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1. 发明申请

WO2012067283A1 전자 회로용 반도체 박막의 제조방법 审中-公开
标题翻译：电子电路制造半导体薄膜的方法
公开(公告)号：WO2012067283A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/KR2010/008124
申请日：2010-11-17
申请人： 한국생산기술연구원 , 손하영 , 임은희 , 이성구 , 이경균
发明人： 손하영 , 임은희 , 이성구 , 이경균
IPC分类号： H01L21/208
CPC分类号： H01L21/02628 , C23C24/08 , H01L21/02491 , H01L21/02513
摘要： 본 발명은, 기판 위에 금속 섬을 형성하는 제1단계, 금속 섬 위에 전구체 용액을 공급하는 제2단계 및 전구체 용액을 열처리하여 박막을 수득하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 회로용 반도체 박막의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 의하면, 금속 섬 위에서 전구체 용액을 열처리하여 반도체 박막을 수득함으로써, 1차(가경화) 및 2차(경화) 열처리 공정을 별도로 진행할 필요가 없게 되어, 비교적 짧은 시간 내에 저비용으로 반도체 박막의 제조가 이루어질 수 있고, 또한 반도체 박막의 결정립을 더욱 크게 형성할 수 있으므로, 품질이 향상된 전자 회로용 반도체 박막을 제조할 수 있게 된다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造电子电路用半导体薄膜的方法，包括：在基板上形成金属岛的第一步骤; 将前体溶液供应到金属岛上的第二步骤; 以及通过热处理前体溶液获得薄膜的第三步骤。根据本发明，通过对前体溶液进行热处理获得半导体薄膜可以消除分开的第一（预硬化）和第二（硬化）热处理工艺，从而允许半导体薄膜的制造相对短时间和低成本，并且通过在半导体薄膜中形成更大的晶粒，允许用于电子电路的半导体薄膜的制造具有更好的质量。

2. 发明公开

KR1020100093249A 반도체 나노입자의 박막 형성방법 및 이를 이용하여 형성된반도체 나노입자의 박막 有权
标题翻译：制备半导体纳米薄膜的方法和使用其制备的半导体纳米薄膜
公开(公告)号：KR1020100093249A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：KR1020090012352
申请日：2009-02-16
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 손하영 , 임은희 , 이성구 , 이경균
IPC分类号： H01L21/324 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L21/02601 , B82Y40/00 , H01L21/02628 , H01L21/324
摘要： PURPOSE: A method for forming a thin film of a semiconductor nano particle and the thin film of a semiconductor nano particle formed by using the same are provided to selectively heat a necessary part by using the dielectric difference of materials by sintering the semiconductor nano particles with a frictional heat between polymers. CONSTITUTION: An object(181) is received in a housing(110). A magnetron(120) generates an electromagnetic wave. A gas inlet(130) and a gas outlet(140) control the gas atmosphere inside a housing. A temperature sensor(150) and a pressure sensor(160) sense the temperature and pressure inside the housing. The temperature sensor, the pressure sensor, the gas inlet, and the gas outlet are connected to the controller.
摘要翻译：目的：提供一种形成半导体纳米颗粒的薄膜的方法和通过使用该半导体纳米颗粒形成的半导体纳米颗粒的薄膜，以通过使用材料的电介质差异来烧结半导体纳米颗粒以选择性地加热所需部分，聚合物之间的摩擦热。构成：物体（181）被容纳在壳体（110）中。磁控管（120）产生电磁波。气体入口（130）和气体出口（140）控制壳体内的气体气氛。温度传感器（150）和压力传感器（160）感测壳体内的温度和压力。温度传感器，压力传感器，气体入口和气体出口连接到控制器。

3. 发明授权

KR101207403B1 수계 액정성 고분자를 이용한 실버 나노와이어 잉크 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：使用液晶聚合物的银纳米油墨及其制备方法
公开(公告)号：KR101207403B1
公开(公告)日：2012-12-04
申请号：KR1020110008648
申请日：2011-01-28
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 이성구 , 이경균 , 임은희 , 손하영
IPC分类号： C09D11/52 , C09D11/03
摘要： 본발명은바코팅, 롤코팅과같은코팅방법을사용하여투명전극및 인쇄용금속배선을형성할수 있는수계액정성고분자를이용한실버나노와이어잉크및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의실버나노와이어잉크는물에분산된실버나노와이어및 수계액정성고분자를포함하는것을특징으로한다. 본발명의실버나노와이어잉크및 이의제조방법에따르면, 수계액정성을가진고분자를분산제로사용하여실버나노와이어를수용액상에분산시킴으로써실버나노와이어잉크의분산안정성을향상시킬수 있다. 이와같이제조된실버나노와이어잉크를이용하여바코팅, 롤코팅등과같은코팅방법을통해투명전극및 인쇄용금속배선등을형성할수 있다.

4. 发明公开

KR1020110105239A 위치규칙성 ＰＥＤＯＴ 유도체 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：偶联引发剂及其制备方法
公开(公告)号：KR1020110105239A
公开(公告)日：2011-09-26
申请号：KR1020100024379
申请日：2010-03-18
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 이성구 , 이경균 , 임은희 , 손하영
IPC分类号： C07D495/04 , C07D319/14 , C07D519/00
摘要： 본 발명은 위치규칙성 PEDOT 유도체 및 이의 제조방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 하기 화학식 1 또는 화학식 6으로 표시되는 위치규칙성이 향상되어 전도성이 우수한 PEDOT 유도체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

[화학식 6]

상기 R은 알킬기이고, 바람직하게는 탄소수 3 내지 15인 알킬기임.

