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    • 4. 发明申请
    • 동시진공증발공정 기반의 CZTSE 광흡수층 제조방법
    • 基于同时真空蒸发过程制造CZTSE光吸收层的方法
    • WO2014171760A1
    • 2014-10-23
    • PCT/KR2014/003352
    • 2014-04-17
    • 한국에너지기술연구원
    • 곽지혜윤재호안승규신기식안세진조아라윤경훈어영주조준식박주형유진수박상현최혜림
    • H01L31/06H01L31/042H01L31/18
    • H01L31/0322Y02E10/541
    • 본발명은 동시진공증발공정을 기반으로 양질의 CZTSe 광흡수층 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu, Zn, Sn및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는단계 (단계 a);및 상기 기판의 온도를 내리면서, Zn, Sn및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계 (단계 b)를 포함한다. 본 발명은, 고온에서 동시 진공증발공정을 수행하고 기판의 온도를 낮추면서 추가적인 증발공정을 수행함으로써, 고온의 동시진공증발공정에서 수반되는 Sn손실에 따른 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의제조방법으로 형성된 CZTSe 광흡수층은 막질이 뛰어나기 때문에 이를 이용하여 제조된 CZTSe태양전지의 광전변환 효율이향상되는 효과가 있다.
    • 本发明涉及一种基于同时真空蒸发处理制造质量好的CZTSe光吸收薄膜的方法。 该方法包括以下步骤:同时蒸发Cu,Zn,Sn和Se,并在衬底上沉积Cu,Zn,Sn和Se(步骤a); 同时蒸发Zn,Sn和Se,并在衬底上沉积Zn,Sn和Se,同时降低衬底的温度(步骤b)。 本发明在高温下进行同时真空蒸发处理,并且在降低基板的温度的同时进行附加的蒸发处理,从而具有解决伴随高温同时真空蒸发的Sn的损失引起的问题的效果 处理。 此外,由于通过本发明的制造方法形成的CZTSe光吸收层质量高,所以本发明具有提高使用CZTSe光吸收层制造的CZTSe太阳能电池的光电转换效率的效果。
    • 5. 发明申请
    • 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 박막의 제조방법, 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 태양전지의 제조방법 및 그 CZTS계 태양전지
    • 用于制造具有双带隙坡度的基于薄膜的薄膜的方法,用于制造具有双带隙坡度和基于其的基于太阳能电池的基于CTS的太阳能电池的方法
    • WO2013191451A1
    • 2013-12-27
    • PCT/KR2013/005381
    • 2013-06-19
    • 한국에너지기술연구원
    • 윤재호곽지혜안세진윤경훈신기식안승규조아라박상현조준식유진수박주형어영주
    • H01L31/06H01L31/18
    • H01L31/0725H01L21/02422H01L21/02474H01L21/02477H01L21/02485H01L21/02491H01L21/02557H01L21/0256H01L21/02568H01L31/0326H01L31/18Y02E10/50
    • 본 발명은 이중의 밴드갭 기울기를 가지는 CZTS계 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu 2 ZnSnS 4 박막층을 형성하는 단계; Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층을 형성하는 단계; 및 Cu 2 ZnSnS 4 박막층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 형태에 따른 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 태양전지의 제조방법은, 후면 전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극의 위에 상기한 방법으로 CZTS계 박막층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 또 다른 형태에 따른 CZTS계 태양전지는, 후면 전극; 및 상기 후면 전극 위에 형성된 CZTS계 박막층을 포함하며, 상기 CZTS계 박막층은, Cu 2 ZnSnS 4 박막층, Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층 및 Cu 2 ZnSnS 4 박막층이 순차로 형성되고, Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층의 밴드갭 에너지가 Cu 2 ZnSnS 4 박막층의 밴드갭 에너지보다 낮은 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 박막층은 표면측의 밴드갭이 높아서 개방전압이 증가하고 재결합이 감소하며, 후면측의 밴드갭이 높아서 전자이동도는 증가함으로써, 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.
