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1. 发明申请

WO2013133491A1 산화아연 요철구조의 형성방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 审中-公开
标题翻译：用于形成氧化锌未结构的方法和使用其制造太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2013133491A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：PCT/KR2012/006463
申请日：2012-08-14
申请人： 한국에너지기술연구원 , 조준식 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 어영주 , 유진수 , 박상현 , 박주형
发明人： 조준식 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 어영주 , 유진수 , 박상현 , 박주형
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1828 , H01G9/204 , H01G9/2059 , H01G9/209 , H01L31/02366 , H01L31/1888 , H01L51/42 , H01L51/4233 , H01L51/447 , Y02E10/542 , Y02E10/549
摘要： 본 발명은 습식식각의 방법으로 산화아연 박막에 나노단위의 요철구조를 형성하는 방법에 관한 것으로， 기판을 준비하는 단계; 나노미터 범위의 높이와 폭을 가지는 나노구조를 형성하는 단계; 상기 나노구조가 형성된 기판 위에 산화아연 박막을 형성하는 단계; 및 상기 산화아연 박막을 습식식각하는 단계를 포함하여 구성되고, 상기 습식식각하는 단계에서 상기 나노구조의 위에 위치하여 물리적 치밀성이 상대적으로 낮은 산화아연이 우선적으로 식각되어， 상기 나노구조의 주변으로 식각에 의한 요철구조가 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 요철구조의 위에 균일하게 박막을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 요철구조의 사이에 전해질이나 유기물이 균일하게 침투할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 요철구조의 종횡비를 조절할 수 있을 뿐만 아니라 요철구조가 전체적으로 연결되어 있기 때문에, 과도한 종횡비의 차이에 의해서 저항이 증가하는 문제가 발생하지 않는다.
摘要翻译：本发明涉及通过湿式蚀刻工艺在氧化锌薄膜上形成纳米级不平坦结构的方法。形成氧化锌不均匀结构的方法包括：制备衬底; 形成纳米范围内的高度和宽度的纳米结构; 在具有纳米结构的基板上形成氧化锌薄膜; 对氧化锌薄膜进行湿式蚀刻处理。在湿蚀刻工艺中，首先通过蚀刻纳米结构的周围来蚀刻设置在纳米结构上并且具有相对低的物理密度的氧化锌以形成不均匀的结构。因此，可以在不平坦结构上均匀地形成薄膜，并且电解质或有机材料可以均匀地穿透在不平坦结构之间。此外，由于本发明可以调整每个不平坦结构的高宽比，并且不均匀结构彼此连续地连接，所以可能不会发生由于高度与宽度比过大引起的电阻的增加。

2. 发明申请

WO2013012202A2 이성분계 나노입자 하이브리드 방법올 이용한 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 审中-公开
标题翻译：使用二元纳米粒子混合方法和通过该方法制备的CI（G）S薄膜制备CI（G）S薄膜的方法
公开(公告)号：WO2013012202A2
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/KR2012/005529
申请日：2012-07-12
申请人： 한국에너지기술연구원 , 조아라 , 안세진 , 윤경훈 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 안승규
发明人： 조아라 , 안세진 , 윤경훈 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 안승규
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C18/1204 , C23C18/1254 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , Y02E10/541
摘要： 이성분계 나노입자 하이브리드 방법을 이용한 CI (G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI (G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI (G)S계 박막의 제조방법은， CI (G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계; 이성분계 나노입자, CI (G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 용매 및 바인더를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계; 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI (G)S계 박막을 형성하는 단계; 및 형성된 CIGS 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여， 박막 내 기공을 최소화하고, 입자성장을 향상시켜 박막의 구조를 치밀화함으로써 궁극적으로 그 박막을 이용한 태양전지의 효율을 상승시킬 수 있다.
摘要翻译：提供了一种使用二元纳米粒子杂化方法制备CI（G）S薄膜的方法和通过该方法制备的CI（G）S薄膜。制备本发明的CI（G）S薄膜的方法包括以下步骤：制备CI（G）S二元纳米颗粒; 通过混合包含二元纳米粒子，CI（G）S类元素，溶剂和粘合剂的溶液前体来制备混合型浆料; 通过涂覆混合型浆料形成CI（G）S基薄膜; 并对形成的CIGS薄膜进行热处理。因此，薄膜中的孔隙可以被最小化并且晶粒生长可以被增强以致密化薄膜的结构，由此最终提高使用该薄膜的太阳能电池的效率。

