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1. 发明申请

WO2019194607A1 전위보호막을 포함하는 이차전지용 전극 구조 및 이의 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2019194607A1
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：PCT/KR2019/004015
申请日：2019-04-04
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박원일 , 장원준
IPC分类号： H01M4/13 , H01M4/136 , H01M4/139 , H01M4/1397 , H01M4/04 , C23C16/24 , C23C16/42 , H01M10/0525
摘要： 본 발명은 전위 제어(electric potential control)를 통하여 전극과 전해질 사이의 부반응을 억제할 수 있는 전위보호막을 포함하는 이차전지용 전극 구조 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이차전지용 전극 구조는 전위 제어를 이용함으로써, 음극 재료의 사이클 특성과 용량 감소의 원인이 되는 불안정한 SEI 층이 음극활물질의 표면에 발생하지 않고 전위보호막의 표면에만 발생하도록 하여, 기존의 나노구조체 전극이 갖는 문제점을 완전히 해소할 수 있다. 본 발명의 전극 구조는 전위보호막과 나노와이어 음극활물질의 시너지 효과로 인하여, 기존의 나노와이어 전극 구조로부터는 예측하기 어려운 매우 우수한 사이클 성능을 발휘하며, 또한 고율 충방전시에도 안정하며, 저위보호막에 작은 크랙이 발생하더라도 안정적으로 성능을 발휘할 수 있는 효과를 갖는다.

2. 发明申请

WO2011025216A2 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：使用石墨薄膜和纳米颗粒的光电转换器及其制造方法
公开(公告)号：WO2011025216A2
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/KR2010/005631
申请日：2010-08-24
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 김태환 , 정재훈 , 손동익 , 이정민 , 양희연 , 박원일
发明人： 김태환 , 정재훈 , 손동익 , 이정민 , 양희연 , 박원일
IPC分类号： H01L31/0248 , B82B1/00
CPC分类号： H01L31/035209 , H01L31/112 , H01L51/428
摘要： 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 광검출기는, 기상 탄소 공급원을 이용한 그래핀 증착을 통해 제작한 시트 형상의 그래핀 박막; 및 상기 그래핀 박막 위에 형성되며 상기 그래핀 박막의 전극 영역을 정의하도록 패터닝되어 있고 매트릭스 물질 없이 나노 입자로 이루어진 나노 입자층을 포함한다. 이러한 광검출기는 그래핀 박막을 채널 및 전극으로 사용하고 나노 입자를 광기전력 물질(자외선에 의한 광기전력으로 전자-정공쌍을 형성)로 사용하는 수평형 구조이며 매우 간단한 구조이므로 저비용으로 제조할 수 있어 생산성이 높을 뿐만 아니라, 그래핀 박막을 포함함에 따라 저전력화할 수 있다.
摘要翻译：提供了使用石墨烯薄膜和纳米颗粒的光电检测器及其制造方法。本发明的光电检测器包括：通过使用蒸气碳源沉积石墨烯而生产的片状石墨烯薄膜; 以及形成在所述石墨烯薄膜上并且被图案化以限定所述石墨烯薄膜的电极区域并且由不含基质材料的纳米颗粒组成的纳米颗粒层。上述光检测器具有其中使用石墨烯薄膜作为通道和作为电极的平面结构，并且使用纳米颗粒作为光伏材料（通过由紫外线产生的光电子势力形成电子 - 空穴对射线）。本发明的光检测器具有非常简单的结构，可以低成本地制造，从而提高生产率。此外，本发明的光检测器包括所述石墨烯薄膜，因此可以以低功耗工作。

3. 发明申请

WO2022203201A1 급격한 탈리튬화를 이용하여 코어-쉘 구조체를 제조하는 방법, 이에 의해 제조된 코어-쉘 구조체 및 이를 이용한 촉매 审中-公开
公开(公告)号：WO2022203201A1
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：PCT/KR2022/002119
申请日：2022-02-11
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박원일 , 장원준
IPC分类号： B01J37/34 , B01J37/08 , B01J35/00 , C25B1/04 , B01J23/75 , B01J23/755
摘要： 본 발명은 급격한 탈리튬화를 이용하여 코어-쉘 구조체를 제조하는 방법, 이에 의해 제조된 코어-쉘 구조체 및 이를 이용한 촉매에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 리튬화 및 탈리튬화를 이용하여 재료의 내부 및 표면부의 결정성을 조절함으로써 전기 전도도가 높은 코어 및 반응성이 우수한 쉘을 갖는 구조체를 제조할 수 있다. 또한, 급격한 탈리튬화를 통해 재료의 결정성 및 화학적 특성의 변화를 극대화시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 코어-쉘 구조체는 전도성 및 반응성이 우수하고 물분해 촉매로서 효과적으로 사용될 수 있다. 본 발명에서는 귀금속과 같은 고가의 재료를 사용하지 않고 단 한 번의 리튬화 및 탈리튬화를 이용하므로, 경제적이고 간단한 공정으로 촉매 특성이 우수한 코어-쉘 구조체를 제조할 수 있다.

