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1. 发明授权

KR100907232B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100907232B1
公开(公告)日：2009-07-10
申请号：KR1020030034580
申请日：2003-05-30
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 후지사와데츠야 , 마츠키히로히사 , 이가와오사무 , 아이바요시타카 , 이쿠모마사미츠 , 사토미츠타카
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/24137 , H01L2224/24145 , H01L2224/24155 , H01L2224/24195 , H01L2224/24226 , H01L2224/24265 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/48471 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/83132 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/85399 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01043 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104 , H01L2924/19107 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 반도체 장치에서는, 재배열 배선을 형성하는 공정을 단순화하기 위해서 반도체 칩을 옆으로 나란히 배열하는 경우 복수의 반도체 칩 각각의 회로 형성면을 동일 레벨에 용이하게 배치시킬 수 있다. 2차원 배열의 접착제층을 통해 반도체 칩이 기판 위에 탑재된다. 수지층은 기판 위에 형성되고 반도체 소자 주위에 배치된다. 이 수지는 반도체 소자의 두께와 동일한 두께를 갖는다. 수지층의 표면과 반도체 소자의 회로 형성면 위에 유기 절연층이 형성된다. 유기 절연층과 반도체 칩의 전극 위에 재배열 배선층이 형성된다. 재배열 배선층의 배선을 통해서 반도체 소자의 회로 형성면에 외부 접속 단자가 전기적으로 접속된다.
반도체 장치, 더미 칩, 재배열 배선층, 회로 형성면
摘要翻译：在半导体器件中，为了简化形成重新布置的布线的工艺，当半导体芯片并排布置时，可以容易地将多个半导体芯片的电路形成表面布置在相同的水平面上。半导体芯片通过二维阵列的粘合层安装在基板上。树脂层形成在基板上并设置在半导体元件周围。该树脂的厚度等于半导体元件的厚度。有机绝缘层形成在树脂层的表面和半导体元件的电路形成表面上。重新排列的布线层形成在半导体芯片的有机绝缘层和电极上。外部连接端子通过重排布线层的布线电连接到半导体元件的电路形成表面。

2. 发明公开

KR1020080064159A 반도체 장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080064159A
公开(公告)日：2008-07-08
申请号：KR1020087011618
申请日：2005-11-17
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 노모토류지 , 아이바요시타카
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/56
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： At least one semiconductor element and a plurality of conductive members (6) for terminals for external connection are arranged on an adhesive tape (2), and electrodes of the semiconductor element and the conductive members (6) are connected electrically. The semiconductor element and the conductive members (6) are encapsulated on the adhesive tape (2) with an encapsulation resin (12), and the adhesive tape (2) is separated from the semiconductor device. The conductive members (6) are separately formed pellet-shaped conductive members and exposed from the encapsulation resin (12) for serving as terminals for external connection (mounting terminals). Consequently, different semiconductor devices comprising semiconductor elements of different kinds can be manufactured only by changing arrangement of the conductive members (6) without requiring special components for exclusive use.
摘要翻译：用于外部连接的端子的至少一个半导体元件和多个导电构件（6）布置在粘合带（2）上，并且半导体元件和导电构件（6）的电极电连接。半导体元件和导电构件（6）用密封树脂（12）封装在粘合带（2）上，并且粘合带（2）与半导体器件分离。导电构件（6）分开形成颗粒状导电构件，并从用作外部连接端子（安装端子）的封装树脂（12）露出。因此，可以仅通过改变导电构件（6）的布置来制造包括不同种类的半导体元件的不同的半导体器件，而不需要专用的专用元件。

3. 发明公开

KR1020030094029A 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020030094029A
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：KR1020030034580
申请日：2003-05-30
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 후지사와데츠야 , 마츠키히로히사 , 이가와오사무 , 아이바요시타카 , 이쿠모마사미츠 , 사토미츠타카
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/49822 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/24137 , H01L2224/24145 , H01L2224/24155 , H01L2224/24195 , H01L2224/24226 , H01L2224/24265 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45099 , H01L2224/48227 , H01L2224/4847 , H01L2224/48471 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/83132 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/85399 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01043 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19103 , H01L2924/19104 , H01L2924/19107 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 반도체 장치에서는, 재배열 배선을 형성하는 공정을 단순화하기 위해서 반도체 칩을 옆으로 나란히 배열하는 경우 복수의 반도체 칩 각각의 회로 형성면을 동일 레벨에 용이하게 배치시킬 수 있다. 2차원 배열의 접착제층을 통해 반도체 칩이 기판 위에 탑재된다. 수지층은 기판 위에 형성되고 반도체 소자 주위에 배치된다. 이 수지는 반도체 소자의 두께와 동일한 두께를 갖는다. 수지층의 표면과 반도체 소자의 회로 형성면 위에 유기 절연층이 형성된다. 유전 절연층과 반도체 칩의 전극 위에 재배열 배선층이 형성된다. 재배열 배선층의 배선을 통해서 반도체 소자의 회로 형성면에 외부 접속 단자가 전기적으로 접속된다.

4. 发明公开

KR1020110061481A 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110061481A
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：KR1020100117883
申请日：2010-11-25
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 츠카코시준 , 아이바요시타카
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/78
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/3178 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/051 , H01L2224/056 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/11849 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and manufacturing method thereof are provided to fill a dielectric insulating material in a groove between an area where an electronic circuit is formed and a scribe area, thereby preventing moisture from being inserted into the area where the electronic circuit is formed. CONSTITUTION: A multilayer wiring layer is installed on the main surface of a semiconductor substrate. A first organic insulating material layer(6a) is installed on the multilayer wiring layer. A groove penetrates the multilayer wiring layer on a scribe area surrounding a semiconductor device. A wiring layer is installed on a first organic insulating material layer. A second organic insulating material layer(6b) covers the wiring layer.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以填充形成电子电路的区域与刻划区域之间的沟槽中的介电绝缘材料，从而防止水分插入形成电子电路的区域。构成：在半导体衬底的主表面上安装多层布线层。第一有机绝缘材料层（6a）安装在多层布线层上。沟槽穿过半导体器件周围的划线区域上的多层布线层。布线层安装在第一有机绝缘材料层上。第二有机绝缘材料层（6b）覆盖布线层。

5. 发明授权

KR101135995B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101135995B1
公开(公告)日：2012-04-17
申请号：KR1020100117883
申请日：2010-11-25
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 츠카코시준 , 아이바요시타카
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/78
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/3178 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/02379 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/051 , H01L2224/056 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1148 , H01L2224/11849 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 신뢰성이 양호한 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
일방의 주면에서의 반도체 소자 영역 I 내에 복수의 기능 소자가 설치된 반도체 기판(1)과, 반도체 기판(1)의 일방의 주면 상에 설치되며, 복수의 배선층(3)과 복수의 절연층(4)을 포함하는 다층 배선층(2)과, 다층 배선층(2) 상에 형성된 제1 유기 절연물층(6)과, 제1 유기 절연물층 상에 형성되며, 배선층에 전기적으로 접속된 다른 배선층과, 제1 유기 절연물층(6) 상에, 다른 배선층을 덮도록 형성된 제2 유기 절연물층(10)을 구비하고, 반도체 소자 영역을 둘러싸는 반도체 기판 영역에, 다층 배선층을 관통하는 홈이 반도체 소자 영역을 둘러싸서 설치되어 있고, 홈 내에는 상기 유기 절연물층(6), 유기 절연물층(10)의 양쪽으로부터 분리된 유기 절연물이 설치되어 있다.

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