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1. 发明专利

KR102233750B1 KR102233750B1 - Method of forming metal oxide thin film and metal oxide thin film printing apparatus 有权
公开(公告)号：KR102233750B1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：KR1020140078173A
申请日：2014-06-25
申请人： 한국전자통신연구원 , 한국과학기술원
发明人： 박종혁 , 양종헌 , 유승협 , 최정민 , 추혜용 , 황치선
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/335
摘要： 본 발명은 기상 제트 프린팅을 이용한 금속 산화물 박막의 형성 방법 및 금속 산화물 박막 프린팅 장치에 관한 것으로, 상기 금속 산화물 박막의 형성 방법은, 제1 금속 산화물 전구체를 기화시키는 것; 기화된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 제1 캐리어 가스를 이용하여 혼합 챔버로 유입시키는 것; 유입된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 상기 혼합 챔버의 하단에 연결된 마이크로 노즐을 통해 기판 상으로 분사하여, 상기 기판 상에 제1 금속 산화물 전구체층을 형성하는 것; 및 상기 제1 금속 산화물 전구체층에 전자기파를 조사하여 제1 금속 산화물층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.

2. 发明专利

KR20210027220A KR20210027220A - Contact lens for electroretinography integrated with light source and method for manufacturing the same 审中-公开
公开(公告)号：KR20210027220A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020200111756A
申请日：2020-09-02
申请人： 서울대학교병원 , 한국과학기술원
发明人： 우세준 , 유승협 , 김태현 , 송진욱
IPC分类号： A61B5/00 , A61B3/10 , A61B5/398 , G02C7/04
CPC分类号： A61B5/6821 , A61B3/10 , A61B5/398 , G02C7/04 , A61B2562/12 , A61B2562/16
摘要： 본 발명은 망막 전위도 검사용 광원 일체형 콘택트렌즈로서, 광원; 상기 광원으로부터의 빛을 산란하는 산란 물질; 및 상기 광원으로부터의 자극에 의한 망막 전위도 변화를 측정하기 위한 전극;을 포함하는 망막전위도 검사용 광원 일체형 콘택트렌즈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

3. 发明申请

WO2021045509A1 망막전위도 검사용 광원 일체형 콘택트렌즈 및 그의 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2021045509A1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：PCT/KR2020/011793
申请日：2020-09-02
申请人： 서울대학교병원 , 한국과학기술원
发明人： 우세준 , 유승협 , 김태현 , 송진욱
IPC分类号： A61B5/00 , A61B3/10 , A61B5/0496 , A61B3/125 , A61B3/00 , G02C7/04
摘要： 본 명세서는 망막 전위도 검사용 광원 일체형 콘택트렌즈로서, 광원; 상기 광원으로부터의 빛을 산란하는 산란 물질; 및 상기 광원으로부터의 자극에 의한 망막 전위도 변화를 측정하기 위한 전극;을 포함하는 망막전위도 검사용 광원 일체형 콘택트렌즈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

4. 发明申请

WO2021091008A1 가시광선을 이용하여 감마 대역의 뇌파를 활성화하는 방법 및 이를 위한 시각 자극 제공 장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2021091008A1
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：PCT/KR2019/016755
申请日：2019-11-29
申请人： 한국과학기술원 , 서울대학교병원
发明人： 유승협 , 김기웅 , 이강희 , 서승완 , 한지원 , 박예승 , 박재혁 , 이재호
IPC分类号： A61M21/00 , A61B5/0484 , A61N5/06
摘要： 가시광선을 이용하여 감마 대역의 뇌파를 활성화하는 방법 및 이를 위한 시각 자극 제공 장치가 제공된다. 이 방법은 소정의 주파수를 가지는 점멸 빛 자극(Flickering Light Stimulus, FLS)을 통하여 인간의 최소한 하나의 뇌 영역에서 동기화된 감마 진동을 유도하고, 상기 점멸 빛 자극(FLS)은, 적어도 하나의 가시광원을 통하여 제공되고, 자극 시간, 파장, 주파수 및 빛 세기 중 적어도 하나의 빛 신경 변조(photobiomodulation) 조건을 가질 수 있다.

