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1. 发明申请

WO2018194210A1 자외선 포토루미네선스를 이용한 결정의 폴리타입 분석방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2018194210A1
公开(公告)日：2018-10-25
申请号：PCT/KR2017/005071
申请日：2017-05-16
申请人： 한국세라믹기술원
发明人： 최형석 , 윤지영 , 정성민
IPC分类号： G01N21/33 , G01N1/34 , G01N21/64 , G01N21/17
CPC分类号： G01N1/34 , G01N21/17 , G01N21/33 , G01N21/64
摘要： 본 발명은 자외선 포토루미네선스를 이용한 결정의 폴리타입 분석방법에 관한 것으로, 광원으로부터 발광된 자외선이 샘플의 표면 측으로 조사되는 자외선조사단계; 상기 자외선조사단계에서 상기 자외선이 조사된 상기 샘플의 표면 측으로부터 방출되는 포토루미네선스를 카메라장치가 입사받아서 포토루미네선스 이미지정보를 획득하는 포토루미네선스 이미지정보 획득단계; 및 상기 포토루미네선스 이미지 획득단계에서 상기 카메라장치에 획득된 상기 포토루미네선스 이미지정보가 상기 카메라장치 측으로부터 데이터처리장치 측으로 전달되고, 상기 샘플의 폴리타입(polytype)이 판단될 수 있도록, 상기 데이터처리장치가 상기 포토루미네선스 이미지정보를 소정의 색상공간 상에 나타낼 수 있는 적어도 하나 이상의 색상점으로 변환시키는 데이터처리단계를 포함한다.

2. 发明申请

WO2017183747A1 용액성장용 도가니 및 도가니 내의 용액성장 방법 审中-公开
标题翻译：在溶液生长坩埚和坩埚中生长溶液的方法
公开(公告)号：WO2017183747A1
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：PCT/KR2016/004150
申请日：2016-04-21
申请人： 한국세라믹기술원
发明人： 서원선 , 정성민 , 이명현 , 김영희 , 윤지영
IPC分类号： C30B15/10 , C30B29/36 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/00 , C30B15/10 , C30B29/36
摘要： 본 발명은 도가니 및 도가니에서의 용액성장 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 도가니 성분과 반응하여 단일성분 또는 화합물 단결정을 성장시키기 위한 도가니에 있어서, 상기 도가니 내에는 단일성분의 융액 또는 화합물을 구성하는 일부 성분의 융액이 수용되며, 상기 융액은 상기 도가니의 내벽과 반응하도록 하되, 상기 도가니의 내벽은 거칠기가 부여되는 것을 특징으로 하는 용액성장용 도가니를 제공한다. 이상과 같은 본 발명에 따르면, 도가니의 내표면에 거칠기를 부여함으로써 매끈한 내표면의 도가니에 비하여 용해속도를 높여서 단일성분 또는 화합물 단결정의 성장속도를 제고할 수 있으며, 또한 도가니의 내표면에 거칠기를 부여하는 대신, 또는 거칠기 부여와 동시에 도가니의 내부에 표면 거칠기를 갖는 도가니와 동일성분의 블록을 장입하고 단결정을 성장시킴으로써 단결정의 성장과정에서 발생되는 도가니의 빠른 침식효과를 블록의 침식에 의해 분산시켜 도가니의 급속한 붕괴를 예방하는 작용효과가 기대된다.
摘要翻译：
本发明涉及一种涉及在坩埚中的溶液生长法和坩埚，并且更具体地涉及一种坩埚用于生长单个成分或化合物的单晶在坩埚与坩埚组分反应具有单个和构成熔体或组件容纳所述熔体的化合物的成分的一部分，将熔体使其反应，但在坩埚的内壁，该炉的内壁，提供一种用于生长坩埚内的溶液，其特征在于粗糙度中给出。根据本发明，如上述那样，通过相比于光滑的内表面的坩埚可以提高单个部件的生长速度或化合物的单晶，而在坩埚的内表面上的粗糙度提高溶解速率提供所述坩埚的内表面上的粗糙度。加载的同样的时间和地点的，或具有在炉内坩埚与同一部件的内部的表面粗糙度的粗糙度许可授予的块，以及由在所述单晶块的侵蚀的生长过程由生长单晶产生的坩埚的快速侵蚀效应分散预计可以达到防止坩埚快速崩溃的效果。