4. 发明申请

WO2011062457A2 유기-무기 하이브리드 태양전지 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：有机 - 无机混合太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2011062457A2
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：PCT/KR2010/008277
申请日：2010-11-23
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 김태환 , 박경훈 , 박원일 , 손동익 , 양희연 , 이정민 , 정재훈
发明人： 김태환 , 박경훈 , 박원일 , 손동익 , 양희연 , 이정민 , 정재훈
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L51/4226 , B82Y10/00 , H01L51/0045 , Y02E10/549
摘要： 유기-무기 하이브리드 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. 유기-무기 하이브리드 태양전지는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 전도성 탄소층, 상기 탄소층 상에 위치하며 탄소층의 상부로 돌출된 n-형 무기 나노와이어들, 상기 나노와이어들 사이의 공간을 채우며 상기 나노와이어들을 덮는 유기 광활성층 및 상기 유기 광활성층 상에 위치한 제2 전극을 포함한다. 본 발명에 따르면, n-형 무기 나노와이어들의 도입에 의해 광활성층에서 생성된 전자의 이동 및 수집 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 나노와이어들의 하단에 위치한 탄소층은 전기 전도도가 매우 높기 때문에 나노와이어와 전극 사이에서 우수한 전자수송층으로 작용할 수 있으며, 전지 내부 저항에 의한 전력 손실을 줄일 수 있다.
摘要翻译：提供了一种有机 - 无机混合太阳能电池及其制造方法。有机 - 无机混合太阳能电池包括第一电极，在第一电极上的导电碳层，位于碳层上并从碳层向上突出的n型无机纳米线，并且覆盖纳米线的有机光敏层和位于有机光敏层上的第二电极。根据本发明，可以通过引入n型无机纳米线来改善在光敏层中产生的电子的移动和收集效率。另外，位于纳米线底部的碳层由于其高导电性可以作为纳米线和电极之间的优良电子传输层，并且可以减少由于电池内阻引起的功率损失。

5. 发明申请

WO2011005013A2 ｐ-ｉ-ｎ 나노선을 이용한 태양전지 审中-公开
标题翻译：太阳能电池使用P-I-N NANOWIRES
公开(公告)号：WO2011005013A2
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：PCT/KR2010/004395
申请日：2010-07-06
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 김태환 , 유주형 , 정재훈 , 이재석 , 박원일
发明人： 김태환 , 유주형 , 정재훈 , 이재석 , 박원일
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/035281 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 넓은 파장 영역대의 태양광을 광 손실 없이 효율적으로 흡수하여 광발전시킬 수 있으며, 공정이 간단한고 공정비용이 저렴한 p-i-n 나노선을 이용한 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 p-i-n 나노선을 이용한 태양전지는 반도 체층과 광기전력층을 구비한다. 광기전력층은 반도체층의 상방으로 길게 뻗은 형상 으로 형성되며 진성(intrinsic) 반도체 물질로 이루어진 코어(core)-나노선 (nanowire)과, 코어-나노선의 외부를 감싸도록 형성되며 반도체 물질로 이루어진 셀(shell)-나노선으로 이루어진 반도체 구조물을 구비한다. 반도체층을 이루는 반 도체 물질은 n-형(n-type)이고, 셀-나노선을 이루는 반도체 물질은 p-형(p-type)이 거나, 반도체층을 이루는 반도체 물질은 p-형이고, 셀-나노선을 이루는 반도체 물 질은 n-형이다.
摘要翻译：本发明涉及一种使用p-i-n纳米线的太阳能电池，其能够有效地吸收宽波长范围内的太阳光而不会损失光并产生光伏电力，并且涉及简单的工艺并且具有低的工艺成本。使用根据本发明的p-i-n纳米线的太阳能电池包括半导体层和光伏层。光电转换层包括由半导体层向上延伸并由本征半导体材料构成的芯 - 纳米线构成的半导体结构，以及覆盖芯 - 纳米线的外部的壳 - 纳米线，其由半导体材料。形成半导体层的半导体材料是n型，形成电池 - 纳米线的半导体材料是p型。或者，形成半导体层的半导体材料为p型，形成电池 - 纳米线的半导体材料为n型。

