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1. 发明公开

KR1020110068492A 광 결합장치 및 그를 구비한 능동 광모듈 无效
标题翻译：光学耦合器和活动光学模块
公开(公告)号：KR1020110068492A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020090125473
申请日：2009-12-16
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 서홍석 , 안준태 , 박봉제 , 오대곤 , 송정호
IPC分类号： G02B6/42 , G02B6/36
CPC分类号： H01S3/094019 , G02B6/4214 , H01S3/0675 , H01S3/094007 , H01S3/0941 , H01S3/11
摘要： PURPOSE: An optical coupler and an active optical module including the same are provided to efficiently supply pump light by totally reflecting the pump light from the inner reflection surface. CONSTITUTION: A hollow optical block(30) has a penetration hole(32) through which an optical fiber passes. Light is transmitted to an incident surface from the lower side of the hollow optical block in parallel to the penetration hole. An inner reflection surface reflects light to the inside of the hollow optical block from the incident surface. At least one tapered area concentrates light on an optical fiber(20) of the penetration hole.
摘要翻译：目的：提供一种光耦合器和包括该光耦合器的有源光学模块，以通过全反射来自内反射表面的泵浦光来有效地提供泵浦光。构成：中空的光学块（30）具有穿透孔（32），光纤通过该穿透孔。光从中空光学块的下侧平行于透入孔传递到入射面。内反射面将入射面的光反射到中空光学块的内部。至少一个锥形区域将光聚集在穿透孔的光纤（20）上。

2. 发明授权

KR100987793B1 반사형 반도체 광 증폭기 및 이를 이용하는 광신호 처리방법 有权
标题翻译：反射半导体光放大器和光信号处理方法
公开(公告)号：KR100987793B1
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：KR1020080099613
申请日：2008-10-10
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김현수 , 권오균 , 김동철 , 최병석 , 김기수 , 오대곤
IPC分类号： H04B10/291 , H04B10/00 , H01S3/16
CPC分类号： H01S5/50 , H01S5/026 , H01S5/0608 , H01S5/06258 , H01S5/1014 , H01S5/509
摘要： 반사형 반도체 광 증폭기가 제공된다. 상기 반사형 반도체 광 증폭기는 외부로부터 입사되는 하향 광신호가 이득을 가지도록 동작하는 신호 증폭 영역과, 상기 신호 증폭 영역과 연결되고 변조된 레이저 신호를 발생하는 신호 변조 영역을 포함한다. 상기 하향 광신호는 상기 변조된 레이저 신호에 의한 교차이득 변조를 통해 증폭되어 상향 광신호로서 출력된다. 상기 레이저 신호의 파장 대역은 상기 하향 광신호와는 다른 파장 대역을 갖고, 상기 증폭의 이득 대역에 포함된다.
광 증폭기, 레이저, 변조, 교차이득

3. 发明公开

KR1020100071693A 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법 失效
标题翻译：制备化合物的方法
公开(公告)号：KR1020100071693A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080130496
申请日：2008-12-19
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 심재식 , 권용환 , 박미란 , 민봉기 , 오대곤 , 남은수
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/107 , H01L31/02366 , H01L31/0392 , H01L31/18
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing an avalanche photo diode is provided to suppress an edge breakdown by reducing the curvature of a junction interface without a guard ring. CONSTITUTION: A first conductive amplification layer(105) is formed on a first conductive substrate(101). A recess region including a first recess unit(113) and a second recess unit(117) is formed by etching the first conductive amplification layer. A second conductive diffusion layer(130) is formed by diffusing conductive diffusion materials to the first conductive amplification layer. A second conductive electrode(150) connected to the second conductive diffusion layer is formed on the first conductive amplification layer. A first conductive electrode(160) is formed on the rear of the first conductive substrate.
摘要翻译：目的：提供一种制造雪崩光电二极管的方法，通过降低没有保护环的接合界面的曲率来抑制边缘击穿。构成：第一导电性放电层（105）形成在第一导电性基板（101）上。通过蚀刻第一导电放大层形成包括第一凹部单元（113）和第二凹部单元（117）的凹部区域。通过将导电扩散材料扩散到第一导电放大层来形成第二导电扩散层（130）。连接到第二导电扩散层的第二导电电极（150）形成在第一导电放大层上。第一导电电极（160）形成在第一导电基板的后部。

