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1. 发明专利

KR102231862B1 KR102231862B1 - Catalysts for bio-oil hydrotreating 有权
公开(公告)号：KR102231862B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020190042631A
申请日：2019-04-11
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 서동진 , 최재욱 , 하정명 , 양기석 , 윤영현 , 최원준
IPC分类号： B01J23/89 , B01J37/02 , B01J37/03 , B01J37/08
CPC分类号： B01J23/892 , B01J37/0236 , B01J37/035 , B01J37/08 , C10G45/06 , C10G45/10
摘要： 본 명세서에는 루테늄 (Ru) 금속 및 니켈 (Ni) 금속을 금속 산화물 지지체에 담지시킨 수첨 반응용 촉매, 상기 촉매의 제조방법, 및 산소 함량 및 산도가 감소된 화학적 안정성이 보다 향상된 수첨 반응 처리된 바이오 오일의 제조방법이 개시된다.

2. 发明专利

KR102236190B1 KR102236190B1 - Thin film encapsulation for organic photonic and electronic devices and method for fabricating the same 有权
公开(公告)号：KR102236190B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020200071568A
申请日：2020-06-12
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최원국 , 임근용 , 최원준
IPC分类号： H01L51/44 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/448 , H01L51/0001 , H01L51/0097
摘要： 본 발명은 고분자기판의 양면 상에 SiN
x , SiO
x N
y , SiO
x 가 순차적으로 적층된 3중층 구조의 박막을 2회 반복 적층시키고, SiN
x 와 SiO
x 의 계면에 형성되는 SiO
x N
y 의 물리적 특성을 강화시킴으로써 2x10
-6 g/m
2 /day 이하의 매우 우수한 수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)를 갖는 유기광전자소자의 봉지필름 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기광전자소자의 봉지필름은 플렉서블 기판; 및 상기 플렉서블 기판의 양면 각각에 형성된 3중층 구조의 박막 적층체;를 포함하여 이루어지며, 상기 3중층 구조의 박막 적층체는 SiN
x 박막, SiO
x N
y 박막, SiO
x 박막이 순차적으로 적층된 형태이며, 상기 3중층 구조의 박막 적층체가 상기 플렉서블 기판의 양면 각각에 2번 반복하여 적층되며, 첫번째 박막 적층체의 SiO
x 박막과 두번째 박막 적층체의 SiN
x 박막 사이에 SiO
x N
y 박막이 더 구비되며, 봉지필름의 수분투습율(WVTR, water vapor transmission rate)가 2x10
-6 g/m
2 /day 이하인 것을 특징으로 한다.

3. 发明授权

KR102065528B1 마이크로볼로미터용 저항체 박막 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102065528B1
公开(公告)日：2020-01-13
申请号：KR1020170062411
申请日：2017-05-19
申请人： 한국과학기술연구원 , 울산과학기술원
发明人： 백승협 , 길태현 , 김상현 , 최원준 , 백정민 , 이기석
IPC分类号： H01L35/02 , H01L35/14 , H01L35/34 , G01J5/08

4. 发明授权

KR101938230B1 전압을 인가하여 에피택셜 리프트오프 공정을 고속화하기 위한 반도체 소자의 제조 방법 및 식각 장비 有权
公开(公告)号：KR101938230B1
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：KR1020160124630
申请日：2016-09-28
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김상현 , 김형준 , 김성광 , 심재필 , 최원준
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/768 , H01L21/306

5. 发明公开

KR1020160147314A 스핀 열전 소자 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：旋转热电偶及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160147314A
公开(公告)日：2016-12-23
申请号：KR1020150083883
申请日：2015-06-15
申请人： 울산과학기술원 , 한국과학기술연구원
发明人： 이기석 , 백정민 , 장민선 , 백승협 , 최원준
IPC分类号： H01L35/02 , H01L35/34 , H01L35/14
摘要： 본발명은스핀열전소자에관한것이다. 본발명에따른스핀열전소자는, 졸-겔법에의해형성되고, 열원에의한온도구배에의해스핀지벡효과가발현되는물질로구성된열전층; 및상기열전층상에형성되고, 양단부에연결된도선을통해외부로전기를전달하는전극층;을포함한다. 이러한스핀열전소자는태양광또는태양전지를이용한하이브리드태양과소자에사용할수 있다.

6. 发明授权

KR101684947B1 태양전지의 비반사막 제조방법 有权
标题翻译：太阳能电池的非反射膜制造方法
公开(公告)号：KR101684947B1
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020150064372
申请日：2015-05-08
申请人： 울산과학기술원 , 한국과학기술연구원
发明人： 백정민 , 이기석 , 이혜진 , 최원준 , 김상현
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0256 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명에따른태양전지의비반사막제조방법은 (a) 준비된기판에 ZnS 및 Al을증착하여씨드층(Seed layer)을형성하는단계; (b) 씨드층 표면을표면처리하는단계; (c) ZnS와 Al층이증착된씨드층 표면에산화아연으로이루어진나노시트를형성하는단계; 및 (d) 씨드층 표면상부에형성된산화아연나노시트에 MgF를증착하는단계;를포함하여, 산화아연 Seed 층없이 ZnO 나노시트를성장할수 있는효과가있고, 산화아연나노시트에 MgF를증착하여태양전지의효율을증가시킬수 있는효과가있다.
摘要翻译：（A）在制备的衬底上沉积ZnS和Al以形成晶种层; （b）表面处理种子层表面; （c）在其上沉积有ZnS和Al层的籽晶层的表面上形成由氧化锌制成的纳米片; 和（d）沉积的MgF形成在上氧化锌纳米片的籽晶层的表面;包括，存在它可以在不氧化锌种子层生长的ZnO纳米片的效果，通过沉积氟化镁的氧化锌纳米片太阳能电池的效率可以提高。