3. 发明申请

WO2013012240A2 Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 Cu-Se 박막을 포함하는 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 审中-公开
标题翻译：使用Cu-Se二元纳米粒子熔剂和由该方法制备的CI（G）S薄膜制造包含Cu-Se薄膜的CI（G）S薄膜的方法
公开(公告)号：WO2013012240A2
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/KR2012/005695
申请日：2012-07-17
申请人： 한국에너지기술연구원 , 조아라 , 안세진 , 윤경훈 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 안승규
发明人： 조아라 , 안세진 , 윤경훈 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 안승규
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/035218 , H01L31/0749 , Y02E10/541
摘要： Cu-Se 이성분계 나노입자 플럭스를 이용한 CI (G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 CI(G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI (G)S계 박막의 제조방법은， Cu-Se 이성분계 나노입자 및 In 나노입자를 제조하는 단계; Cu-Se 이성분계 나노입자， 용매 및 바인더를 흔합하여 Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리를 제조하고， In 나노입자， 용매 및 바인더를 흔합하여 In 나노입자 포함 슬러리를 제조 하는 단계; Cu-Se 이성분계 나노입자 포함 슬러리 및 In 나노입자 포함 슬러리를 기판 상에 순서에 관계없이 교대로 코팅하여 복수개의 층이 적층된 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 박막에 열처리하는 단계를 포함한다. 이에 의하여， Cu-Se 이성분계 나노입자는 열처리에 의해 플럭스로 작용하여 입자성장이 층분히 이루어지고， 공극을 채워 치밀한 구조의 박막을 형성하며， 궁극적으로 이를 포함하는 태양전지의 에너지 전환효율을 상승시킬 수 있다.
摘要翻译：（G）使用Cu-Se二元纳米粒子焊剂的S系薄膜和根据该方法制造的CI（G）S系薄膜。本发明的制备CI（G）S薄膜的方法包括以下步骤：制备Cu-Se二元纳米颗粒和In纳米颗粒; 基于两部件的Cu-Se系纳米颗粒，合并并且将溶剂和共同以制备含有纳米的Cu-Se系双组分颗粒，结合在纳米颗粒的浆料中的粘合剂，溶剂和常用的，以制备含有在纳米颗粒的浆料中的粘合剂; 将含有Cu-Se二元纳米粒子的浆料和含In纳米粒子的浆料的浆料依次交替涂布在基材上，由此形成多个层的层叠体; 并对形成的薄膜进行热处理。以这种方式，基于双组分的Cu-Se系纳米颗粒是由充分的晶粒生长层用作通过热处理助熔剂，填充以形成致密的结构的空隙的薄膜，并最终增加了太阳能电池的包含其的能量转换效率你可以做到。

