一或多个散射函数特性化该等特征组件上处于复数个入射角之入射辐射场之散射。

5. 发明专利

TW201341970A 用於進階微影術之可察知透鏡升溫的源光罩最佳化审中-公开
简体标题：用于进阶微影术之可察知透镜升温的源光罩最优化
公开(公告)号：TW201341970A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102105036
申请日：2013-02-08
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：克魯斯麥可馬修 , CROUSE, MICHAEL MATTHEW , 凡多姆倫尤瑞喬漢那勞瑞提斯瑪利亞 , VAN DOMMELEN, YOURI JOHANNES LAURENTIUS MARIA , 劉朋 , LIU, PENG , 劉華玉 , LIU, HUA-YU , 蔣愛琴 , JIANG, AIQIN , 黃文謹 , HUANG, WENJIN
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G06F17/5081 , G03F7/70125 , G03F7/70433 , G03F7/705 , G03F7/70891
摘要：一種用於改良一微影程序之電腦實施方法，該微影程序用於使用包含一照明源及投影光學件之一微影投影裝置將一設計佈局之一部分成像至一基板上，該方法包括：計算為該微影程序之特性之複數個設計變數的一多變數成本函數，該等設計變數中至少一些為該照明源及該設計佈局之特性，該多變數成本函數之該計算考量透鏡升溫效應；及藉由調整該等設計變數直至滿足一預定義終止條件為止來重新組態該微影程序之該等特性。
简体摘要：一种用于改良一微影进程之电脑实施方法，该微影进程用于使用包含一照明源及投影光学件之一微影投影设备将一设计布局之一部分成像至一基板上，该方法包括：计算为该微影进程之特性之复数个设计变量的一多变量成本函数，该等设计变量中至少一些为该照明源及该设计布局之特性，该多变量成本函数之该计算考量透镜升温效应；及借由调整该等设计变量直至满足一预定义终止条件为止来重新组态该微影进程之该等特性。

6. 发明专利

TWI545392B 用於模擬圖案化器件之散射輻射場的電腦實施方法及相關電腦程式產品有权
简体标题：用于仿真图案化器件之散射辐射场的电脑实施方法及相关电脑进程产品
公开(公告)号：TWI545392B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW103104979
申请日：2014-02-14
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：劉朋 , LIU, PENG
IPC分类号： G03F1/36
CPC分类号： G03F7/7055 , G03F7/70441 , G03F7/705

7. 发明专利

TW201337472A 用於三維抗蝕分佈模擬之微影模型审中-公开
简体标题：用于三维抗蚀分布仿真之微影模型
公开(公告)号：TW201337472A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102104054
申请日：2013-02-01
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：劉朋 , LIU, PENG
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G06F17/5009 , G03F7/705 , G03F7/70625 , G03F7/70666
摘要：本文描述一種用於模擬形成於一基板上之一抗蝕劑層內之三維空間輻射強度分佈的方法，該三維空間輻射強度分佈係由一入射輻射引起，該方法包含：演算該抗蝕劑層中之前向傳播輻射與該抗蝕劑層中之後向傳播輻射的一不相干總和；演算該抗蝕劑層中之該前向傳播輻射與該抗蝕劑層中之該後向傳播輻射的一干涉；及自該不相干總和及該干涉演算該三維空間輻射強度分佈。
简体摘要：本文描述一种用于仿真形成于一基板上之一抗蚀剂层内之三维空间辐射强度分布的方法，该三维空间辐射强度分布系由一入射辐射引起，该方法包含：演算该抗蚀剂层中之前向传播辐射与该抗蚀剂层中之后向传播辐射的一不相干总和；演算该抗蚀剂层中之该前向传播辐射与该抗蚀剂层中之该后向传播辐射的一干涉；及自该不相干总和及该干涉演算该三维空间辐射强度分布。

8. 发明专利

TW201312286A 用於三維拓樸晶圓之微影模型审中-公开
简体标题：用于三维拓朴晶圆之微影模型
公开(公告)号：TW201312286A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101125925
申请日：2012-07-18
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：劉朋 , LIU, PENG
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/705
摘要：本文描述一種用於模擬由一入射輻射引起之形成於一基板上之一抗蝕劑層內之一影像的方法，該方法包含：演算該抗蝕劑層中之一深度處由該入射輻射引起之一前向傳播電場或前向傳播磁場；演算該抗蝕劑層中之該深度處由該入射輻射引起之一後向傳播電場或後向傳播磁場；自該前向傳播電場或前向傳播磁場且自該後向傳播電場或後向傳播磁場演算該抗蝕劑層中之該深度處之一輻射場，同時忽略該前向傳播電場或前向傳播磁場與該後向傳播電場或後向傳播磁場之間的一干涉。
简体摘要：本文描述一种用于仿真由一入射辐射引起之形成于一基板上之一抗蚀剂层内之一影像的方法，该方法包含：演算该抗蚀剂层中之一深度处由该入射辐射引起之一前向传播电场或前向传播磁场；演算该抗蚀剂层中之该深度处由该入射辐射引起之一后向传播电场或后向传播磁场；自该前向传播电场或前向传播磁场且自该后向传播电场或后向传播磁场演算该抗蚀剂层中之该深度处之一辐射场，同时忽略该前向传播电场或前向传播磁场与该后向传播电场或后向传播磁场之间的一干涉。

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