7. 发明授权

KR101351987B1 격자 부정합 해소층을 이용한 화합물 반도체 기판 및 그 제조방법 有权
标题翻译：复合半导体衬底使用厚度分层减少层及其制造方法
公开(公告)号：KR101351987B1
公开(公告)日：2014-01-17
申请号：KR1020120118229
申请日：2012-10-24
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 송진동 , 이은혜 , 배민환 , 한일기 , 최원준
IPC分类号： H01L21/20
摘要： The present invention is a manufacturing method including a step of forming a first AlSb layer on a Si substrate and a compound semiconductor layer on the first AlSb layer. A compound semiconductor substrate is manufactured by using various lattice mismatch removal layers such as various kinds of AaGa sacrificial layer, AlSb/AlGaSb SPS, etc. The compound semiconductor substrate may be a GaSb layer.
摘要翻译：本发明是一种制造方法，包括在Si衬底上形成第一AlSb层和在第一AlSb层上形成化合物半导体层的步骤。通过使用各种AaGa牺牲层，AlSb / AlGaSb SPS等的各种晶格失配去除层来制造化合物半导体衬底。化合物半导体衬底可以是GaSb层。

8. 发明授权

KR101296744B1 수중 통신 장치 및 방법 有权
标题翻译：水下通信装置和方法
公开(公告)号：KR101296744B1
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：KR1020120005832
申请日：2012-01-18
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 송진동 , 한일기 , 최원준 , 이정일
IPC分类号： H04B11/00 , H04B10/00
CPC分类号： H04B10/80 , H04B13/02
摘要： 수중에서 외부 장치와 광통신을 수행하는 수중 통신 장치에 있어서, 외부 장치로 송신할 제 1 데이터를 제 1 전류로 변조하는 전류 제어부; 및 변조된 제 1 전류에 대응하는 450 내지 500nm의 파장의 광을 외부 장치로 송신하는 광 송신부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 일 실시예에 따른 수중 통신 장치가 개시된다.

9. 发明授权

KR100644968B1 생체적합성 실리콘 나노입자의 제조 방법 失效
标题翻译： 생체적합성실리콘나노입자의제조방법
公开(公告)号：KR100644968B1
公开(公告)日：2006-11-14
申请号：KR1020050102333
申请日：2005-10-28
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 조운조 , 이수진 , 한일기 , 최원준 , 이정일 , 박재관
IPC分类号： A61L24/02 , A61L31/02 , B82Y40/00 , B82Y5/00
摘要： Provided is a preparation method of biocompatible silicon nano particles excellent in dispersion stability for use in fluorescent probe in biological studies that include cancer diagnosis and cell imaging. The preparation method of biocompatible silicon nano particles comprises the steps of: obtaining silicon nano particle colloid by treating Si-containing zintl salt with diethylene glycol diethyl ether(DGDE) under ultrasonic radiation; and mixing the silicon nano particle colloid with a hydrogen halide solution. In detail, Si-containing zintl salt and DGDE are used in a ratio of 1:10 to 1:100,000 by weight and are subjected to ultrasonic radiation for 1 minute to 10 hours under an inert gas atmosphere such as Ar, He, N and so on. Preferably, the hydrogen halide solution has a concentration of 1 to 35 wt%, and is mixed in an amount of 0.01 to 1 wt% with respect to the weight of silicon nano particle collide.
摘要翻译：本发明提供一种在生物学研究中用于荧光探针的分散稳定性优异的生物相容性硅纳米粒子的制备方法，其包括癌症诊断和细胞成像。一种生物相容性硅纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：用超声辐射处理含二乙二醇二乙醚（DGDE）的含硅锌盐，得到硅纳米颗粒胶体; 并将硅纳米颗粒胶体与卤化氢溶液混合。具体而言，含Si的锌盐和DGDE以1:10至1:100,000的重量比使用，并且在诸如Ar，He，N和N的惰性气体气氛下经受超声辐射1分钟至10小时等等。优选卤化氢溶液的浓度为1〜35重量％，相对于硅纳米粒子的重量碰撞而混合0.01〜1重量％。

10. 发明授权

KR100508850B1 원자층 성장법을 이용한 반도체 양자점 성장 방법 有权
标题翻译：使用原子层外延生长量子的方法
公开(公告)号：KR100508850B1
公开(公告)日：2005-08-18
申请号：KR1020030074986
申请日：2003-10-27
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 송진동 , 박용주 , 최원준 , 한일기 , 이정일
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02518 , H01L21/02617
摘要： 본 발명은 ALE(Atomic Layer Epitaxy)를 사용하여 반도체 양자점들(semiconductor quantum dots)을 성장시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 a) 기판을 마련하는 단계와, b) 반도체 양자점을 성장시키기 위한 물질들을 적어도 하나의 시간 간격을 갖는 사전설정된 시퀀스(sequence)에 따라 상기 기판 상에 주입하는 단계와, c) 단계 b)를 사전설정된 횟수만큼 반복하여 반도체 양자점을 성장시키는 단계를 포함한다. 여기서, 단계 b)는 ALE(Atomin Layer Epitaxy) 법을 사용하여 수행되며, 주입 물질들은 금속 원자와 비금속 원자를 포함한다.

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