4. 发明申请

WO2014171760A1 동시진공증발공정 기반의 CZTSE 광흡수층 제조방법 审中-公开
标题翻译：基于同时真空蒸发过程制造CZTSE光吸收层的方法
公开(公告)号：WO2014171760A1
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：PCT/KR2014/003352
申请日：2014-04-17
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 곽지혜 , 윤재호 , 안승규 , 신기식 , 안세진 , 조아라 , 윤경훈 , 어영주 , 조준식 , 박주형 , 유진수 , 박상현 , 최혜림
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0322 , Y02E10/541
摘要： 본발명은 동시진공증발공정을 기반으로 양질의 CZTSe 광흡수층 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu, Zn, Sn및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는단계 (단계 a);및 상기 기판의 온도를 내리면서, Zn, Sn및 Se를 동시에 증발시켜 기판에 증착하는 단계 (단계 b)를 포함한다. 본 발명은, 고온에서 동시 진공증발공정을 수행하고 기판의 온도를 낮추면서 추가적인 증발공정을 수행함으로써, 고온의 동시진공증발공정에서 수반되는 Sn손실에 따른 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명의제조방법으로 형성된 CZTSe 광흡수층은 막질이 뛰어나기 때문에 이를 이용하여 제조된 CZTSe태양전지의 광전변환 효율이향상되는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种基于同时真空蒸发处理制造质量好的CZTSe光吸收薄膜的方法。该方法包括以下步骤：同时蒸发Cu，Zn，Sn和Se，并在衬底上沉积Cu，Zn，Sn和Se（步骤a）; 同时蒸发Zn，Sn和Se，并在衬底上沉积Zn，Sn和Se，同时降低衬底的温度（步骤b）。本发明在高温下进行同时真空蒸发处理，并且在降低基板的温度的同时进行附加的蒸发处理，从而具有解决伴随高温同时真空蒸发的Sn的损失引起的问题的效果处理。此外，由于通过本发明的制造方法形成的CZTSe光吸收层质量高，所以本发明具有提高使用CZTSe光吸收层制造的CZTSe太阳能电池的光电转换效率的效果。

5. 发明申请

WO2013191451A1 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 박막의 제조방법, 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 태양전지의 제조방법 및 그 CZTS계 태양전지 审中-公开
标题翻译：用于制造具有双带隙坡度的基于薄膜的薄膜的方法，用于制造具有双带隙坡度和基于其的基于太阳能电池的基于CTS的太阳能电池的方法
公开(公告)号：WO2013191451A1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：PCT/KR2013/005381
申请日：2013-06-19
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 윤재호 , 곽지혜 , 안세진 , 윤경훈 , 신기식 , 안승규 , 조아라 , 박상현 , 조준식 , 유진수 , 박주형 , 어영주
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L31/0326 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 이중의 밴드갭 기울기를 가지는 CZTS계 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, Cu 2 ZnSnS 4 박막층을 형성하는 단계; Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층을 형성하는 단계; 및 Cu 2 ZnSnS 4 박막층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 형태에 따른 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 태양전지의 제조방법은, 후면 전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전극의 위에 상기한 방법으로 CZTS계 박막층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명의 또 다른 형태에 따른 CZTS계 태양전지는, 후면 전극; 및 상기 후면 전극 위에 형성된 CZTS계 박막층을 포함하며, 상기 CZTS계 박막층은, Cu 2 ZnSnS 4 박막층, Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층 및 Cu 2 ZnSnS 4 박막층이 순차로 형성되고, Cu 2 ZnSn(S,Se) 4 박막층의 밴드갭 에너지가 Cu 2 ZnSnS 4 박막층의 밴드갭 에너지보다 낮은 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 이중의 밴드갭 기울기가 형성된 CZTS계 박막층은 표면측의 밴드갭이 높아서 개방전압이 증가하고 재결합이 감소하며, 후면측의 밴드갭이 높아서 전자이동도는 증가함으로써, 태양전지의 효율을 향상시키는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种具有双带隙斜率的基于CZTS的薄膜的制造方法，包括以下步骤：形成Cu2ZnSnS4薄膜层; 形成Cu2ZnSn（S，Se）4薄膜层; 并形成Cu2ZnSnS4薄膜层。根据本发明的另一方面的制造具有双带隙斜率的CZTS型太阳能电池的方法包括以下步骤：形成后电极; 以及通过上述方法在后电极上形成CZTS基薄膜层。根据本发明的另一方面的基于CZTS的太阳能电池包括：后电极; 以及形成在后电极上的CZTS基薄膜层，其中基于CZTS的薄膜层的特征在于顺序形成Cu 2 ZnSnSn 4薄膜层，Cu 2 ZnSn（S，Se）4薄膜层和Cu 2 ZnSnSn薄膜层，以及 Cu2ZnSn（S，Se）4薄膜层的带隙能量低于Cu2ZnSnS4薄膜层的带隙能量。根据本发明的具有双带隙斜率的CZTS基薄膜层具有表面侧的高带隙，从而增加开路电压并减少复合，并且具有后侧的高带隙，从而增加电子迁移率，从而导致太阳能电池效率的提高。