3. 发明授权

KR101733698B1 용액성장용 도가니 및 도가니 내의 용액성장 방법 有权
标题翻译：在溶液生长坩埚和坩埚中生长溶液的方法
公开(公告)号：KR101733698B1
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150168515
申请日：2015-11-30
申请人： 한국세라믹기술원
发明人： 서원선 , 정성민 , 이명현 , 김영희 , 윤지영
IPC分类号： C30B19/00 , C30B29/36 , H01L21/22 , H01L21/02
摘要： 본발명은도가니및 도가니에서의용액성장방법에관한것으로서, 보다상세하게는도가니성분과반응하여단일성분또는화합물단결정을성장시키기위한도가니에있어서, 상기도가니내에는단일성분의융액또는화합물을구성하는일부성분의융액이수용되며, 상기융액은상기도가니의내벽과반응하도록하되, 상기도가니의내벽은거칠기가부여되는것을특징으로하는용액성장용도가니를제공한다. 이상과같은본 발명에따르면, 도가니의내표면에거칠기를부여함으로써매끈한내표면의도가니에비하여용해속도를높여서단일성분또는화합물단결정의성장속도를제고할수 있으며, 또한도가니의내표면에거칠기를부여하는대신, 또는거칠기부여와동시에도가니의내부에표면거칠기를갖는도가니와동일성분의블록을장입하고단결정을성장시킴으로써단결정의성장과정에서발생되는도가니의빠른침식효과를블록의침식에의해분산시켜도가니의급속한붕괴를예방하는작용효과가기대된다.
摘要翻译：本发明涉及坩埚和坩埚中的溶液生长方法，更具体地涉及通过与坩埚部件反应生长单一组分或化合物单晶的坩埚，其中使熔体与坩埚的内壁发生反应，其中坩埚的内壁具有粗糙度。根据本发明，如上述那样，通过相比于光滑的内表面的坩埚，可以增加单个成分或化合物的单晶的生长速度，并考虑到坩埚的内表面上的粗糙度提高溶解速率提供所述坩埚的内表面上的粗糙度。代替，或者由相同的时间由在所述单晶块的侵蚀的生长过程中产生的坩埚的快速侵蚀效应给出与具有在坩埚的内部的表面粗糙度相同的部件坩埚的带电块，并且分散在该粗糙度由生长单晶的坩埚预计防止快速崩溃的效果

4. 发明公开

KR1020160047659A 다공성 흑연도가니 및 이를 이용한 탄화규소 단결정의 용액성장 제조방법 有权
标题翻译：多孔石墨可溶性和通过使用其的溶液生长的SIC单晶的制造方法
公开(公告)号：KR1020160047659A
公开(公告)日：2016-05-03
申请号：KR1020140143500
申请日：2014-10-22
申请人： 한국세라믹기술원
发明人： 서원선 , 정성민 , 김영희 , 이명현 , 김병근 , 이지은 , 윤지영
IPC分类号： C30B19/06 , C30B29/36
摘要： 본발명은용액성장법을이용한탄화규소단결정의제조방법에관한것으로서, 그내면에다공성흑연또는다공성카본을적용한흑연도가니를사용해서탄화규소단결정을제조하는방법에관한것이다. 이상과같은본 발명에따르면, 용액성장법을이용한탄화규소단결정성장에있어서동일한실험조건에서카본의용해도를단시간에극대화하여결정성장속도를높일수 있는작용효과가기대된다.
摘要翻译：本发明涉及一种使用溶液生长法制造SiC单晶的方法，更具体地说，涉及一种使用石墨坩埚制造SiC单晶的方法，该SiC单晶在其内部被施加多孔石墨或多孔碳。根据本发明的实施例，提供一种用于制造SiC单晶的石墨坩埚，其中石墨坩埚的内表面由多孔石墨或碳层组成。根据上述本发明，通过在使用溶液生长的SiC信号晶体的生长期间，在相同的实验条件下，在短时间内最大化碳的溶解度，可以预期运行效果能够提高晶体生长速度方法。

