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1. 发明申请

WO2012096534A3 고효율 정전류 회로 审中-公开
公开(公告)号：WO2012096534A3
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：PCT/KR2012/000310
申请日：2012-01-12
申请人： 한국전자통신연구원 , 동원시스템즈 주식회사 , 김현탁 , 김봉준 , 곽선신 , 김준식
发明人： 김현탁 , 김봉준 , 곽선신 , 김준식
IPC分类号： G05F3/02 , G05F3/20 , G05F3/22 , G05F3/24
摘要： 본 발명은 열 폭주 현상을 방지할 수 있는 현탁 트랜지스터 (hyuntak Transistor)와 고증폭과 정전류를 가능하게 하는 보조 트랜지스터를 이용한 저발열 고효율 정전류 회로이다. 본 회로는 발광 다이오드 및 모터의 구동에 적용될 수 있다.

2. 发明授权

KR101746462B1 고효율 정전류 회로 有权
标题翻译：高效率恒流电路
公开(公告)号：KR101746462B1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：KR1020110116466
申请日：2011-11-09
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김현탁 , 김봉준 , 곽선신 , 김준식
IPC分类号： G05F3/16 , H02H9/02
CPC分类号： G05F3/02 , G05F3/16 , H02M2001/327
摘要： 본발명은열 폭주현상을방지할수 있는현탁트랜지스터 (hyuntak Transistor)와고증폭과정전류를가능하게하는보조트랜지스터를이용한저발열고효율정전류회로이다. 본회로는발광다이오드및 모터의구동에적용될수 있다.
摘要翻译：本发明是使用能够防止热失控现象的悬架晶体管（hyuntak晶体管）和能够进行电流放大处理的辅助晶体管的低发热高效率恒流电路。该电路可应用于驱动发光二极管和电动机。

3. 发明公开

KR1020120082328A 고효율 정전류 회로 有权
标题翻译：恒定电流高效率
公开(公告)号：KR1020120082328A
公开(公告)日：2012-07-23
申请号：KR1020110116466
申请日：2011-11-09
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김현탁 , 김봉준 , 곽선신 , 김준식
IPC分类号： G05F3/16 , H02H9/02
CPC分类号： G05F3/02 , G05F3/16 , H02M2001/327
摘要： PURPOSE: A constant current circuit of high efficiency is provided to maximize or increase the efficiency of a transistor by improving loss of a base current. CONSTITUTION: An end of a load(2) is connected to a power voltage source. A heat generator(10) is connected between an end of a load and advanced power and ground connections resistance. The heat generator inhibits thermal runaway effect of a semiconductor. A first transistor(12) is connected to an end of a load in parallel with a heat control unit. The first transistor increases current efficiency of a heat controller. A second transistor(14) is connected between an advanced power and ground connections resistance and the first transistor. The second transistor is switched according to a node voltage of the advanced power and ground connections resistance. The second transistor maintains a constant current flow of the advanced power and ground connections resistance.
摘要翻译：目的：提供高效率的恒流电路，以通过改善基极电流的损耗来最大化或提高晶体管的效率。构成：负载端（2）连接到电源电压源。发电机（10）连接在负载端和高级电源和接地连接电阻之间。热发生器抑制半导体的热失控效应。第一晶体管（12）与热控制单元并联连接到负载的端部。第一个晶体管提高了热控制器的电流效率。第二晶体管（14）连接在高级电源和接地连接电阻和第一晶体管之间。第二晶体管根据先进电源和接地连接电阻的节点电压进行切换。第二晶体管保持先进的电源和接地电阻的恒定电流流动。

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