6. 发明申请

WO2016017846A1 광-전자적 측정 시에 샘플의 온도를 제어하는 장치 및 이를 이용한 태양전지 측정 장치 审中-公开
标题翻译：用于控制使用光电子测量的样品的温度和使用相同的太阳能电池测量装置的装置
公开(公告)号：WO2016017846A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/KR2014/007369
申请日：2014-08-08
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 안승규 , 윤경훈 , 윤재호 , 조준식 , 안세진 , 곽지혜 , 신기식 , 김기환 , 박주형 , 어영주 , 유진수 , 조아라
IPC分类号： H02S50/00 , H02S40/42 , G05D23/19
CPC分类号： H02S50/15 , G01R31/2877 , G05D23/1917 , H02S50/00 , H02S50/10
摘要： 본 발명은 샘플의 광-전자적 측정 시에 샘플의 온도를 제어하는 장치를 개시한다. 본 발명에 의한 샘플의 광-전자적 측정 시에 샘플의 온도를 제어하는 장치는, 측정 대상이 되는 샘플이 고정되는 샘플 스테이지; 공기를 분사하여 상기 샘플을 냉각하는 냉각부; 및 상기 샘플의 온도를 측정하는 온도계를 구비한 온도측정부;를 포함한다. 본 발명은, 공기를 바로 샘플에 분사하거나 혹은 공기를 냉각하여 샘플에 분사하는 직접적인 샘플 온도 제어 방식을 적용함으로써, 측정 대상인 샘플의 온도를 용이하게 조절할 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：公开了一种当进行样品的光电子测量时用于控制样品的温度的装置。根据本发明的用于在进行样品的光电子测量时用于控制样品的温度的装置包括：固定有测量样品的样品台; 用于通过喷射空气冷却样品的冷却单元; 以及温度测量单元，其具有用于测量样品的温度的温度计。本发明具有通过应用直接样品温度控制装置容易地调节待测样品的温度的效果，其中将空气直接喷射到样品上或空气冷却然后喷射到样品上。

7. 发明申请

WO2015160069A1 박막 태양전지의 광흡수층의 제조방법 및 이를 이용한 박막 태양전지 审中-公开
标题翻译：用于制备薄膜太阳能电池的光吸收层的方法和使用其的薄膜太阳能电池
公开(公告)号：WO2015160069A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/KR2014/012549
申请日：2014-12-18
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조아라 , 윤경훈 , 안세진 , 윤재호 , 곽지혜 , 신기식 , 어영주 , 안승규 , 조준식 , 유진수 , 박주형 , 김기환
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/054 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/208 , H01L31/032 , H01L31/04 , Y02E10/52
摘要： 본 발명은 태양전지 투명전극의 제조방법에 있어서, Ib족원소-VIa족원소 이성분계 나노입자 제조단계(s100); 상기 Ib족원소-VIa족원소 이성분계 나노입자에 용매와 바인더 및 Va족원소를 포함하는 용액전구체를 첨가하여 Ib족원소-VIa족원소의 이성분계 나노입자 슬러리를 제조하는 단계(s200): 상기 Ib족원소-VIa족원소의 이성분계 나노입자 슬러리의 분산 및 믹싱단계(s300); 상기 후면전극층(200)위에 상기 Ib족원소-VIa족원소의 이성분계 나노입자 슬러리를 코팅하는 단계(s400); 상기 코팅된 나노입자 슬러리를 VIa족 원소를 공급하면서 열처리하는 단계(s500); 를 포함하는 박막 태양전지의 광흡수층의 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：本发明提供一种太阳能电池用透明电极的制造方法，其特征在于，制备薄膜太阳能电池的光吸收层的方法，其特征在于，包括以下工序：（s100）制备IB族元素的二元纳米粒子 - 一组VIA元素; （s200）通过将IB溶液，粘合剂和VA族元素的溶液前体加入IB族元素-WIA元素的二元纳米颗粒中制备IB族元素-WA族元素的二元纳米颗粒浆料 ; （s300）分散和混合IB族元素-WA族元素的二元纳米颗粒浆料; （s400）在背面电极层（200）上涂覆IB族元素-WIA族元素的二元纳米颗粒浆料; 和（s500）在提供组VIA元件的同时热处理涂覆的纳米颗粒浆料。

