专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020130026294A 피부치료용 플렉서블 광소자 제조방법, 이에 따라 제조된 플렉서블 광소자 有权
标题翻译：用于制造用于皮肤治疗的柔性光学装置的方法和由其制造的光学装置
公开(公告)号：KR1020130026294A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：KR1020110089822
申请日：2011-09-05
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이건재 , 박소영 , 이승현
IPC分类号： A61N5/06 , A61N5/00
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a flexible optical device for skin therapy, and a flexible optical device manufactured by the same are provided to allow the flexible optical device to be adhered to skin. CONSTITUTION: A flexible optical device for skin therapy comprises a flexible substrate(500) and an LED element which is formed on the flexible substrate. The flexible substrate and LED element touch skin to be treated. The LED element is GaN LED element or a GaAs LED element. A method for manufacturing a flexible optical device for skin therapy comprises a step of separating the LED element from a sacrificial substrate and a step of transcribing the separated LED element to a plastic substrate.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造用于皮肤治疗的柔性光学装置的方法，以及由其制造的柔性光学装置，以使柔性光学装置粘附到皮肤上。构成：用于皮肤治疗的柔性光学装置包括柔性基板（500）和形成在柔性基板上的LED元件。柔性基板和LED元件接触待处理的皮肤。 LED元件是GaN LED元件或GaAs LED元件。用于制造用于皮肤疗法的柔性光学装置的方法包括将LED元件与牺牲基板分离的步骤以及将分离的LED元件转录到塑料基板的步骤。

2. 发明公开

KR1020120127882A 광유전학용 ＧａＮＬＥＤ 어레이 소자 제조방법, 이에 따라 제조된 ＧａＮＬＥＤ 어레이 소자 有权
标题翻译：用于光遗传学的GaN LED阵列器件和用于光遗传学的GaN LED阵列器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020120127882A
公开(公告)日：2012-11-26
申请号：KR1020110045646
申请日：2011-05-16
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이건재 , 박소영 , 이승현 , 박귀일 , 구민
IPC分类号： H01L33/30 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06
摘要： PURPOSE: A manufacturing method for a GaN(gallium nitride) LED array device for an optogenetics and the GaN LED array device manufactured thereby are provided to easily clarify a nerve circuit by allowing on-off stimulation of a nerve cell through an LED array which independently becomes on/off. CONSTITUTION: A bonding layer(501) is coated on a plastic substrate(500). A first passivation layer(310) is laminated on the bonding layer. A second passivation layer(320) is laminated on the first passivation layer. A third passivation layer(330) is laminated on the second passivation layer. A first contact line(502) is connected to a contact metal on an n-GaN layer. A second metal line(503) is connected to a contact metal on a p-GaN layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于光遗传学的GaN（氮化镓）LED阵列器件及其制造的GaN LED阵列器件的制造方法，以便通过独立地通过LED阵列允许对神经细胞的开关刺激来容易地清楚神经回路变成开/关。构成：将粘合层（501）涂覆在塑料基板（500）上。第一钝化层（310）层压在接合层上。第二钝化层（320）层压在第一钝化层上。在第二钝化层上层叠第三钝化层（330）。第一接触线（502）连接到n-GaN层上的接触金属。第二金属线（503）连接到p-GaN层上的接触金属。

3. 发明授权

KR100759371B1 상호작용 그림자 놀이기구 失效
标题翻译：交互式的阴影为儿童玩耍
公开(公告)号：KR100759371B1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：KR1020060038017
申请日：2006-04-27
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박소영 , 김명석
IPC分类号： A63H33/22 , A63J19/00
CPC分类号： A63H33/22 , A63J19/00 , A63J2019/003
摘要： An instrument for having fun with interactive shadows is provided to commercialize a traditional shadow play with digital concept and to add moving images and sound effects to a new instrument of play while keeping the basic frame of the traditional play. A fun instrument with interactive shadow comprises: a body(100) which is in a form of hemisphere being vacant inside, of which flat disc screen(10) is upward, and a convex point on the hemisphere lies on the floor, and the surface(20) lying on the floor has a pad to balance, and plural hand holes(40) are formed along with the circumference of the hemisphere; a sensor(30) for sensing a movement of hands coming in through the hand holes; a light emitting device(50) for emitting different lights according to the hand movements; a sound device(70) for creating sound effects based on the hand position.
摘要翻译：提供了交互式阴影乐趣的乐器，将数字概念的传统影子游戏商业化，并将运动图像和音效添加到新的玩具中，同时保持了传统游戏的基本框架。具有交互阴影的乐器包括：身体（100），其半平面形状的空间内部是平面盘（10）向上，半球上的凸点位于地板上，表面位于地板上的平台（20）具有垫平衡，并且与半球的圆周一起形成多个手孔（40）; 用于感测通过手孔进入的手的运动的传感器（30）; 发光装置（50），用于根据手的移动发射不同的光; 用于基于手位置产生声音效果的声音设备（70）。