5. 发明申请

WO2013073769A1 후면 전극형 태양전지 및 이의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：后表面电极型太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2013073769A1
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：PCT/KR2012/007159
申请日：2012-09-06
申请人： 한국과학기술원 , 유승협 , 김호연
发明人： 유승협 , 김호연
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/072 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명에 따르면, 경사 증착을 이용하여 광전변환층의 나노 구조 상에 전극을 나노미터 단위의 간격으로 형성할 수 있으며, 이에 따라 전자, 정공 이동도가 낮은 태양전지에 대해서도 후면 전극형 구조를 적용할 수 있게 된다. 또한, 후면 전극형 구조를 사용하기 때문에 투명 전극의 필요가 없어지게 되며, 이에 따라 박막 태양전지에서의 단위 셀의 크기 제한이 제거되고 사 영역이 사라지게 된다. 투명 전극의 필요를 없앰으로써 태양전지의 제조 단가를 절감할 수 있고, 사 영역 감소로 태양전지의 효율이 향상될 수 있다. 또한, 결정질 실리콘 외의 태양전지에도 후면 전극형 구조가 적용될 수 있기 때문에, 실리콘 잉곳으로 인한 크기 제한을 없앨 수 있고, 이에 따라 대면적화된 후면 전극형 태양전지가 얻어질 수 있다.
摘要翻译：根据本发明，通过使用斜角沉积，可以在光电转换层的纳米结构上形成电极，其能够即使在具有低电子和空穴迁移率的太阳能电池上也可以应用后电极型结构。此外，由于背面型结构，透明电极变得不必要，这消除了单元电池尺寸的限制和薄膜太阳能电池中的死区。通过不需要透明电极，可以降低太阳能电池的制造成本，并且减小死区可以提高太阳能电池的效率。此外，后电极型结构可以应用于除了晶体硅太阳能电池之外的太阳能电池，从而消除由于硅锭引起的尺寸的限制，从而获得具有大表面积的背面电极型太阳能电池。

6. 发明申请

WO2014027854A1 ｉＣＶＤ 공정을 이용한 절연막 형성 방법 审中-公开
标题翻译：使用ICVD形成介质层的方法
公开(公告)号：WO2014027854A1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：PCT/KR2013/007375
申请日：2013-08-16
申请人： 한국과학기술원
发明人： 임성갑 , 유승협 , 성혜정 , 문한얼 , 김민철
IPC分类号： H01L51/40
CPC分类号： H01L51/052
摘要： 본 발명은 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 iCVD 공정을 이용한 절연막 형성 방법은, 유기박막트랜지스터 상에 절연막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 유기박막트랜지스터 상에 주입한 열에 의해 개시제를 열분해하여 유리 라디칼(free radical)을 형성하는 단계; 상기 유리 라디칼을 이용하여 단량체를 활성화시킴으로써 상기 단량체를 연쇄 중합 반응시켜 고분자 폴리머를 형성하는 단계; 및 상기 유기박막트랜지스터 상에 상기 고분자 폴리머가 증착되어 고분자 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 PECVD 공정 또는 CVD 공정에서 제조되는 절연막의 제조 폭이 좁은 단점을 iCVD 공정을 통해 해소할 수 있으면서, 기존 공정보다 균일한 증착이 가능하고, 다양한 두께에서도 매우 낮은 누설 전류를 보여 높은 절연율에 통해 소자의 전기적 특성이 우수하면서 소자의 제작 수율이 높은 효과가 있다. 또한, 용매, 특히 유기 용매를 사용하지 않고 기상 조건에서 단량체와 개시제로 목적하는 고분자 절연막을 증착시킬 수 있어, 용매로 인한 증착 매체의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及使用iCVD形成介电层的方法。根据本发明，使用iCVD在有机薄膜晶体管上形成电介质层的方法包括以下步骤：通过注入到有机薄膜晶体管上的热量来热分解引发剂以形成自由基; 通过使用自由基来活化单体以通过单体的链聚合形成聚合物; 以及将所述聚合物沉积在所述有机薄膜晶体管上以形成聚合物介电层。根据本发明，可以通过iCVD解决通过PECVD或CVD制备的电介质层的窄宽度的缺点，并且与常规工艺相比进行均匀沉积，并且显示非常低的漏电流在各种厚度下，通过高介电常数具有显着的电性能，并且器件的制造成品率高。此外，可以防止由于溶剂而导致的沉积介质的损坏，因为可以在不使用溶剂，特别是有机溶剂的气相条件下，用单体和引发剂沉积所需的聚合物电介质层。

