专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

KR102226125B1 KR102226125B1 - Method of manufacturing electrode layer and method of manufacturing capacitor using the same 有权
公开(公告)号：KR102226125B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190078603A
申请日：2019-07-01
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김상태 , 송현철 , 백승협 , 최지원 , 김진상 , 강종윤 , 김성근
IPC分类号： H01G11/46 , H01G11/86
CPC分类号： H01G11/46 , H01G11/86
摘要： 전극막의 제조 방법 및 이를 이용하는 커패시터의 제조 방법을 제공한다. 전극막 제조 방법은, 기판 상에 주석 전구체 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제1 서브 사이클(first sub-cycle)을 수행하고, 제1 서브 사이클을 수행한 기판 상으로 주석 전구체, 탄탈륨 전구체, 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제2 서브 사이클을 수행하고, 제1 서브 사이클 및 제2 서브 사이클이 하나의 사이클(cycle)을 구성하며, 사이클을 반복 수행하여, 기판 상에 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막을 형성하는 것을 포함한다. 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막 내 탄탈륨 농도는 제2 서브 사이클에서 제공되는 주석 전구체에 의해 결정된다.

2. 发明申请

WO2019208903A1 유전막 및 이를 구비하는 반도체 메모리 소자와 이들의 형성 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2019208903A1
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：PCT/KR2018/016973
申请日：2018-12-31
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김성근 , 이우철 , 김상태 , 송현철 , 백승협 , 최지원 , 김진상 , 강종윤 , 빌라브스키크리스토퍼더블류 , 염정환 , 라슨에릭에스
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/762
摘要： 본 발명은 Be x M 1-x O의 화학식을 가지는 화합물로 이루어지되, 상기 M은 알칼리토금속들 중의 어느 하나이며, 상기 x는 0 보다 크고 0.5 보다 작은 값을 가지며, 상온 안정상으로 암염(rocksalt) 구조를 가지는, 유전막을 제공한다.

3. 发明申请

WO2016072664A1 레이저를 이용한 박막 전지용 양극 제조 방법, 그 방법으로 제조된 박막 전지용 양극 및 이를 포함하는 박막 전지 审中-公开
标题翻译：使用激光制造薄膜电池的阴极的制造方法，制造薄膜电池的阴极和包含其的薄膜电池
公开(公告)号：WO2016072664A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/KR2015/011525
申请日：2015-10-29
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최지원 , 윤석진 , 김진상 , 강종윤 , 백승협 , 김성근 , 권범진 , 임해나
IPC分类号： H01M4/139 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M10/0585
CPC分类号： H01M4/139 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M10/0585
摘要： 박막 전지용 양극 형성 방법은, 기판 상에 양극 활물질을 증착하는 단계; 및 상기 양극 활물질 상에 레이저를 조사하여 상기 양극 활물질을 결정화하는 단계;를 포함할 수 있다. 양극 활물질은 상온에서 기판 상에 증착될 수 있고, 레이저를 이용하여 저온에서 양극 활물질을 결정화함으로써 가볍고 가공이 용이한 고분자 기판을 사용할 수 있게 된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 양극 제조 방법으로 제조된 양극을 포함하는 박막 전지는 높은 방전 용량 등 우수한 충·방전 특성을 가질 수 있다.
摘要翻译：用于形成薄膜电池阴极的方法可以包括以下步骤：在衬底上沉积阴极活性材料; 并通过在正极活性物质上照射激光来使正极活性物质结晶。阴极活性材料可以在室温下沉积在基板上，并且可以在低温下通过激光使其结晶，从而可以使用光和可加工的聚合物基材。包括根据本发明的一个实施方案的由阴极制造方法制造的阴极的薄膜电池可以具有良好的充放电特性，例如高放电容量。

4. 发明公开

KR20210020386A 은 계열 금속 합금 조성 기반 투명 전도성 산화물 박막 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR20210020386A
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：KR20190099604
申请日：2019-08-14
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최지원 , 김진상 , 강종윤 , 백승협 , 김성근 , 송현철 , 김상태 , 장주희
IPC分类号： H01B5/00 , C23C14/18 , C23C14/34 , H01B1/02 , H01B1/08 , H01B5/14
摘要： 본명세서에서는, 투명전도성산화물박막으로서, 투명전도성산화물층; 및은(Ag)계열금속합금을포함하는금속층;을포함하며, 상기금속층은투명전도성산화물층상에적층되고, 상기은(Ag) 계열금속합금은하기 [화학식 1]의조성을갖는은(Ag) 및타이타늄(Ti)의합금인, 투명전도성산화물박막이제공된다. [화학식 1] AgTix (여기서, x는 0

5. 发明授权

KR102061501B1 황화주석 박막의 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR102061501B1
公开(公告)日：2020-01-02
申请号：KR1020180058386
申请日：2018-05-23
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김성근 , 편정준 , 김상태 , 송현철 , 백승협 , 김진상 , 최지원 , 강종윤
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/324

6. 发明授权

KR102020269B1 변위 확대가 가능한 압전 에너지 하베스터 모듈 有权
公开(公告)号：KR102020269B1
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：KR1020170133222
申请日：2017-10-13
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 강종윤 , 김진상 , 최지원 , 백승협 , 김성근 , 김상태 , 송현철 , 정인기 , 신윤환
IPC分类号： H02N2/18 , H01L41/113