    • 本发明涉及一种具有双带隙斜率的基于CZTS的薄膜的制造方法,包括以下步骤:形成Cu2ZnSnS4薄膜层; 形成Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜层; 并形成Cu2ZnSnS4薄膜层。 根据本发明的另一方面的制造具有双带隙斜率的CZTS型太阳能电池的方法包括以下步骤:形成后电极; 以及通过上述方法在后电极上形成CZTS基薄膜层。 根据本发明的另一方面的基于CZTS的太阳能电池包括:后电极; 以及形成在后电极上的CZTS基薄膜层,其中基于CZTS的薄膜层的特征在于顺序形成Cu 2 ZnSnSn 4薄膜层,Cu 2 ZnSn(S,Se)4薄膜层和Cu 2 ZnSnSn薄膜层,以及 Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜层的带隙能量低于Cu2ZnSnS4薄膜层的带隙能量。 根据本发明的具有双带隙斜率的CZTS基薄膜层具有表面侧的高带隙,从而增加开路电压并减少复合,并且具有后侧的高带隙,从而增加 电子迁移率,从而导致太阳能电池效率的提高。
    • 9. 发明申请
    • 성능이 향상된 CI(G)S 박막 제조 방법과 이를 이용한 태양전지.
    • 用于生产具有改进性能的CI(G)S薄膜的方法和使用其的光电池
    • WO2014142401A1
    • 2014-09-18
    • PCT/KR2013/007088
    • 2013-08-06
    • 한국에너지기술연구원
    • 어영주조준식박주형윤경훈안세진곽지혜윤재호조아라신기식안승규유진수박상현
    • H01L31/0749H01L31/042H01L31/18
    • H01L31/0749H01L21/02568H01L21/02664Y02E10/541Y02P70/521
    • 태양전지의 광흡수층으로서의 CI(G)S박막 제조 방법으로 Substrate를 준비하는 단계, 전구체인 CI(G)S계 화합물을 제조하는 단계, 상기 Substrate 상에 상기 전구체인 CI(G)S계 화합물을 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계, 상기 Substrate 상에 형성된 CI(G)S계 전구체 박막을 건조하는 단계, 상기 건조된 CI(G)S계 전구체 박막을 열처리를 통해 셀렌화하여 CI(G)S 박막을 형성하는 단계,상기 형성된 CI(G)S 박막을 나트륨(Na)을 포함한 용액에 침지(Dipping)하여 버퍼(Buffer)층을 증착하는 단계, 상기 버퍼(Buffer)층이 증착된 상기 CI(G)S 박막을 열처리하여 상기 버퍼층 상의 나트륨(Na)이 나트륨 이온(Na+) 상태로 상기 CI(G)S 박막으로 이동하도록 한다. 이를 통해 상기 나트륨 이온(Na+)이 상기 CI(G)S 박막의 결정립의 결함을 줄여주는 것이 가능하며 성능이 항상된 CI(G)S 박막을 제조하여 태양전지의 광흡수층으로 사용 가능하다.
    • 一种用于制造作为光伏电池的光吸收层的CI(G)S薄膜的方法,包括以下步骤:制备基板; 制备作为前体的CI(G)S基化合物; 在基板上涂覆前体CI(G)S基化合物,以形成CI(G)S基前体薄膜; 干燥形成在基板上的CI(G)S基前体薄膜; 通过热处理对干燥的CI(G)S基前体薄膜进行硒化,形成CI(G)S薄膜; 将形成的CI(G)S薄膜浸入含有钠(Na)的溶液中以便在其上沉积缓冲层; 对其上沉积有缓冲层的CI(G)S薄膜进行热处理,以使缓冲层上的钠(Na)以钠离子(Na +)状态移动至CI(G)S薄膜。 因此,钠离子(Na +)可以减少CI(G)S薄膜和具有改进性能的CI(G)S薄膜)中的缺陷并用作光吸收层 的光伏电池。