4. 发明公开

KR1020100040481A 반사형 반도체 광 증폭기 및 이를 이용하는 광신호 처리방법 有权
标题翻译：反射半导体光放大器和光信号处理方法
公开(公告)号：KR1020100040481A
公开(公告)日：2010-04-20
申请号：KR1020080099613
申请日：2008-10-10
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김현수 , 권오균 , 김동철 , 최병석 , 김기수 , 오대곤
IPC分类号： H04B10/291 , H04B10/00 , H01S3/16
CPC分类号： H01S5/50 , H01S5/026 , H01S5/0608 , H01S5/06258 , H01S5/1014 , H01S5/509
摘要： PURPOSE: A reflective semiconductor optical amplification device and an optical signal processing method using the same are provided to reduce the cost of manufacturing using a reflective semiconductor amplifier which uses one optical fiber. CONSTITUTION: An optical signal amplification are(102) supplies gain to a downlink optical signal applied from the outside. An optical signal modulation area(103) is connected with the optical signal amplification area and generates a modulated optical signal. The downlink optical signal is amplified through cross gain modulation by the modulated optical signal and outputted as an uplink optical signal. The optical signal amplification area includes a semiconductor amplifier. The optical signal demodulation area includes a laser diode. The optical signal amplification and demodulation areas respectively have a first electrode and a second electrode. The first and the second electrodes receive independent current.
摘要翻译：目的：提供一种反射半导体光放大装置和使用该反射半导体光放大装置的光信号处理方法，以减少使用使用一根光纤的反射半导体放大器的制造成本。构成：光信号放大（102）向从外部施加的下行光信号提供增益。光信号调制区域（103）与光信号放大区域连接并产生调制光信号。下行光信号通过调制光信号的交叉增益调制进行放大，作为上行光信号输出。光信号放大区包括半导体放大器。光信号解调区域包括激光二极管。光信号放大和解调区域分别具有第一电极和第二电极。第一和第二电极接收独立电流。

5. 发明授权

KR100794667B1 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 ＤＢＲ 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 有权
标题翻译：分布式布拉格反射器DBR在垂直腔表面发射激光器VCSEL二极管及其制造方法和VCSEL二极管
公开(公告)号：KR100794667B1
公开(公告)日：2008-01-14
申请号：KR1020060049238
申请日：2006-06-01
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김기수 , 한원석 , 김성복 , 오대곤
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 본 발명은 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물 및 그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드에 관한 것이다.
본 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 DBR 구조물은 InP 기판 상부에 형성되는 제 1 굴절률을 갖는 InAlGaAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InAlGaAs층 상에 형성되는 제1 InAlAs층; 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 제1 InAlAs층 상에 형성되는 InP층; 및 상기 제 1 굴절률보다 낮은 굴절률을 가지며, 상기 InAlGaAs층 상에 형성되는 제2 InAlAs층을 포함한다. 이에 따라, InAlGaAs층과 InP층의 접합부분에서 발생하는 타입-Ⅱ 밴드 라인업에 의해 발생하는 광학적 손실을 줄이므로, 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.
DBR(distributed Bragg reflector), InAlGaAs, InP, InAlAs, 수직 공진 표면 발광 레이저(VCSEL) 다이오드

6. 发明公开

KR1020070058960A 양자점을 포함하는 반도체 레이저 구조물 有权
标题翻译：包括量子点的SENICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE
公开(公告)号：KR1020070058960A
公开(公告)日：2007-06-11
申请号：KR1020060084913
申请日：2006-09-05
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 오대곤 , 이진홍 , 김진수 , 홍성의 , 곽호상
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/1237 , H01S3/08009 , H01S5/1209 , H01S5/2228
摘要： A semiconductor laser structure including a quantum dot is provided to reduce cost and improve yield by obtaining single wavelength laser only through changing a mask without new technology development. A semiconductor laser structure including a quantum dot includes a lower clad layer, a plurality of gratings(320), a lower ridge waveguide(330), and an upper clad layer. The lower and upper clad layers are formed in a p+ or n+ clad layer. The lower and upper clad layers are different types from each other. A period of the grating(320) is integer times of T=(lambda/2)n. The grating(320) is arranged to form a predetermined angle with the lower ridge waveguide(330) for forming the lower ridge waveguide(330) in a direction for cleaving.
摘要翻译：提供包括量子点的半导体激光器结构，通过仅通过改变掩模即可获得单波长激光来降低成本并提高产量，而无需新技术开发。包括量子点的半导体激光器结构包括下包层，多个光栅（320），下脊波导（330）和上包覆层。下包层和上覆盖层形成在p +或n +覆层中。下层和上层包层彼此不同。光栅（320）的周期是T =（λ/ 2）n的整数倍。光栅（320）被布置成与下脊波导（330）形成预定角度，用于在切割的方向上形成下脊波导（330）。

7. 发明授权

KR100723833B1 분포귀환형 반도체 레이저 및 그 제조방법 失效
标题翻译：分布式反馈DFB半导体激光器及其制造方法
公开(公告)号：KR100723833B1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：KR1020050052575
申请日：2005-06-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 오대곤 , 이진홍 , 김진수 , 홍성의 , 곽호상
IPC分类号： H01S5/18 , H01S5/12
摘要： 분포귀환형 반도체 레이저를 제공한다. 본 발명은 기판 상에 형성된 하부 클래드층과, 상기 하부 클래드층 상에 활성층 및 상부 클래드층이 순차적으로 형성되어 구성된 리지를 포함한다. 상기 활성층을 포함하는 상기 리지의 일측벽 또는 양측벽에는 상기 활성층 및 공진축의 수직방향으로 형성되어 단일 가로 모드 발진을 가능하게 하는 그레이팅이 형성되어 있다. 상기 그레이팅은 발진 파장(λ)의 1/2의 정수배(nλ/2, n=1,2,3..)에 해당하는 주기로 형성되어 있다. 상기 리지를 구성하는 상부 클래드층의 일측벽에 수직 가로 모드(transverse electromagnetic mode)를 조절할 수 있는 산화층이 형성되어 있다.