8. 发明申请

WO2015030275A1 이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리의 숙성 단계가 도입된 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막 审中-公开
标题翻译：介绍了基于CI（G）S的薄膜制备方法，其中包含二元纳米颗粒的浆料成型工艺和CI（G）S薄膜的制备方法
公开(公告)号：WO2015030275A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：PCT/KR2013/007810
申请日：2013-08-30
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 조아라 , 윤경훈 , 안세진 , 윤재호 , 어영주 , 곽지혜 , 안승규 , 조준식 , 유진수 , 박주형 , 김기환
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0256
CPC分类号： H01L31/0322 , C23C14/5806 , C23C14/5866 , H01L31/03923 , H01L31/18 , Y02E10/541
摘要： 이성분계 나노입자를 포함하는 슬러리의 숙성 단계가 도입된 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막이 제공된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계의 이성분계 나노입자를 제조하는 단계; 상기 이성분계 나노입자, CI(G)S계 원소를 포함하는 용액 전구체, 용매 및 킬레이트제를 혼합하여 하이브리드형 슬러리를 제조하는 단계; 상기 하이브리드형 슬러리를 5일 내지 10일 동안 숙성하는 단계; 숙성된 하이브리드형 슬러리를 코팅하여 CI(G)S계 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 CI(G)S박막에 열처리하는 단계를 포함한다.이에 의하여，CI(G)S계 태양전지 박막 제조 시 우수한 재현성 확보가 가능하고，따라서 생산된 박막의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：提供了一种用于引入包含二元纳米颗粒的浆料的熟化工艺的CI（G）S基薄膜的制造方法和通过该方法制造的CI（G）S基薄膜。本发明的CI（G）S薄膜的制造方法包括：制备CI（G）S的二元纳米粒子的步骤; 通过混合二元纳米颗粒，包含CI（G）S基元素的溶液前体，溶剂和螯合剂来生产混合型浆料的步骤; 将混合型浆料熟化5至10天的步骤; 通过涂布成熟的混合型浆料形成CI（G）S基薄膜的步骤; 以及用于热处理形成的CI（G）S薄膜的步骤。因此，在制造基于CI（G）S的太阳能电池薄膜时可以确保优异的再现性，从而提高制造薄膜的可靠性。