7. 发明公开

KR1020150095164A 금속 산화물 박막의 형성 방법 및 금속 산화물 박막 프린팅 장치 审中-实审
标题翻译：形成金属氧化物薄膜和金属氧化物薄膜印刷装置的方法
公开(公告)号：KR1020150095164A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：KR1020140078173
申请日：2014-06-25
申请人： 한국전자통신연구원 , 한국과학기술원
发明人： 박종혁 , 양종헌 , 유승협 , 최정민 , 추혜용 , 황치선
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/335 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/7869
摘要： 본 발명은 기상 제트 프린팅을 이용한 금속 산화물 박막의 형성 방법 및 금속 산화물 박막 프린팅 장치에 관한 것으로, 상기 금속 산화물 박막의 형성 방법은, 제1 금속 산화물 전구체를 기화시키는 것; 기화된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 제1 캐리어 가스를 이용하여 혼합 챔버로 유입시키는 것; 유입된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 상기 혼합 챔버의 하단에 연결된 마이크로 노즐을 통해 기판 상으로 분사하여, 상기 기판 상에 제1 금속 산화물 전구체층을 형성하는 것; 및 상기 제1 금속 산화물 전구체층에 전자기파를 조사하여 제1 금속 산화물층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及使用气相印刷法形成金属氧化物薄膜的方法和金属氧化物薄膜印刷装置。形成金属氧化物薄膜的方法包括：蒸发第一金属氧化物前体; 通过使用第一载气将蒸发的第一金属氧化物前体引入混合室; 通过将第一金属氧化物前体通过连接到混合室的底部的微型喷嘴注入到基板上而在基板上形成第一金属氧化物前体层; 以及通过用电磁波照射所述第一金属氧化物前体层来形成第一金属氧化物层。

8. 发明授权

KR102233750B1 금속 산화물 박막의 형성 방법 및 금속 산화물 박막 프린팅 장치 有权
公开(公告)号：KR102233750B1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：KR1020140078173
申请日：2014-06-25
申请人： 한국전자통신연구원 , 한국과학기술원
发明人： 박종혁 , 양종헌 , 유승협 , 최정민 , 추혜용 , 황치선
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/335 , H01L21/02
摘要： 본발명은기상제트프린팅을이용한금속산화물박막의형성방법및 금속산화물박막프린팅장치에관한것으로, 상기금속산화물박막의형성방법은, 제1 금속산화물전구체를기화시키는것; 기화된상기제1 금속산화물전구체를제1 캐리어가스를이용하여혼합챔버로유입시키는것; 유입된상기제1 금속산화물전구체를상기혼합챔버의하단에연결된마이크로노즐을통해기판상으로분사하여, 상기기판상에제1 금속산화물전구체층을형성하는것; 및상기제1 금속산화물전구체층에전자기파를조사하여제1 금속산화물층을형성하는것을포함할수 있다.

9. 发明授权

KR102129530B1 쉐도우 마스크 자가 정렬 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102129530B1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：KR1020180036210
申请日：2018-03-29
申请人： 한국과학기술원
发明人： 유승협 , 이현우
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/56 , G03F7/20

10. 发明授权

KR102031825B1 용액재료의 자발적 상분리와 선택적 젖음을 이용한 미세패턴 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102031825B1
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：KR1020180027089
申请日：2018-03-07
申请人： 한국과학기술원
发明人： 유승협 , 문한얼 , 정현호
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/16 , C09D175/14 , C09D167/06 , C09D4/06 , C09D171/00 , C09D7/40

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