8. 发明公开

KR1020060064508A 교번 성장법에 의한 양자점 형성 방법 有权
标题翻译：通过替代生长过程形成量子的方法
公开(公告)号：KR1020060064508A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020050085194
申请日：2005-09-13
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김진수 , 이진홍 , 홍성의 , 최병석 , 곽호상 , 오대곤
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/04 , H01L33/12
摘要： 양자점 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 InP 기판 상에 상기 InP와 격자정합한 완충층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 완충층 상에, 서로 격자부정합이 큰 물질층인 In(Ga)As 물질층과, InAl(Ga)As 물질층 또는 In(Ga, Al, As)P 물질층을 순차적으로 교번하여 증착함으로써 In(Ga, Al)As 또는 In(Ga, Al,P)As 양자점을 형성한다. 이렇게 본 발명은 격자 부정합에 의한 자발 형성 방법과 교번 증착에 의한 교번 성장법을 동시에 이용하여 균일도가 우수한 양질의 양자점을 형성할 수 있다.

9. 发明授权

KR100582540B1 응력층을 이용한 양질의 양자점 형성 방법 失效
标题翻译：通过使用应变层形成高质量的量子点
公开(公告)号：KR100582540B1
公开(公告)日：2006-05-23
申请号：KR1020030027986
申请日：2003-05-01
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 한원석 , 김진수 , 이진홍 , 홍성의 , 곽호상 , 오대곤
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/22
CPC分类号： C30B23/02 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C30B25/02 , C30B29/40
摘要： 양자점 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 InP 기판 상에, InAlAs, InAlGaAs, InP, InGaAsP 또는 이들로 구성된 이종접합층으로 격자 정합한 완충층을 형성한다. 상기 격자 정합한 완충층 상에, 상기 격자 정합한 완충층의 표면 구조를 변화시키고 후에 형성되는 In(Ga)As 양자점의 성장에 필요한 응력 에너지를 변조시키는 In
X Ga
1-X As 응력층을 형성한다. 이와 같이 마련된 시료는 In(Ga)As 양자점의 균일도가 현저하게 증가하여 포토루미네슨스의 반치폭이 감소하며 발광 세기가 현저히 증가한다. 따라서, 본 발명에 따른 In(Ga)As 양자점을 레이저 다이오드와 같은 발광소자나 광검출기 등의 광소자의 활성층으로 응용하였을 때 그 소자 특성이 개선될 수 있다.

10. 发明授权

KR100369329B1 무결함, 무반사의 스폿사이즈 변환기를 구비한 광소자의제조 방법 失效
标题翻译： 무결함사의스폿사이즈변환기를구비한광소자의제조방
公开(公告)号：KR100369329B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1020010011091
申请日：2001-03-05
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 김성복 , 오대곤
IPC分类号： G02B6/42
CPC分类号： H01S5/10 , G02B6/1228 , G02B6/136
摘要： The present invention relates to a method for fabricating an optical device integrated with a spot size converter to reduce defect and low reflectivity in a butt-joint portion, the method including the steps of: a) depositing a first clad layer, an active layer and a second clad layer sequentially on the (100) plane of a semiconductor substrate; b) forming on the second clad layer a double dielectric mask of which the lower layer has a relatively wider width than that of the upper layer, exposing one side of the second clad layer; c) wet-etching the first clad layer, the active layer and the second clad layer in a buried ridge structure by using the double dielectric mask, and exposing the (111)A plane of the active layer tilted towards the (100) plane by a predetermined angle; d) growing a spot size conversion region on the (111)A plane of the active layer; and e) removing the double dielectric mask.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造与点尺寸转换器集成的光学器件以减少对接部分中的缺陷和低反射率的方法，该方法包括以下步骤：a）沉积第一包层，有源层和在半导体衬底的（100）平面上顺序地形成第二包层; b）在第二覆盖层上形成双电介质掩模，该双电介质掩模的下层的宽度比上层的宽度宽，暴露出第二覆层的一侧; c）通过使用双电介质掩模，对第一覆盖层，有源层和第二覆盖层进行湿式蚀刻，并通过使用双电介质掩模，使活性层的（111）A面向（100）面倾斜预定角度; d）在有源层的（111）A平面上生长光点尺寸转换区域; 和e）去除双电介质掩模。

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