专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201606449A 判定劑量之方法、檢測裝置、圖案化器件、基板及器件製造方法审中-公开
简体标题：判定剂量之方法、检测设备、图案化器件、基板及器件制造方法
公开(公告)号：TW201606449A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104120598
申请日：2015-06-25
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：沃馬艾羅克 , VERMA, ALOK , 克瑞馬雨果奧格斯提納斯約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70558 , G01N21/4738 , G01N21/4785 , G01N2021/4735 , G03F7/70625 , G03F7/70683 , G03F7/7085
摘要：一種判定用於一微影程序中之一微影裝置在一基板上之曝光劑量之方法，該方法包含如下步驟：(a)收納包含使用該微影程序而產生之第一結構及第二結構之一基板；(b)在運用輻射來照明該第一結構的同時偵測散射輻射以獲得一第一散射計信號；(c)在運用輻射來照明該第二結構的同時偵測散射輻射以獲得一第二散射計信號；(d)使用該第一散射計信號及該第二散射計信號以判定用以產生該第一結構及該第二結構之一曝光劑量值，其中該第一結構具有：具有空間特性之一第一週期性特性，及具有經設計為受到該曝光劑量影響之空間特性之至少又一第二週期性特性；且該第二結構具有：具有空間特性之一第一週期性特性，及具有經設計為受到該曝光劑量影響之空間特性之至少又一第二週期性特性，其中該曝光劑量以一不同方式影響該第一結構及該第二結構之該等受曝光劑量影響之空間特性。
简体摘要：一种判定用于一微影进程中之一微影设备在一基板上之曝光剂量之方法，该方法包含如下步骤：(a)收纳包含使用该微影进程而产生之第一结构及第二结构之一基板；(b)在运用辐射来照明该第一结构的同时侦测散射辐射以获得一第一散射计信号；(c)在运用辐射来照明该第二结构的同时侦测散射辐射以获得一第二散射计信号；(d)使用该第一散射计信号及该第二散射计信号以判定用以产生该第一结构及该第二结构之一曝光剂量值，其中该第一结构具有：具有空间特性之一第一周期性特性，及具有经设计为受到该曝光剂量影响之空间特性之至少又一第二周期性特性；且该第二结构具有：具有空间特性之一第一周期性特性，及具有经设计为受到该曝光剂量影响之空间特性之至少又一第二周期性特性，其中该曝光剂量以一不同方式影响该第一结构及该第二结构之该等受曝光剂量影响之空间特性。

2. 发明专利

TWI604276B 判定邊緣置放誤差之方法，檢測裝置，圖案化器件，基板及器件製造方法有权
简体标题：判定边缘置放误差之方法，检测设备，图案化器件，基板及器件制造方法
公开(公告)号：TWI604276B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW104104295
申请日：2015-02-09
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：莫沙維特詩為德伊曼 , MOSSAVAT, SEYED IMAN , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 克瑞馬雨果奧格斯提納斯約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70591 , G01B11/272 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70683

3. 发明专利

TWI553428B 檢測方法及裝置、微影裝置、微影製程單元及元件製造方法有权
简体标题：检测方法及设备、微影设备、微影制程单元及组件制造方法
公开(公告)号：TWI553428B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW103105158
申请日：2010-05-11
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：丹伯夫艾瑞傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 克瑞馬雨果奧格斯提納斯約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH , 希尼保羅克利絲丁安 , HINNEN, PAUL CHRISTIAAN
IPC分类号： G03F7/207 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641