6. 发明授权

KR101858945B1 고종횡비의 금속 구조 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101858945B1
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：KR1020160117881
申请日：2016-09-13
申请人： 한국기계연구원 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 이지혜 , 최준혁 , 정준호 , 정주연 , 최대근 , 전소희 , 이응숙 , 박원일 , 이원우 , 양동원
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/027 , B82Y40/00
摘要： 고종횡비금속구조제조방법은제1 베이스기판상에씨드층을형성한다. 상기씨드층상면에상기씨드층을외부로노출하는홀(hole)을포함하도록나노마스크를형성한다. 상기씨드층으로부터상기홀을관통하여나노로드(nano rod)들을성장시킨다. 상기나노로드들사이의이격공간을금속으로채운다. 상기씨드층으로부터상기나노로드들을제거하여홀을포함하는금속구조를형성한다.

7. 发明公开

KR1020180029604A 고종횡비의 금속 구조 제조방법 有权
标题翻译：一种制造具有高纵横比的金属结构的方法
公开(公告)号：KR1020180029604A
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：KR1020160117881
申请日：2016-09-13
申请人： 한국기계연구원 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 이지혜 , 최준혁 , 정준호 , 정주연 , 최대근 , 전소희 , 이응숙 , 박원일 , 이원우 , 양동원
IPC分类号： G03F7/00 , H01L21/027 , B82Y40/00
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y40/00 , G03F7/0017 , H01L21/0274
摘要： 고종횡비금속구조제조방법은제1 베이스기판상에씨드층을형성한다. 상기씨드층상면에상기씨드층을외부로노출하는홀(hole)을포함하도록나노마스크를형성한다. 상기씨드층으로부터상기홀을관통하여나노로드(nano rod)들을성장시킨다. 상기나노로드들사이의이격공간을금속으로채운다. 상기씨드층으로부터상기나노로드들을제거하여홀을포함하는금속구조를형성한다.
摘要翻译：高纵横比金属结构制造方法在第一基底基板上形成晶种层。并且在种子层的上表面上形成用于将种子层暴露于外部的孔。并且纳米棒通过种子层的孔生长。纳米棒之间的间距用金属填充。将纳米棒从种子层去除以形成包括孔的金属结构。

8. 发明授权

KR101879502B1 계면층이 도입된 이차전지용 음극 및 이의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101879502B1
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：KR1020160117217
申请日：2016-09-12
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박원일 , 하범 , 권순상 , 이원우
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
摘要： 계면층이도입된이차전지용음극을제공한다. 본발명에따른이차전지용음극은, 집전체, 집전체상에위치하는그래핀박막인계면층및 그래핀박막상에위치하는실리콘계물질을구비하는음극활물질층을포함할수 있다. 본발명에따르면, 집전체와음극활물질층사이에계면층을도입함으로써, 상기집전체와음극활물질층사이의계면반응을감소시켜이차전지용음극의구조적안정성및 동작안정성을확보할수 있다. 이에따라, 내구성, 주기적특성및 수명이향상된이차전지를제공할수 있다.

9. 发明授权

KR101819035B1 14족 금속나노튜브를 포함하는 음극, 이를 채용한 리튬전지 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101819035B1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：KR1020090106667
申请日：2009-11-05
申请人： 삼성전자주식회사 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김한수 , 백운규 , 최재만 , 권문석 , 송태섭 , 박원일
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/02 , H01M4/04
摘要： 전도성기판상에이격되어배열된복수의 14족금속으로이루어진나노튜브를포함하는음극, 상기음극을채용한리튬전지, 및상기음극의제조방법이제시된다.

10. 发明授权

KR101788835B1 4Ｂ족 금속나노튜브를 포함하는 음극, 이를 채용한 리튬전지 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：包含4B族金属纳米管的阴极，使用其的锂电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101788835B1
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：KR1020160046951
申请日：2016-04-18
申请人： 삼성전자주식회사 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김한수 , 백운규 , 최재만 , 권문석 , 송태섭 , 박원일
IPC分类号： H01M4/1395 , H01M4/04 , H01M4/38 , B82B3/00
摘要： 전도성기판상에이격되어배열된복수의 14족금속으로이루어진나노튜브를포함하는음극, 상기음극을채용한리튬전지, 및상기음극의제조방법이제시된다.
摘要翻译：的采用阴极的导电性基板上隔开的制造方法，包括由第14族的金属的纳米管的阴极上设置有多个锂电池，并且阴极被呈现。

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