5. 发明公开

KR1020110024634A 전자 회로용 반도체 박막의 제조방법 无效
标题翻译：电子电路制造半导体薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020110024634A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090082706
申请日：2009-09-02
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 손하영 , 임은희 , 이성구 , 이경균
IPC分类号： H01L21/208
CPC分类号： H01L21/02628 , H01L21/02672
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor thin film for an electron circuit is provided to increase a crystal grain of the semiconductor thin film by a thermal process after a precursor solution is supplied to a metal island formed on a substrate. CONSTITUTION: A metal island is formed on a substrate. The metal island and a metal line are formed together when the metal line is formed on the substrate. The size of each metal island is 0.1 nm to 1 m. A precursor solution is supplied to the metal island. A thin film is formed by thermally processing the precursor solution.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造用于电子电路的半导体薄膜的方法，用于在将前体溶液供应到形成在基板上的金属岛上之后通过热处理来增加半导体薄膜的晶粒。构成：在基板上形成金属岛。当金属线形成在基板上时，金属岛和金属线形成在一起。每个金属岛的尺寸为0.1nm至1μm。将前体溶液供应到金属岛。通过热处理前体溶液形成薄膜。

6. 发明公开

KR1020120087454A 수계 액정성 고분자를 이용한 실버 나노와이어 잉크 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：使用液晶聚合物的银纳米油墨及其制备方法
公开(公告)号：KR1020120087454A
公开(公告)日：2012-08-07
申请号：KR1020110008648
申请日：2011-01-28
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 이성구 , 이경균 , 임은희 , 손하영
IPC分类号： C09D11/52 , C09D11/03
CPC分类号： C09D11/52 , C08K3/08 , C08K7/22 , C08K2003/0806 , C08K2201/001 , C09D11/03 , H01B1/22 , H01B5/16 , H05K1/097
摘要： PURPOSE: Silver nanowire ink and manufacturing method thereof are provided to enhance dispersion stability of the silver nanowire ink by dispersing the silver nanowire into an aqueous solution. CONSTITUTION: Silver nanowire ink comprises a silver nanowire dispersed in water and a water-based liquid crystal polymer. 0.01-20 wt% of the water-based liquid crystal polymer is included. The silver nanowire ink additionally includes a thickening agent, surfactant, and a cross-linking agent or an anti-foaming agent. A manufacturing method of the silver nano-wire ink comprises the following steps: manufacturing a silver nanowire solution in which the silver nanowire is dispersed in water; and agitating the outcome after adding the water-based liquid crystal polymer into the silver nano-wire solution.
摘要翻译：目的：提供银纳米线油墨及其制造方法，以通过将银纳米线分散到水溶液中来提高银纳米线油墨的分散稳定性。构成：银纳米线油墨包含分散在水中的银纳米线和水基液晶聚合物。包括0.01-20重量％的水基液晶聚合物。银纳米线墨水还包括增稠剂，表面活性剂，交联剂或消泡剂。银纳米线油墨的制造方法包括以下步骤：制造其中银纳米线分散在水中的银纳米线溶液; 并在将水性液晶聚合物添加到银纳米线溶液中后搅拌结果。

7. 发明授权

KR101188340B1 위치규칙성 ＰＥＤＯＴ 유도체 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：偶联引发剂及其制备方法
公开(公告)号：KR101188340B1
公开(公告)日：2012-10-09
申请号：KR1020100024379
申请日：2010-03-18
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 이성구 , 이경균 , 임은희 , 손하영
IPC分类号： C07D495/04 , C07D319/14 , C07D519/00
摘要： 본 발명은 위치규칙성 PEDOT 유도체 및 이의 제조방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 하기 화학식 1 또는 화학식 6으로 표시되는 위치규칙성이 향상되어 전도성이 우수한 PEDOT 유도체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

[화학식 6]

상기 R은 알킬기이고, 바람직하게는 탄소수 3 내지 15인 알킬기임.

8. 发明授权

KR101041110B1 반도체 나노입자의 박막 형성방법 및 이를 이용하여 형성된반도체 나노입자의 박막 有权
标题翻译：制备半导体纳米薄膜的方法和使用其制备的半导体纳米薄膜
公开(公告)号：KR101041110B1
公开(公告)日：2011-06-13
申请号：KR1020090012352
申请日：2009-02-16
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 손하영 , 임은희 , 이성구 , 이경균
IPC分类号： H01L21/324 , B82B3/00 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 반도체 나노입자의 박막 형성방법 및 이를 이용하여 형성된 반도체 나노입자의 박막에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 나노입자의 박막 형성방법은, IV-A 족 원소 나노입자 또는 유기 기능성기로 표면이 개질된 IV-A 족 원소 나노입자를 함유하는 도포용액을 제조하는 단계; 상기 도포용액을 피도포체에 도포하는 단계; 및 전자기파를 이용하여 상기 피도포체에 도포된 도포용액을 선택적으로 소결하는 단계를 포함한다.
본 발명의 반도체 나노입자의 박막 형성방법 및 이를 이용하여 형성된 반도체 나노입자의 박막형성과 동시에 전자기파를 이용하여 분자가 쌍극자의 유도(회전, 진동)에 의해 발생한 분자간 마찰열로 반도체 나노입자의 박막을 소결함으로써 필요한 부분만을 선택적으로 가열하여 고품질의 반도체 특성을 갖도록 할 수 있다. 이에 의해 반도체 소자 제조를 위한 타 공정 및 재료의 이용 범위를 넓힐 수 있다.
반도체, 나노입자, 박막, 전자기파, 마이크로웨이브, 분자가 유도

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