4. 发明授权

KR101328006B1 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 有权
标题翻译：用于制造由其制造的GaN LED器件和GaN LED器件的方法
公开(公告)号：KR101328006B1
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020130071321
申请日：2013-06-21
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이건재 , 박소영 , 이승현 , 구민
IPC分类号： H01L33/48 , A61B5/04
摘要： 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자가 제공된다.
본 발명에 따른 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법은 희생기판 상에 질화갈륨 발광다이오드 소자를 제조하는 단계; 상기 희생기판으로부터 상기 질화갈륨 발광다이오드 소자를 화학적으로 분리하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 화학적 분리는 상기 희생기판과 질화갈륨 발광다이오드 소자 사이의 희생층을 화학적으로 제거하는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 유연성의 GaN LED 소자는 구 형태의 두개골이나 두개골 뼈 바로 아래에 위치하는 주름진 대뇌피질(인지, 사고, 언어, 기억 등의 역할, 특히 파킨슨 병은 표면에 위치하는 신경세포에 의한 증상) 등과 같이 구불구불한 표면의 인체 내에 이식가능하다. 또한 복수 개로 구성되며, 각각이 독립적으로 온/오프되는 LED 어레이를 통해 여러 부위에 신경세포의 빛 온-오프 자극이 가능하므로 신경 회로의 규명이 용이해진다.

5. 发明公开

KR1020130008224A 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 无效
标题翻译：制造GAN LED器件的方法及其制造的GAN LED器件
公开(公告)号：KR1020130008224A
公开(公告)日：2013-01-22
申请号：KR1020110068830
申请日：2011-07-12
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이건재 , 박소영 , 이승현 , 구민
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/0079 , A61N5/0622 , G01N33/4836 , H01L33/32 , H01L33/36
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a GaN LED device and a GaN LED device manufactured by the same are provided to easily verify a nerve circuit by using an LED array. CONSTITUTION: A gallium nitride light emitting diode element is formed on a sacrificial substrate(100). A gallium nitride light emitting diode element is chemically separated from the sacrificial substrate. A silicon oxide layer(200) is laminated on the sacrificial substrate. A patterning process is performed on the silicon oxide layer. A first gallium nitride film(201a) is grown up in a space between silicon oxide layers.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造由其制造的GaN LED器件和GaN LED器件的方法，以通过使用LED阵列容易地验证神经电路。构成：在牺牲基板（100）上形成氮化镓发光二极管元件。氮化镓发光二极管元件与牺牲衬底化学分离。在牺牲基板上层叠氧化硅层（200）。在氧化硅层上进行构图处理。第一氮化镓膜（201a）在氧化硅层之间的空间中长大。

6. 发明授权

KR101449794B1 광역학 치료용 플렉서블 광소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 플렉서블 광소자 有权
标题翻译：用于光动态处理的柔性光学装置的制造方法和由其制造的柔性光学装置
公开(公告)号：KR101449794B1
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020120005866
申请日：2012-01-18
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이건재 , 박소영 , 이승현
IPC分类号： A61N5/06 , A61B18/00 , H01L33/00
摘要： 광역학 치료용 광소자가 제공된다.
본 발명에 따른 광역학 치료용 광소자는플렉서블 기판; 및 상기 플렉서블 기판 상에 형성된 LED 소자를 포함하며, 여기에서 상기 플렉서블 기판 및 LED 소자는 인체 내로 삽입된 후, 인체 기관에 빛을 조사하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 플렉서블 광소자는 생체친화적인 플렉서블LED소자를 이용하여 광원을 광역학 치료 대상이 되는 조직에 직접 조사할 수 있다. 특히 평면이 아닌 조직에도 본 발명에 따른 플렉서블 광소자는 효과적으로 접착되며, 이로써 주변 조직에 대한 물리적인 손상을 줄일 수 있다. 아울러, 얇은 기판 두께에 따라 작은 공간에서도 활용가능하며, 무거운 무게로 인한 생체 손상을 방지할 수 있다. 더 나아가, 저전력으로도 효과적인 광역학 치료가 가능하다.

7. 发明授权

KR101339412B1 광유전학용 ＧａＮＬＥＤ 소자 有权
标题翻译：用于光遗传学的GaN LED器件
公开(公告)号：KR101339412B1
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120117368
申请日：2012-10-22
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이건재 , 박소영 , 이승현 , 박귀일 , 구민
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62
摘要： 유전학용 GaN LED 어레이 소자 제조방법, 이에 따라 제조된 GaN LED 어레이 소자가 제공된다.