4. 发明专利

TW201535067A 判定邊緣置放誤差之方法，檢測裝置，圖案化器件，基板及器件製造方法审中-公开
简体标题：判定边缘置放误差之方法，检测设备，图案化器件，基板及器件制造方法
公开(公告)号：TW201535067A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104104295
申请日：2015-02-09
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：莫沙維特詩為德伊曼 , MOSSAVAT, SEYED IMAN , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS , 克瑞馬雨果奧格斯提納斯約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70591 , G01B11/272 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70683
摘要：一種判定使用一微影程序而產生之一結構內之邊緣置放誤差之方法，該方法包含如下步驟：(a)收納包含使用該微影程序而產生之一第一結構之一基板，該第一結構包含第一層及第二層，該等層中之每一者具有導電材料之第一區域及非導電材料之第二區域；(b)接收指示一第一目標相對位置之一目標信號，該第一目標相對位置指示在該微影程序期間在該第一結構中的該第一層之該等第一區域與該等第二區域之間的邊緣相對於該第二層之該等第一區域與該等第二區域之間的邊緣之一目標位置；(c)在運用光學輻射來照明該第一結構的同時偵測散射輻射以獲得一第一信號；及(d)基於該第一信號及該第一目標相對位置來確定一邊緣置放誤差參數。
简体摘要：一种判定使用一微影进程而产生之一结构内之边缘置放误差之方法，该方法包含如下步骤：(a)收纳包含使用该微影进程而产生之一第一结构之一基板，该第一结构包含第一层及第二层，该等层中之每一者具有导电材料之第一区域及非导电材料之第二区域；(b)接收指示一第一目标相对位置之一目标信号，该第一目标相对位置指示在该微影进程期间在该第一结构中的该第一层之该等第一区域与该等第二区域之间的边缘相对于该第二层之该等第一区域与该等第二区域之间的边缘之一目标位置；(c)在运用光学辐射来照明该第一结构的同时侦测散射辐射以获得一第一信号；及(d)基于该第一信号及该第一目标相对位置来确定一边缘置放误差参数。

5. 发明专利

TW201506553A 決定臨界尺寸相關特性之方法、檢測裝置及器件製造方法审中-公开
简体标题：决定临界尺寸相关特性之方法、检测设备及器件制造方法
公开(公告)号：TW201506553A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103119278
申请日：2014-06-03
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：克瑞馬雨果奧格斯提納斯約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH , 黃得智 , HUANG, TE CHIH , 麥更亨力克斯喬漢那蘭伯特 , MEGENS, HENRICUS JOHANNES LAMBERTUS , 丹包伊夫亞歷傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70133 , G03F7/70625
摘要：本發明揭示一種決定諸如臨界尺寸(CD)或曝光劑量之一臨界尺寸相關特性之方法。在一微影程序中使用一微影裝置來處理一晶圓以在該晶圓上產生具有不同各別臨界尺寸偏置之週期性目標。照明該等目標中每一者。量測由該等目標散射之輻射之強度。自影像辨識及提取每一光柵。決定一差異信號。接著，基於該差異信號、該等CD偏置及該差異信號在此等週期性目標之一1：1線至空間比率下近似於零之知識來決定諸如CD或曝光劑量之該CD相關特性。使用該經決定臨界尺寸相關特性以在後續晶圓之微影處理中控制該微影裝置。為了使用僅僅兩個CD偏置，一校準步驟可使用對一「黃金晶圓」(亦即，一參考晶圓)之量測以在具有已知CD的情況下決定針對CD對中每一對之強度梯度。替代地，校準可基於強度梯度對CD之敏感度之模擬。
简体摘要：本发明揭示一种决定诸如临界尺寸(CD)或曝光剂量之一临界尺寸相关特性之方法。在一微影进程中使用一微影设备来处理一晶圆以在该晶圆上产生具有不同各别临界尺寸偏置之周期性目标。照明该等目标中每一者。量测由该等目标散射之辐射之强度。自影像辨识及提取每一光栅。决定一差异信号。接着，基于该差异信号、该等CD偏置及该差异信号在此等周期性目标之一1：1线至空间比率下近似于零之知识来决定诸如CD或曝光剂量之该CD相关特性。使用该经决定临界尺寸相关特性以在后续晶圆之微影处理中控制该微影设备。为了使用仅仅两个CD偏置，一校准步骤可使用对一“黄金晶圆”(亦即，一参考晶圆)之量测以在具有已知CD的情况下决定针对CD对中每一对之强度梯度。替代地，校准可基于强度梯度对CD之敏感度之仿真。

