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1. 发明申请

WO2009112730A2 METHOD FOR RECYCLING SILANE (SIH4) 审中-公开
标题翻译：回收硅烷的方法（SIH 4 ）
公开(公告)号：WO2009112730A2
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/FR2009050262
申请日：2009-02-18
申请人： AIR LIQUIDE , BRIEND PIERRE , ALBAN BRUNO , CHEVREL HENRI , JAHAN DENIS
发明人： BRIEND PIERRE , ALBAN BRUNO , CHEVREL HENRI , JAHAN DENIS
IPC分类号： C01B33/029
CPC分类号： C23C16/45593 , C01B33/043 , C01B33/046 , C23C16/24 , C23C16/4412
摘要： The invention relates to a method for recycling silane that comprises the following consecutive steps: a) injecting a mixture of pure silane/pure hydrogen (SiH4/H2) in a reaction chamber for making silicon-containing thin layers; b) extracting from the mixture the excess of silane not used during step a) / hydrogen (SiH4/H2) via a pump using a supply gas; c) discharging from said pump, at a pressure close to the atmospheric pressure, a mixture containing at least silane (SiH4), hydrogen (H2) and an amount different from zero of said supply gas; d) separating the silane (SiH4) from the hydrogen/supply gas mixture resulting from the mixture from step c), the silane thus obtained containing less than 100 ppm of supply gas, preferably less than 10 ppm of supply gas and more preferably less than 1 ppm of supply gas; characterised in that at least 50%, preferably 70%, and more preferably 80% of the silane (SiH4) from step b) is reused after step d) for a new step a).
摘要翻译：本发明涉及一种回收硅烷的方法，包括以下连续步骤：a）在用于制造含硅薄层的反应室中注入纯硅烷/纯氢（SiH4 / H2）的混合物; b）通过使用供给气体的泵，从步骤a）/氢（SiH 4 / H 2）中从混合物中提取未使用的过量的硅烷; c）在接近大气压的压力下从所述泵排出至少包含硅烷（SiH 4），氢（H 2）和与所述供应气体不同于零的量的混合物; d）从由步骤c）的混合物得到的氢/供应气体混合物中分离硅烷（SiH 4），所得到的硅烷含有少于100ppm的供应气体，优选小于10ppm的供应气体，更优选小于 1 ppm供气; 其特征在于，在步骤d）之后，再次使用来自步骤b）的至少50％，优选70％，更优选80％的硅烷（SiH 4）用于新的步骤a）。

2. 发明专利

FR2933714A1 PROCEDE DE RECYCLAGE DE SILANE (SIH4) 未知
公开(公告)号：FR2933714A1
公开(公告)日：2010-01-15
申请号：FR0854746
申请日：2008-07-11
申请人： AIR LIQUIDE
发明人： CHEVREL HENRI , JAHAN DENIS , ALBAN BRUNO , BRIEND PIERRE
IPC分类号： C23C16/455
摘要： Procédé de recyclage de silane comprenant les étapes successives suivantes : a) Injection d'un mélange silane pur/hydrogène pur (SiH4/H2) dans une chambre de réaction pour fabriquer des couches minces contenant du silicium ; b) Extraction du mélange : excès de silane non utilisé à l'étape a) / hydrogène (SiH4/H2), au moyen d'une pompe mettant en oeuvre un gaz d'alimentation ; c) Refoulement de ladite pompe à une pression proche de la pression atmosphérique, d'un mélange comprenant au moins du silane (SiH4), de l'hydrogène (H2) et une quantité non nulle dudit gaz d'alimentation ; d) Séparation du silane (SiH4) du mélange hydrogène/gaz d'alimentation issus du mélange issu de l'étape c), ledit silane obtenu comprenant moins de 100 ppm de gaz d'alimentation, de préférence moins de 10 ppm de gaz d'alimentation, de préférence moins de 1 ppm de gaz d'alimentation ; caractérisé en ce qu'au moins 50%, de préférence 70%, et de préférence encore 80% du silane (SiH4) issu de l'étape b) est réutilisé après l'étape d) pour une nouvelle étape a).