8. 发明公开

KR1020130086019A 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 有权
标题翻译：制造GAN LED器件的方法及其制造的GAN LED器件
公开(公告)号：KR1020130086019A
公开(公告)日：2013-07-30
申请号：KR1020130071321
申请日：2013-06-21
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이건재 , 박소영 , 이승현 , 구민
IPC分类号： H01L33/48 , A61B5/04
CPC分类号： H01L33/32 , H01L27/156 , H01L33/38 , H01L33/62
摘要： PURPOSE: A flexible gallium nitride light-emitting diode element production method and a flexible gallium nitride light-emitting diode element produced thereby are provided to facilitate an establishment of neural circuit as light on-and-off stimulation of the neural circuit is enabled in various parts through an LED array which is turned on and off independently. CONSTITUTION: A gallium nitride light-emitting diode unit element is equipped on a substrate (100) and contains an n-gallium nitride layer (202) laminated in an order, a light-emitting layer (203), and a p-gallium nitride layer. A metal contact is laminated on the n-gallium nitride layer and a p-gallium nitride layer of the gallium nitride light-emitting diode unit element. A first metal line and a second metal line connect the metal contact laminated on the n-gallium nitride layer and the p-gallium nitride layer of the gallium nitride light-emitting diode unit element. The metal contact is laminated on the first metal line and the second metal line.
摘要翻译：目的：提供柔性氮化镓发光二极管元件的制造方法和由此制造的柔性氮化镓发光二极管元件，以便于神经电路的建立，因为神经电路的光开关刺激能够在各种部分通过独立开启和关闭的LED阵列。构成：在基板（100）上装有氮化镓系发光二极管单元，并含有依次层叠的氮化镓系（202），发光层（203）和对氮化镓层。金属接触层叠在氮化镓发光二极管单元元件的氮化镓层和p氮化镓层上。第一金属线和第二金属线连接层叠在氮化镓系氮化物层上的金属接触层和氮化镓系发光二极管单元元件的p-氮化镓层。金属接触层压在第一金属线和第二金属线上。

9. 发明公开

KR1020130084917A 광역학 치료용 플렉서블 광소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 플렉서블 광소자 有权
标题翻译：用于照片动态处理的柔性光学装置的制造方法和由其制造的柔性光学装置
公开(公告)号：KR1020130084917A
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020120005866
申请日：2012-01-18
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이건재 , 박소영 , 이승현
IPC分类号： A61N5/06 , A61B18/00 , H01L33/00
摘要： PURPOSE: A flexible optical device is provided to be manufactured according to the flexible fabrication method of optical chip for the photo dynamic therapy is effectively inserted into the inside human body or the outside and it is easily used for the disease treating including the cancer etc. CONSTITUTION: An optical device for the photo dynamic therapy comprises flexible printed circuit board and the LED element formed on the flexible printed circuit board. After the flexible printed circuit board and LED element are inserted within the human body light is irradiated in the human organ. The light-emitting layer of the LED element is changed according to the photosensitizer kind for the photo dynamic therapy. The LED element is the GaN LED element or the GaAs LED element. A fabrication method of optical chip for the photo dynamic therapy comprises the steps of: a step of separating to the sacrificial substrate the LED element manufactured on the sacrificial substrate; a step transcribing the above-mentioned separated LED element to the plastic substrate.
摘要翻译：目的：根据光学芯片的灵活制造方法制造柔性光学装置，用于光动力治疗有效地插入人体内部或外部，并且易于用于包括癌症等的疾病治疗。构成：用于光动态治疗的光学装置包括柔性印刷电路板和形成在柔性印刷电路板上的LED元件。将柔性印刷电路板和LED元件插入人体内后，照射人体器官。 LED元件的发光层根据用于光动力疗法的光敏剂种类而改变。 LED元件是GaN LED元件或GaAs LED元件。用于光动态治疗的光学芯片的制造方法包括以下步骤：在牺牲基板上分离制造的LED元件到牺牲基板的步骤; 将上述分离的LED元件转印到塑料基板的步骤。

10. 发明公开

KR1020120140226A 광유전학용 ＧａＮＬＥＤ 소자 有权
标题翻译： GAN LED器件用于OPTOGENETICS
公开(公告)号：KR1020120140226A
公开(公告)日：2012-12-28
申请号：KR1020120117368
申请日：2012-10-22
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이건재 , 박소영 , 이승현 , 박귀일 , 구민
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62
摘要： PURPOSE: A GaN LED device for optogenetics is provided to be used in a narrow space by controlling a size and reducing a weight. CONSTITUTION: A plurality of GaN LED unit device arrays are laminated on a plastic substrate(500). A contact line is connected to a plurality of GaN LED unit devices. A passivation layer(330) is laminated on the plurality of GaN LED unit devices. A part of the contact line is exposed to the outside through the passivation layer. The GaN LED unit device array for the optogenetics generates blue light of a wavelength band less than 470 nm and activates protein.
摘要翻译：目的：提供用于光遗传学的GaN LED器件，用于通过控制尺寸和减轻重量在狭窄的空间中使用。构成：在塑料基板（500）上层叠多个GaN LED单元器件阵列。接触线连接到多个GaN LED单元器件。在多个GaN LED单元器件上层叠钝化层（330）。接触线的一部分通过钝化层暴露于外部。用于光遗传学的GaN LED单元器件阵列产生波长小于470nm的蓝光并激活蛋白质。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式