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1. 发明公开

KR1020140134758A 저가 용액공정 기반의 창호용 박막 태양전지 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：用于发电窗口应用的低成本微型薄膜太阳能电池及其制备方法
公开(公告)号：KR1020140134758A
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020130053727
申请日：2013-05-13
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민병권 , 황윤정 , 문성환 , 박세진
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： Y02A30/62 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/0749 , H01L31/18
摘要： 본 발명은 창호용 BIPV로 적용 가능한 양면 박막 태양전지, 특히 앞면과 뒷면 모두 빛을 흡수할 수 있어 태양광과 실내 조명 모두를 이용하여 발전 가능한 양면 CIGS 박막 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 여러 구현예에 따르면, 양면 박막 태양전지이면서 일정 영역의 가시광을 투과 시킬 수 있는 반투명 무기 박막 태양전지로서, 유기물 및 액체 전해질을 사용하지 않아 안정성 및 안전성을 확보할 수 있으며 저가 용액공정으로 제조되어 태양전지 가격을 낮출 수 있을 뿐만 아니라, 이하 명세서에 기재된 기타 다양한 효과를 발현한다.
摘要翻译：本发明涉及一种适用于窗户和门的BIPV的双面薄膜太阳能电池，特别涉及一种双面CIGS薄膜太阳能电池，双面CIGS薄膜太阳能电池具有前表面和背面吸收光，以通过使用阳光和室内光。根据本发明的各种实施例，也是双面薄膜太阳能电池的具有一定范围的可见光的透明薄膜太阳能电池不使用有机物质或液体电解质来获得稳定性和安全性，并且是通过低成本的解决方案制造，不仅降低了太阳能电池的成本，而且获得了本说明书中描述的其它各种效果。

2. 发明授权

KR101075873B1 페이스트 또는 잉크를 이용한 구리인듐셀렌계 또는 구리인듐갈륨셀렌계 박막의 제조 방법 有权
标题翻译：使用浆料或油墨制造太阳能电池的CIS或CIGS薄膜
公开(公告)号：KR101075873B1
公开(公告)日：2011-10-25
申请号：KR1020100096381
申请日：2010-10-04
申请人： 한국과학기술연구원 , 한국에너지기술연구원
发明人： 민병권 , 박세진
IPC分类号： H01L31/042 , C09D11/52 , B05D3/02
CPC分类号： C09D11/037 , C09D11/52 , C23C18/1204 , C23C18/1208 , C23C18/1279 , C23C18/1295 , H01L21/02568 , H01L21/02573 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , Y02E10/541
摘要： 본 발명은 태양전지용 CIGS(구리인듐갈륨셀렌)계 또는 CIS(구리인듐셀렌)계 박막의 제조에 관한 것으로서, (1) Cu, In 및 Ga의 전구체들을 용매 중에서 혼합하고, 고분자 바인더를 첨가하여 페이스트 또는 잉크를 수득하는 단계; (2) 수득된 CIG 전구체 페이스트를 이용하여 프린팅, 스핀코팅, 또는 스프레이 방법으로 전도성 기판에 코팅한 후 이를 공기 또는 산소 기체 분위기에서 열처리 하여 잔존 유기물을 제거하고 CIG 산화물 박막을 수득하는 단계; (3) 수득된 CIG 산화물 박막을 황화 또는 수소 기체 분위기에서 열처리를 하여 환원된 CIG 박막을 수득하는 단계; (4) 환원 또는 황화된 CIG 박막을 셀레늄 기체 분위기에서 열처리 하여 CIGS 박막을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징이며, 종래 페이스트 코팅법의 가장 큰 문제인 유기첨가물에 기인한 잔존 탄소를 획기적으로 줄일 수 있을 뿐만 아니라 CIGS 결정립의 크기를 향상시킬 수 있어 궁극적으로 프린팅 방법에 의해 제조되는 CIGS 태양전지의 효율을 향상 시키는 효과를 얻을 수 있다.

3. 发明公开

KR1020160125828A 태양전지용 CIGSSe 박막 및 이의 제조방법, 이를 이용한 태양전지 有权
标题翻译： CIGSSe CIGSSe太阳能电池薄膜及其制备方法及其在薄膜太阳能电池中的应用
公开(公告)号：KR1020160125828A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020150056833
申请日：2015-04-22
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민병권 , 황윤정 , 박세진
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0256 , H01L31/0445
CPC分类号： H01L31/208 , H01L21/02425 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/03923 , H01L31/065 , H01L31/18 , H01L31/1864
摘要： 본발명은태양전지용 CIGSSe 박막및 이의제조방법, 이를이용한태양전지에관한것으로, 더욱상세하게는오제(Auger) 전자분광법의분석결과, 상기박막의표면에서깊이방향으로황 함량의극소값지점까지는황의피크세기(intensity)가감소하는것을특징으로하는태양전지용 CIGSSe 박막을제조하여, 상기 CIGSSe 박막내의밴드갭을제어함으로써상기 CIGSSe 박막을포함하는태양전지는광전변환효율을개선시키는데탁월한효과를나타낸다.
摘要翻译：提供了一种用于太阳能电池的CIGSSe薄膜，其制备方法和使用其的太阳能电池。更具体地说，用于太阳能电池的CIGSSe薄膜在基于俄歇电子能谱分析之后显示出从薄膜表面到硫含量的局部最小值点的硫的峰值强度的降低，从而控制薄膜中的带隙。因此，包含CIGSSe薄膜的太阳能电池在提高光电转换效率方面表现出极好的效果。

