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    • 6. 发明申请
    • METHOD OF SELECTIVELY DEPOSITING A THIN FILM MATERIAL AT A SEMICONDUCTOR INTERFACE
    • 在半导体界面选择性地沉积薄膜材料的方法
    • WO2007111679A2
    • 2007-10-04
    • PCT/US2006060273
    • 2006-10-26
    • APPLIED MATERIALS INCSTEWART MICHAEL PWEIDMAN TIMOTHY W
    • STEWART MICHAEL PWEIDMAN TIMOTHY W
    • C11D7/32
    • C11D7/08C11D7/3218C11D11/0047H01L21/02063H01L21/28518H01L21/76814
    • Embodiments of the invention provide processes to form a high quality contact level connection to devices formed on a substrate. In one embodiment, a method for depositing a material on a substrate is provided which includes exposing the substrate to a buffered oxide etch solution to form a silicon hydride layer during a pretreatment process, depositing a metal silicide layer on the substrate, and depositing a first metal layer (e.g., tungsten) on the metal silicide layer. The buffered oxide etch solution may contain hydrogen fluoride and an alkanolamine compound, such as ethanolamine, diethanolamine, or triethanolamine. The metal silicide layer may contain cobalt, nickel, or tungsten and may be deposited by an electroless deposition process. In one example, the substrate is exposed to an electroless deposition solution containing a solvent and a complexed metal compound.
    • 本发明的实施例提供了形成与形成在衬底上的器件的高质量接触水平连接的过程。 在一个实施例中,提供了用于在衬底上沉积材料的方法,其包括:在预处理工艺期间将衬底暴露于缓冲氧化物蚀刻溶液以形成硅氢化物层;在衬底上沉积金属硅化物层;以及沉积第一 金属硅化物层上的金属层(例如,钨)。 缓冲氧化物蚀刻溶液可以包含氟化氢和链烷醇胺化合物,例如乙醇胺,二乙醇胺或三乙醇胺。 金属硅化物层可以包含钴,镍或钨,并且可以通过无电沉积工艺来沉积。 在一个实例中,将衬底暴露于含有溶剂和络合金属化合物的无电沉积溶液。