6. 发明专利

TW201421172A 檢測方法及裝置、微影裝置、微影製程單元及元件製造方法审中-公开
简体标题：检测方法及设备、微影设备、微影制程单元及组件制造方法
公开(公告)号：TW201421172A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW103105158
申请日：2010-05-11
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：丹伯夫艾瑞傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 克瑞馬雨果奧格斯提納斯約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH , 希尼保羅克利絲丁安 , HINNEN, PAUL CHRISTIAAN
IPC分类号： G03F7/207 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641
摘要：本發明提供一種方法，其用以判定在一基板上用於一微影製程中之一微影裝置之聚焦。使用該微影製程以在該基板上形成至少兩個週期性結構。每一結構具有至少一特徵，該至少一特徵具有在相對側壁角度之間的一不對稱性，該不對稱性作為在該基板上該微影裝置之該聚焦之一不同函數而變化。量測藉由將一輻射光束引導至該至少兩個週期性結構上所產生之一光譜，且判定該等不對稱性之比率。使用每一結構的該等比率及在該聚焦與該側壁不對稱性之間的一關係來判定在該基板上該微影裝置之該聚焦。
简体摘要：本发明提供一种方法，其用以判定在一基板上用于一微影制程中之一微影设备之聚焦。使用该微影制程以在该基板上形成至少两个周期性结构。每一结构具有至少一特征，该至少一特征具有在相对侧壁角度之间的一不对称性，该不对称性作为在该基板上该微影设备之该聚焦之一不同函数而变化。量测借由将一辐射光束引导至该至少两个周期性结构上所产生之一光谱，且判定该等不对称性之比率。使用每一结构的该等比率及在该聚焦与该侧壁不对称性之间的一关系来判定在该基板上该微影设备之该聚焦。

7. 发明专利

TWI618988B 決定臨界尺寸相關特性之方法、檢測裝置及器件製造方法有权
简体标题：决定临界尺寸相关特性之方法、检测设备及器件制造方法
公开(公告)号：TWI618988B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW103119278
申请日：2014-06-03
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：克瑞馬雨果奧格斯提納斯約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH , 黃得智 , HUANG, TE CHIH , 麥更亨力克斯喬漢那蘭伯特 , MEGENS, HENRICUS JOHANNES LAMBERTUS , 丹包伊夫亞歷傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70133 , G03F7/70625

9. 发明专利

TWI597580B 判定劑量之方法、檢測裝置、圖案化器件、基板及器件製造方法有权
简体标题：判定剂量之方法、检测设备、图案化器件、基板及器件制造方法
公开(公告)号：TWI597580B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW104120598
申请日：2015-06-25
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：沃馬艾羅克 , VERMA, ALOK , 克瑞馬雨果奧格斯提納斯約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70558 , G01N21/4738 , G01N21/4785 , G01N2021/4735 , G03F7/70625 , G03F7/70683 , G03F7/7085

10. 发明专利

TW201405255A 檢測方法及裝置、微影系統及元件製造方法审中-公开
简体标题：检测方法及设备、微影系统及组件制造方法
公开(公告)号：TW201405255A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102124771
申请日：2013-07-10
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
发明人：沙恰羅柏特約翰 , SOCHA, ROBERT JOHN , 提那曼斯派翠西斯阿若瑟斯約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS , 維森尙皮耶雅格尼司亨利克司瑪利 , VAESSEN, JEAN-PIERRE AGNES HENRICUS MARIE , 克瑞馬雨果奧格斯提納斯約瑟夫 , CRAMER, HUGO AUGUSTINUS JOSEPH
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G01N23/203 , G03F7/70058 , G03F7/70625 , H01J37/26
摘要：一種檢測方法判定基板圖案之剖面參數之值。產生具有一基線圖案目標(BP)之一基線基板，該基線基板具有藉由剖面參數(例如，CD(中值臨界尺寸)、SWA(側壁角)及RH(抗蝕劑高度))描述之一剖面。使用散射量測以自第一目標及第二目標獲得第一信號及第二信號。使用一貝氏差異成本函數基於基線光瞳與受擾動光瞳之間的一差及該光瞳對圖案剖面參數之相依性而演算差異圖案剖面參數之值。舉例而言，對於一微影程序之穩定性控制，在一基線程序與一受擾動程序之間量測該差。亦自與該等圖案目標處於相同基板上之堆疊目標之觀測來演算經前饋差異堆疊參數。
简体摘要：一种检测方法判定基板图案之剖面参数之值。产生具有一基线图案目标(BP)之一基线基板，该基线基板具有借由剖面参数(例如，CD(中值临界尺寸)、SWA(侧壁角)及RH(抗蚀剂高度))描述之一剖面。使用散射量测以自第一目标及第二目标获得第一信号及第二信号。使用一贝氏差异成本函数基于基线光瞳与受扰动光瞳之间的一差及该光瞳对图案剖面参数之相依性而演算差异图案剖面参数之值。举例而言，对于一微影进程之稳定性控制，在一基线进程与一受扰动进程之间量测该差。亦自与该等图案目标处于相同基板上之堆栈目标之观测来演算经前馈差异堆栈参数。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式