4. 发明授权

KR101686478B1 태양전지용 CIGSSe 박막 및 이의 제조방법, 이를 이용한 태양전지 有权
标题翻译：太阳能电池用CIGSSe薄膜及其制造方法以及使用该薄膜的太阳能电池
公开(公告)号：KR101686478B1
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：KR1020150056833
申请日：2015-04-22
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민병권 , 황윤정 , 박세진
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/0256 , H01L31/0445
CPC分类号： H01L31/208 , H01L21/02425 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/03923 , H01L31/065 , H01L31/18 , H01L31/1864
摘要： 본발명은태양전지용 CIGSSe 박막및 이의제조방법, 이를이용한태양전지에관한것으로, 더욱상세하게는오제(Auger) 전자분광법의분석결과, 상기박막의표면에서깊이방향으로황 함량의극소값지점까지는황의피크세기(intensity)가감소하는것을특징으로하는태양전지용 CIGSSe 박막을제조하여, 상기 CIGSSe 박막내의밴드갭을제어함으로써상기 CIGSSe 박막을포함하는태양전지는광전변환효율을개선시키는데탁월한효과를나타낸다.
摘要翻译：本发明涉及一种太阳能电池的CIGSSe薄膜和使用电子能谱分析的相同，并且更具体地，俄歇（俄歇）制造太阳能电池的方法，其中从薄膜向上的表面，以硫的峰的硫含量的最小值点的深度方向由一个薄膜太阳能电池的CIGSSe其特征在于所述牛的加速度产生的强度（强度），所述的CIGSSe表现出优异的效果，通过控制带隙，以改善太阳能电池包括在薄膜中的的CIGSSe薄膜的光电转换效率。

5. 发明公开

KR1020160040925A 탠덤 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译： TANDEM太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160040925A
公开(公告)日：2016-04-15
申请号：KR1020140134471
申请日：2014-10-06
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민병권 , 김상훈 , 이도권 , 황윤정 , 박세진 , 김홍곤 , 김진영
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0463 , H01L31/18 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01L31/0392 , H01L31/04 , H01L31/0463 , H01L31/18
摘要： 탠덤태양전지및 그제조방법이제공된다. 상기탠덤태양전지는제1 태양전지셀; 제2 태양전지셀; 및상기제1 태양전지셀 및상기제2 태양전지셀 사이에배치된계면층으로서, 아크플라즈마증착(Arc-Plasma Deposition)을이용하여상기제1 태양전지셀 상에증착된백금(Pt) 나노입자를포함하는계면층;을포함한다. 상기탠덤태양전지의제조방법은제1 태양전지셀 상에아크플라즈마증착을이용하여 Pt 계면층을형성함으로써, 계면층의전기적특성및 광학특성을용이하게제어할수 있으며, 하부의제1 태양전지셀에손상을최소화하고, 광전변환효율이향상된탠덤태양전지를제조할수 있다. 또한, 상기탠덤태양전지의제조방법에서제1 태양전지셀의광흡수층을저가의용액공정을이용하여제조할경우저비용공정을구현할수 있다.
摘要翻译：提供串联太阳能电池和串联太阳能电池的制造方法。串联太阳能电池包括：第一太阳能电池; 第二太阳能电池; 以及设置在第一太阳能电池和第二太阳能电池之间并且包括通过使用电弧等离子体沉积沉积在第一太阳能电池上的铂（Pt）纳米颗粒的界面层。根据制造串联太阳能电池的方法，通过使用电弧等离子体沉积在第一太阳能电池上形成Pt界面层，从而可以容易地控制界面层的电学和光学特性; 可以使在下部的第一太阳能电池的损坏最小化; 并且可以制造具有改善的光电转换效率的串联太阳能电池。另外，在制造串联太阳能电池的方法中，通过使用低成本的解决方法形成第一太阳能电池的光吸收层时，可以实现低成本的方法。

6. 发明授权

KR101541357B1 저가 용액공정 기반의 창호용 박막 태양전지 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：用于发电窗用途的低成本双面薄膜太阳能电池及其制备方法
公开(公告)号：KR101541357B1
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：KR1020130053727
申请日：2013-05-13
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민병권 , 황윤정 , 문성환 , 박세진
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0749 , H01L31/18
CPC分类号： Y02A30/62 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본발명은창호용 BIPV로적용가능한양면박막태양전지, 특히앞면과뒷면모두빛을흡수할수 있어태양광과실내조명모두를이용하여발전가능한양면 CIGS 박막태양전지에관한것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 양면박막태양전지이면서일정영역의가시광을투과시킬수 있는반투명무기박막태양전지로서, 유기물및 액체전해질을사용하지않아안정성및 안전성을확보할수 있으며저가용액공정으로제조되어태양전지가격을낮출수 있을뿐만아니라, 이하명세서에기재된기타다양한효과를발현한다.