3. 发明专利

FR2955786B1 PROCEDE DE CAPTURE SELECTIVE DE SIF4 未知
公开(公告)号：FR2955786B1
公开(公告)日：2012-04-06
申请号：FR1050632
申请日：2010-01-29
申请人： AIR LIQUIDE
发明人： JAHAN DENIS , LE DIRACH JOCELYN , ALBAN BRUNO , COEURET FRANCOIS
IPC分类号： B01D53/81 , B01D53/68 , C01B33/04 , C01B33/107 , C23C16/24 , C23C16/455 , H01L21/365 , H01L31/0392

4. 发明专利

FR2933714B1 PROCEDE DE RECYCLAGE DE SILANE (SIH4) 未知
公开(公告)号：FR2933714B1
公开(公告)日：2011-05-06
申请号：FR0854746
申请日：2008-07-11
申请人： AIR LIQUIDE
发明人： CHEVREL HENRI , JAHAN DENIS , ALBAN BRUNO , BRIEND PIERRE
IPC分类号： C23C16/455

5. 发明专利

FR2923221B1 PROCEDE DE DEPOT PAR CVD OU PVD DE COMPOSES DE BORE 未知
公开(公告)号：FR2923221B1
公开(公告)日：2012-06-01
申请号：FR0758844
申请日：2007-11-07
申请人： AIR LIQUIDE
发明人： PINCHART AUDREY , JAHAN DENIS
IPC分类号： C23C16/38 , H01L31/18

6. 发明专利

FR2955867B1 PROCEDE DE RECYCLAGE DE SILANE 未知
公开(公告)号：FR2955867B1
公开(公告)日：2012-04-06
申请号：FR1050637
申请日：2010-01-29
申请人： AIR LIQUIDE
发明人： JAHAN DENIS , LE DIRACH JOCELYN , ALBAN BRUNO , COEURET FRANCOIS
IPC分类号： C23C16/455 , B01D53/68 , B01D53/81 , C01B33/04 , C01B33/107 , C23C16/24 , H01L21/365 , H01L31/0392

7. 发明专利

FR2955786A1 PROCEDE DE CAPTURE SELECTIVE DE SIF4 未知
公开(公告)号：FR2955786A1
公开(公告)日：2011-08-05
申请号：FR1050632
申请日：2010-01-29
申请人： AIR LIQUIDE
发明人： JAHAN DENIS , LE DIRACH JOCELYN , ALBAN BRUNO , COEURET FRANCOIS
IPC分类号： B01D53/81 , B01D53/68 , C01B33/04 , C01B33/107 , C23C16/24 , C23C16/455 , H01L21/365 , H01L31/0392
摘要： Procédé de capture sélective de tétrafluorure de silicium (SiF4) comprenant au moins une étape d'introduction d'un flux gazeux comprenant de 60% à 75% d'azote (N2), de 20% à 35% d'hydrogène (H2), de 1,5% à 4% de silane (SiH4) et de 100 ppm à 0,3% de tétrafluorure de silicium (SiF4), dans un réacteur de piégeage contenant au moins un fluorure de métal ne réagissant qu'avec le SiF4, caractérisé en ce que ledit fluorure de métal est un adsorbant solide de type nF2/nM, où n = 2 lorsque M est un métal alcalin choisi parmi Li, Na, K, Rb, Cs, Fr et n = 1 lorsque M est un métal alcalino terreux choisi parmi Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra.