5. 发明授权

KR101998138B1 자외선 포토루미네선스를 이용한 결정의 폴리타입 분석방법 有权
公开(公告)号：KR101998138B1
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：KR1020170060586
申请日：2017-05-16
申请人： 한국세라믹기술원
发明人： 최형석 , 윤지영 , 정성민
IPC分类号： G01N21/33 , G01N1/34 , G01N21/17

6. 发明授权

KR101636435B1 다공성 흑연도가니 및 이를 이용한 탄화규소 단결정의 용액성장 제조방법 有权
标题翻译：多孔石墨坩埚和SiC单晶的制备方法通过溶液生长使用相同
公开(公告)号：KR101636435B1
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：KR1020140143500
申请日：2014-10-22
申请人： 한국세라믹기술원
发明人： 서원선 , 정성민 , 김영희 , 이명현 , 김병근 , 이지은 , 윤지영
IPC分类号： C30B19/06 , C30B29/36
摘要： 본발명은용액성장법을이용한탄화규소단결정의제조방법에관한것으로서, 그내면에다공성흑연또는다공성카본을적용한흑연도가니를사용해서탄화규소단결정을제조하는방법에관한것이다. 이상과같은본 발명에따르면, 용액성장법을이용한탄화규소단결정성장에있어서동일한실험조건에서카본의용해도를단시간에극대화하여결정성장속도를높일수 있는작용효과가기대된다.

7. 发明授权

KR101455061B1 단결정 성장을 위한 고온화학기상증착 장치용 도가니 및 이를 이용한 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치 有权
标题翻译：用于生长单晶和高温化学蒸气沉积装置的高温化学气相沉积装置的研究用于生产单晶的CRUCIBLE
公开(公告)号：KR101455061B1
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：KR1020140024940
申请日：2014-03-03
申请人： 한국세라믹기술원
发明人： 서원선 , 이명현 , 정성민 , 김병근 , 이상일 , 윤지영 , 남덕희
IPC分类号： C30B25/12 , C30B25/16
摘要： The present invention relates to a crucible of a high-temperature chemical vapor deposition apparatus for growing single crystal and an apparatus for growing single crystal using the crucible, the crucible characterized by comprising: a holder including a first flat plate and a second flat plate which protrudes in a stair-shape to have a stepped portion with respect to the first flat plate and at which a seed is positioned; a holder cap which includes a third plate having an opening for exposing the seed, has a structure including a wall surface perpendicular to the third plate, and has a vacant space for partially accommodating the second plate to cover the second plate; and a crucible body facing the holder, wherein an attachment/detachment protrusion which has a shape of an oblique screw thread is formed around a circumference of a side surface of the second plate and an attachment/detachment groove which has an oblique shape and corresponds to the attachment/detachment protrusion is formed on an inner side surface of the holder cap, or alternatively, an attachment/detachment groove which has a shape of an oblique screw thread is formed around the circumference of the side surface of the second plate and an attachment/detachment protrusion which has a shape of an oblique screw thread and corresponds to the attachment/detachment groove is formed on an inner side surface of the holder cap.
摘要翻译：本发明涉及用于生长单晶的高温化学气相沉积装置的坩埚和使用坩埚生长单晶的装置，其特征在于包括：保持器，其包括第一平板和第二平板，突出成台阶状，以相对于第一平板具有阶梯部分，种子位于该台阶部分; 包括具有用于暴露种子的开口的第三板的保持器盖具有包括垂直于第三板的壁表面的结构，并且具有用于部分地容纳第二板以覆盖第二板的空闲空间; 以及与所述保持件相对的坩埚体，其特征在于，在所述第二板的侧面的周围形成具有倾斜螺纹形状的安装/拆卸突起，所述安装/拆卸突起具有倾斜形状并且对应于附着/分离突起形成在保持器盖的内侧表面上，或者替代地，具有斜螺纹形状的安装/拆卸槽围绕第二板的侧表面的圆周形成，并且附件在保持器盖的内侧面上形成具有倾斜螺纹形状并且对应于安装/拆卸槽的分离突起。

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