9. 发明申请

WO2014142401A1 성능이 향상된 CI(G)S 박막 제조 방법과 이를 이용한 태양전지. 审中-公开
标题翻译：用于生产具有改进性能的CI（G）S薄膜的方法和使用其的光电池
公开(公告)号：WO2014142401A1
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/KR2013/007088
申请日：2013-08-06
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 어영주 , 조준식 , 박주형 , 윤경훈 , 안세진 , 곽지혜 , 윤재호 , 조아라 , 신기식 , 안승규 , 유진수 , 박상현
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0749 , H01L21/02568 , H01L21/02664 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 태양전지의 광흡수층으로서의 CI(G)S박막 제조 방법으로 Substrate를 준비하는 단계, 전구체인 CI(G)S계 화합물을 제조하는 단계, 상기 Substrate 상에 상기 전구체인 CI(G)S계 화합물을 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계, 상기 Substrate 상에 형성된 CI(G)S계 전구체 박막을 건조하는 단계, 상기 건조된 CI(G)S계 전구체 박막을 열처리를 통해 셀렌화하여 CI(G)S 박막을 형성하는 단계,상기 형성된 CI(G)S 박막을 나트륨(Na)을 포함한 용액에 침지(Dipping)하여 버퍼(Buffer)층을 증착하는 단계, 상기 버퍼(Buffer)층이 증착된 상기 CI(G)S 박막을 열처리하여 상기 버퍼층 상의 나트륨(Na)이 나트륨 이온(Na+) 상태로 상기 CI(G)S 박막으로 이동하도록 한다. 이를 통해 상기 나트륨 이온(Na+)이 상기 CI(G)S 박막의 결정립의 결함을 줄여주는 것이 가능하며 성능이 항상된 CI(G)S 박막을 제조하여 태양전지의 광흡수층으로 사용 가능하다.
摘要翻译：一种用于制造作为光伏电池的光吸收层的CI（G）S薄膜的方法，包括以下步骤：制备基板; 制备作为前体的CI（G）S基化合物; 在基板上涂覆前体CI（G）S基化合物，以形成CI（G）S基前体薄膜; 干燥形成在基板上的CI（G）S基前体薄膜; 通过热处理对干燥的CI（G）S基前体薄膜进行硒化，形成CI（G）S薄膜; 将形成的CI（G）S薄膜浸入含有钠（Na）的溶液中以便在其上沉积缓冲层; 对其上沉积有缓冲层的CI（G）S薄膜进行热处理，以使缓冲层上的钠（Na）以钠离子（Na +）状态移动至CI（G）S薄膜。因此，钠离子（Na +）可以减少CI（G）S薄膜和具有改进性能的CI（G）S薄膜）中的缺陷并用作光吸收层的光伏电池。

10. 发明申请

WO2016006750A1 광 바이어스 장치 및 이를 포함하는 태양전지 분광응답 측정 장치 审中-公开
标题翻译：光学偏置装置和太阳能电池光谱响应测量装置
公开(公告)号：WO2016006750A1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：PCT/KR2014/007018
申请日：2014-07-31
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 안승규 , 윤경훈 , 윤재호 , 조준식 , 안세진 , 곽지혜 , 신기식 , 김기환 , 박주형 , 어영주 , 유진수 , 조아라
IPC分类号： G02B6/293 , H02S50/10
CPC分类号： G02B6/293 , H02S50/10
摘要： 본 발명은 다양한 스펙트럼을 갖는 빛을 출사 가능한 광 바이어스 장치 및 이를 이용한 태양전지 분광응답 측정 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 광 바이어스 장치는, 빛을 발광하는 바이어스 광원을 구비한 광원부; 입사된 빛이 경로를 따라 이동되는 복수의 광유로가 구비된 광가이드부; 및 상기 광가이드부 입구에 각각 위치되거나, 또는 상기 광가이드부에서 이동되는 빛의 경로 상에 위치되거나, 또는 상기 광가이드부 출구에 각각 위치되는 적어도 하나의 광필터가 구비된 복수의 광필터부를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种能够发出具有各种光谱的光的光学偏置装置，以及使用其的太阳能电池光谱响应性测量装置。根据本发明的光学偏压装置包括：光源部，其具有发射光的偏置光源; 导光部，具有入射光沿其移动的多个光路; 以及多个光学滤光器部分，其具有分别位于导光部的入口中的一个或多个光学滤光器，位于在导光部中移动的光的路径中，或分别位于导光部的出口中。

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