8. 发明专利

FR2925525A1 APPAREIL ET PROCEDE POUR TRAITEMENT DE SURFACE AU MOYEN D'UNE DECHARGE A BARRIERE DIELECTRIQUE DANS UN GAZ PERMETTANT DE TRAITER DEUX SUBSTRATS SIMULTANEMENT 未知
公开(公告)号：FR2925525A1
公开(公告)日：2009-06-26
申请号：FR0759972
申请日：2007-12-19
申请人： AIR LIQUIDE
发明人： JAHAN DENIS , MADEC ALAIN
IPC分类号： C23C16/50 , C23C8/06
摘要： Appareil pour la mise en oeuvre d'un procédé de traitement en continu de substrats par décharge à barrière diélectrique permettant le traitement simultané de deux substrats, comprenant:- une première électrode,- une deuxième électrode, l'une au moins des électrodes étant recouverte d'une barrière diélectrique,- des moyens d'amenée d'au moins deux substrats dans l'espace entre les deux électrodes ;- un moyen de mise en contact intime de la première électrode avec l'une des faces d'un premier substrat,- un moyen de mise en contact intime de la seconde électrode avec l'une des faces d'un second substrat,- un moyen de maintien de la deuxième électrode à une distance constante de la première électrode,- un moyen d'alimentation de l'espace situé entre les deux substrats en un gaz de traitement ;lesdites première et deuxième électrodes étant reliées à une source d'alimentation électrique de façon à ce que la décharge se fasse entre les électrodes, et de façon à créer un plasma dans le gaz de traitement entre les deux substrats.

9. 发明专利

FR2923945A1 PROCEDE ET DISPOSITIF DE PRODUCTION D'UNE DECHARGE HOMOGENE SUR SUBSTRATS NON ISOLANTS 未知
公开(公告)号：FR2923945A1
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：FR0759201
申请日：2007-11-21
申请人： AIR LIQUIDE , CENTRE NAT RECH SCIENT
发明人： MASSINES FRANCOISE , NAUDE NICOLAS , JAHAN DENIS
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/3205
摘要： Procédé de formation d'une décharge sous atmosphère contrôlée dans lequel, à une pression inférieure à 2 105 Pa et de préférence se situant à la pression atmosphérique :- on prévoit une installation comprenant un premier applicateur et un second applicateur, au moins un applicateur étant une électrode (1) couverte d'un diélectrique (2), un générateur alternatif haute tension, l'écartement utile entre les applicateurs étant compris entre 0,02 et 1 cm, un dispositif (5) de réalisation d'une atmosphère contrôlée entre les applicateurs, et optionnellement un dispositif de chauffage ou de refroidissement (4)- on installe un substrat (3) non isolant entre les deux applicateurs,- on alimente l'installation en haute tension pour former une décharge homogène sur le substrat (3) non isolant en limitant le courant traversant la décharge à un niveau évitant l'apparition de lieux de passage préférentiel du courant, et ainsi obtenant une décharge homogène,et application d'un tel procédé au dépôt de couches minces sur substrats non isolants.

10. 发明专利

FR2955867A1 PROCEDE DE RECYCLAGE DE SILANE 未知
公开(公告)号：FR2955867A1
公开(公告)日：2011-08-05
申请号：FR1050637
申请日：2010-01-29
申请人： AIR LIQUIDE
发明人： JAHAN DENIS , LE DIRACH JOCELYN , ALBAN BRUNO , COEURET FRANCOIS
IPC分类号： C23C16/455 , B01D53/68 , B01D53/81 , C01B33/04 , C01B33/107 , C23C16/24 , H01L21/365 , H01L31/0392
摘要： Procédé de recyclage de silane comprenant les étapes successives suivantes: a) Injection d'un mélange silane pur/hydrogène pur (SiH4/H2) dans une chambre de réaction pour fabriquer des couches minces contenant du silicium ; b) Extraction du mélange : excès de silane non utilisé à l'étape a) / hydrogène (SiH4/H2), au moyen d'une pompe mettant en œuvre un gaz d'alimentation ; c) Refoulement de ladite pompe à une pression proche de la pression atmosphérique, d'un mélange comprenant au moins du silane (SiH4), de l'hydrogène (H2), du tétrafluorure de silicium (SiF4) et une quantité non nulle dudit gaz d'alimentation; d) Séparation du tétrafluorure de silicium (SiF4) du mélange silane/hydrogène/gaz d'alimentation issus du mélange issu de l'étape c) ; caractérisé en ce qu'au moins 50%, de préférence 70%, et de préférence encore 80% du silane (SiH4) issu de l'étape b) est réutilisé après l'étape d) pour une nouvelle étape a).

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