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1. 发明申请

WO2006072717A1 DISPOSITIF ET PROCEDE POUR LE CONTROLE DE LA PROFONDEUR DE GRAVURE LORS DE LA GRAVURE ALTERNEE PAR PLASMA DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS. 审中-公开
标题翻译：用于控制半导体衬底的替代等离子体蚀刻时的蚀刻深度的装置和方法
公开(公告)号：WO2006072717A1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/FR2005/051011
申请日：2005-11-30
申请人： ALCATEL , PUECH, Michel , LAUNAY, Nicolas
发明人： PUECH, Michel , LAUNAY, Nicolas
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32935 , H01L21/3065 , H01L21/30655
摘要： La présente invention a pour objet un dispositif de contrôle de l'opération de gravure par plasma d'un substrat semiconducteur par la méthode de gravure alternée, comportant - une chambre de procédé (1) dans laquelle est traité ledit substrat (2), - un moyen de génération d'un plasma (6), - au moins une première fenêtre (7) ménagée dans une première paroi (8) de ladite chambre (1) faisant face à la surface à graver (2a) dudit substrat (2), - au moins une deuxième fenêtre (10) ménagée dans une deuxième paroi (11) de ladite chambre (1) disposée dans un plan différent de ladite première paroi (8), - un premier moyen (18) couplé à ladite deuxième fenêtre (10) pour détecter un signal optique (17) relatif à une longueur d'onde sélectionnée émise par ledit plasma (6), - un moyen d'émission (13, 15) d'un signal optique monochromatique (14) au travers de ladite première fenêtre (7) vers ladite surface (2a), selon une direction (9) sensiblement perpendiculaire à ladite surface (2a), de manière à ce que ledit signal incident (14a) se réfléchisse sur ladite surface (2a), - un deuxième moyen (16) pour détecter ledit signal réfléchi (14b), et - un moyen de transformation (19), couplé audit premier moyen (18) et audit deuxième moyen (16), pour transformer le signal détecté par ledit deuxième moyen (16) en fonction du signal détecté par ledit premier moyen (18).
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过交替蚀刻方法控制半导体衬底的等离子体蚀刻工艺的装置，包括：处理所述衬底（2）的处理室（1），等离子体产生装置（6），至少一个窗口 7），设置在所述腔室（1）的面向衬底（2）的被蚀刻表面（2a）的第一壁（8）中，设置在所述衬底（2）的第二壁（11）中的至少一个第二窗口（1），其布置在与所述第一壁（8）不同的平面中，耦合到所述第二窗口（10）的第一装置（18）以检测关于由所述等离子体（6）发射的选定波长的光信号（17）用于沿着基本上垂直于所述表面（2a）的方向（9）向所述表面（2a）发射（13,15）通过所述第一窗口（7）的单色光信号（14），使得所述入射信号）被反射到所述表面（2a）上，第二装置（16）用于检测所述反射信号（14b），并转换我（19），耦合到所述第一装置（18）和所述第二装置（16），以基于由所述第一装置（18）检测的信号来变换由所述第二装置（16）检测到的信号。

2. 发明申请

WO2006134289A1 PROCEDE DE PILOTAGE DE LA PRESSION DANS UNE CHAMBRE DE PROCEDE 审中-公开
标题翻译：控制过程室内压力的方法
公开(公告)号：WO2006134289A1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/FR2006/050519
申请日：2006-06-05
申请人： ALCATEL , LAUNAY, Nicolas
发明人： LAUNAY, Nicolas
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/26 , H01L21/30655
摘要： La présente invention a pour objet un procédé de traitement par plasma d'un substrat semi-conducteur, dans une chambre de procédé reliée à une ligne de vide par l'intermédiaire d'une vanne, comprenant en alternance au moins une étape de gravure et au moins une étape de passivation, caractérisé en ce qu'il comporte les opérations suivantes : (a) on définit une pression de référence P ref à laquelle on souhaite effectuer le traitement, (b) on fixe la position de la vanne lors de la première étape de gravure, (c) on laisse la pression dans la chambre de procédé se stabiliser pendant n cycles, (d) on mesure la pression dans la chambre de procédé durant l'étape de gravure pendant m cycles, avec m au moins égal à 2, et on calcule une valeur moyenne de pression P c à partir des mesures effectuées, (e) après n + m cycles, on rectifie la position de la vanne dans en vue d'obtenir une pression dans la chambre de procédé qui se rapproche de la valeur de pression de référence P ref , (e) on renouvelle les étapes (c) à (e) jusqu'à ce que la pression moyenne calculée P c soit sensiblement égale à la valeur de pression de référence P ref de telle sorte qu'il ne soit plus nécessaire de rectifier la position de la vanne.
摘要翻译：本发明涉及一种用于等离子体处理在经由阀连接到真空管线的处理室中的半导体衬底的方法，所述方法包括以交替方式包括至少一个蚀刻步骤和至少钝化步骤，其特征在于，其包括以下操作：（a）参考压力P 被定义在哪一个人想进行处理; （b）在第一蚀刻步骤期间阀的位置是固定的; （c）处理室内的压力允许在n个循环期间稳定; （d）在m个等于至少2的m个循环期间在蚀刻步骤期间测量处理室内部的压力，并且根据传导测量计算平均压力值P C < （e）在n + m个循环之后，调整阀的位置以便获得更接近基准压力值P 的处理室内的压力; （f）重复步骤（c）至（e），直到计算出的平均压力P 基本上等于参考压力值P ，因此不再需要调节阀的位置。

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