7. 发明授权

KR101628952B1 탠덤 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：串联太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101628952B1
公开(公告)日：2016-06-13
申请号：KR1020140134471
申请日：2014-10-06
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민병권 , 김상훈 , 이도권 , 황윤정 , 박세진 , 김홍곤 , 김진영
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0463 , H01L31/18 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要： 탠덤태양전지및 그제조방법이제공된다. 상기탠덤태양전지는제1 태양전지셀; 제2 태양전지셀; 및상기제1 태양전지셀 및상기제2 태양전지셀 사이에배치된계면층으로서, 아크플라즈마증착(Arc-Plasma Deposition)을이용하여상기제1 태양전지셀 상에증착된백금(Pt) 나노입자를포함하는계면층;을포함한다. 상기탠덤태양전지의제조방법은제1 태양전지셀 상에아크플라즈마증착을이용하여 Pt 계면층을형성함으로써, 계면층의전기적특성및 광학특성을용이하게제어할수 있으며, 하부의제1 태양전지셀에손상을최소화하고, 광전변환효율이향상된탠덤태양전지를제조할수 있다. 또한, 상기탠덤태양전지의제조방법에서제1 태양전지셀의광흡수층을저가의용액공정을이용하여제조할경우저비용공정을구현할수 있다.

8. 发明授权

KR101235856B1 용액공정 기반의 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지 제조 방법 有权
标题翻译：本体异质结无机薄膜太阳能电池的制造
公开(公告)号：KR101235856B1
公开(公告)日：2013-02-22
申请号：KR1020110059713
申请日：2011-06-20
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민병권 , 김재훈 , 박세진 , 김창수 , 하정명
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/072
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지 제조에 관한 것으로서, (1) Cu, In 및 Ga의 전구체 용액에 n형 반도체 나노입자 분산액를 혼합한 후 페이스트 또는 잉크를 제조하여 CIGS-n형 반도체 박막을 얻는 단계를 포함하는 것이 특징이며, 벌크 헤테로 접합을 통해 전자 및 정공의 전극까지의 이동거리를 최소화하여 태양전지 효율을 향상시키고 용액 공정에 의한 프린팅 방법으로 박막을 제조함으로써 박막 태양전지의 제조 비용을 낮출 수 있다.

9. 发明公开

KR1020120140078A 용액공정 기반의 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지 제조 방법 有权
标题翻译：大容量无机无机薄膜太阳能电池的制造
公开(公告)号：KR1020120140078A
公开(公告)日：2012-12-28
申请号：KR1020110059713
申请日：2011-06-20
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 민병권 , 김재훈 , 박세진 , 김창수 , 하정명
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/072
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/072
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a bulk hetero junction inorganic thin film solar cell based on a solution process is provided to improve solar cell efficiency by minimizing a moving distance between an electrode and electrons or holes by a bulk hetero junction. CONSTITUTION: A ClG precursor-n type semiconductor nanoparticle paste or ink is obtained by adding polymer binder after the n type semiconductor nanoparticle dispersion solutions are mixed with Cu, In, and Ga precursor solutions(101). After a conductive substrate is coated with ClG precursor-n type semiconductor nanoparticle paste or ink(102), a ClG oxide-n type semiconductor mixed thin film is made by a thermal process under an air or oxygen atmosphere(103). Sulfurization or selenization ClGS-n type semiconductor thin film is made by thermally processing the ClG oxide thin film under sulfurization or selenization gas atmosphere(104). [Reference numerals] (100) Cu, In, Ga precursor; (101) CIG precursor-N type semiconductor nanoparticles mixing paste; (102) Mixed paste coating; (103) Thermal process 1 ClG-N type semiconductor mixed thin film; (104) Thermal process 2 sulfurization or selenization CIGS-N type semiconductor mixed thin film; (105) Manufacturing a device
摘要翻译：目的：提供一种用于制造基于溶液工艺的体异质结无机薄膜太阳能电池的方法，以通过使体异质结最小化电极与电子或空穴之间的移动距离来提高太阳能电池的效率。构成：在n型半导体纳米颗粒分散液与Cu，In和Ga前体溶液（101）混合之后，通过加入聚合物粘合剂获得ClG前体n型半导体纳米颗粒糊或油墨。在用ClG前体n型半导体纳米粒子糊剂或墨水（102）涂覆导电性基材之后，通过在空气或氧气氛下的热处理（103）制造ClG氧化物n型半导体混合薄膜。硫化或硒化ClGS-n型半导体薄膜是通过在硫化或硒化气体气氛下热处理ClG氧化物薄膜制成的（104）。（100）Cu，In，Ga前体; （101）CIG前驱体-N型半导体纳米粒子混合糊剂; （102）混合糊涂; （103）热工艺1 ClG-N型半导体混合薄膜; （104）热处理2硫化或硒化CIGS-N型半导体混合薄膜; （105）制造设备

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