7. 发明授权

KR101848012B1 열전 반도체의 열전도도 및 열전 성능지수 측정방법 有权
公开(公告)号：KR101848012B1
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：KR1020160151113
申请日：2016-11-14
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 권범진 , 김진상 , 백승협 , 김성근 , 최지원 , 강종윤 , 노임준 , 강민수
IPC分类号： G01N25/18 , G01N25/48 , G01K7/01
CPC分类号： G01N25/18 , G01K7/01 , G01N25/4826
摘要： 본발명은열전반도체의열전도도및 열전성능지수측정에대한것으로, 보다상세하게는기존하만법에서발생하는도선에서의열 손실, 재료자체발열에의한오차를보정하는방법을제공하는데에목적이있다. 해당의오차보정방법은열전반도체의성능과물성을다양한온도에서보다정확하게평가하는데 용이하게응용될수 있고, 정확한열전반도체의물성평가는열전소자설계에유용하게쓰일수 있다는효과가있다.

8. 发明授权

KR101793225B1 곡면형 압전장치 有权
标题翻译：弯曲的压电器件
公开(公告)号：KR101793225B1
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：KR1020150081799
申请日：2015-06-10
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 강종윤 , 윤석진 , 김진상 , 최지원 , 백승협 , 김성근 , 정우석 , 권범진
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/113 , H01L41/18
CPC分类号： H01L41/113
摘要： 본발명은곡면기판의일면또는양면상에압전물질이구비되는구조를제시함과함께곡면기판과압전물질의두께및 탄성계수를제어하여중립면(neutral plane)의위치가곡면기판내부에위치되도록함으로써외부의기계적응력에대응한압전물질의전기적포텐셜(electrical potential)을최대화할수 있는곡면형압전장치에관한것으로서, 본발명에따른곡면형압전장치는곡면기판; 및상기곡면기판의일면또는양면상에구비된압전물질을포함하여이루어지며, 응력인가시압축응력과인장응력이균형을이루는중립면은곡면기판내부에위치하며, 상기중립면의위치는아래식 1의 y와 y에의해결정되며, 상기중립면의위치는, 곡면기판과압전물질각각의두께(d), 탄성계수(E)의조절에의해제어가능한것을특징으로한다. (식 1),(여기서,)(y은곡면기판의중심선과중립면사이의거리, y는압전물질의중심선과중립면사이의거리, d은곡면기판의두께, d는압전물질의두께, E은곡면기판의탄성계수, E는압전물질의탄성계수)
摘要翻译：本发明控制表面的衬底，并用一个框呈现，其中设置在弯曲基板的一侧或两侧上的压电材料通过，以便被定位在所述中性面的内部位置gagokmyeon基板（中性平面）结构的压电材料的弹性的厚度和弹性模量本发明涉及一种弯曲型压电器件，其能够使对应于外部机械自适应力的压电材料的电势最大化。并且，在弯曲基板的一个或两个表面上设置压电材料，其中当施加应力时形成压缩应力和拉伸应力不平衡的中性面位于弯曲基板的内部，并且通过调整弯曲基板和压电材料的每一个的厚度d和弹性模量E来控制中性面的位置。 Y是压电材料的中心线与中性面之间的距离，d是基板的厚度，d是压电材料的厚度， E是具有曲面的基板的弹性模量，E是压电材料的弹性模量）

9. 发明授权

KR101791154B1 필터리스 컬러 이미지 센서 有权
标题翻译：无滤光片彩色图像传感器
公开(公告)号：KR101791154B1
公开(公告)日：2017-10-30
申请号：KR1020160032520
申请日：2016-03-18
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 이수연 , 정병기 , 김성근 , 황도경 , 주현수 , 이영택
IPC分类号： H04N5/369 , H01L27/146 , G02B5/22 , H04N9/73
CPC分类号： H01L31/0324 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/1129
摘要： 실시예들은기판, 기판상에형성된제1 색상을위한제1 칼코지나이드물질층, 상기제1 칼코지나이드물질층상에형성된제2 색상을위한제2 칼코지나이드물질층및 상기제2 칼코지나이드물질층상에형성된제3 색상을위한제3 칼코지나이드물질층을포함하는칼코지나이드물질기반의필터리스컬러이미지센서에관련된다.
摘要翻译：实例包括第一刀砷化浩二材料层，用于第二颜色的第一第二刀浩二砷化材料层是由剑浩二砷化材料层和所述第二刀曲为形成在基板上的第一颜色，所述衬底形成并且在非胆碱能材料层上形成用于第三颜色的第三硫属化物材料层。

10. 发明公开

KR1020170119119A 반도체 메모리 소자용 커패시터 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体存储器件的电容器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170119119A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：KR1020160046868
申请日：2016-04-18
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 조철진 , 권범진 , 백승협 , 강종윤 , 최지원 , 김진상 , 김성근
IPC分类号： H01L49/02 , H01L27/108
摘要： 실시예들은하부전극, 상기하부전극상에형성되는유전체층및 상기유전체층상에형성되는상부전극을포함하되, 상기유전체층은루타일(rutile) 구조의티타늄산화물을포함하는, 반도체메모리소자용커패시터및 그제조방법에관련된다.
摘要翻译：实施例涉及一种用于半导体存储器件的电容器，包括下电极，形成在下电极上的电介质层和形成在电介质层上的上电极，其中电介质层包括金红石结构的氧化钛，＆lt;

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式