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    • 1. 发明申请
    • 태양전지 소자 및 그 제조방법
    • 太阳能电池装置及其制造方法
    • WO2013006016A2
    • 2013-01-10
    • PCT/KR2012/005394
    • 2012-07-06
    • 포항공과대학교 산학협력단이종람유학기동완재정관호
    • 이종람유학기동완재정관호
    • H01L31/022425H01L51/442H01L2251/308Y02E10/549Y02P70/521
    • 본 발명은 태양전지 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지 소자는, 광투과성을 가진 기판; 전도성과 광투과성을 갖는 재질로 이루어지고, 나노 스케일의 나뭇가지 형상을 갖는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하여 상기 기판 상에 형성되는 제1전극; 전자도너와 전자억셉터를 가지며, 상기 제1전극 상에 형성되는 광활성층; 및 상기 광활성층 상에 형성되며, 전도성을 갖는 재질로 이루어지는 제2전극;을 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의하면, 제1전극이 입사광을 효과적으로 확산 및 산란시키는 다수의 나노 가지 구조체를 포함함으로써 광활성층을 통과하는 광 경로를 증가시켜 광활성층에 흡수되는 빛의 양을 제고함으로 태양전지 소자의 효율을 향상시킬 수 있고, 광활성층이 제1전극의 나노 가지 구조체를 내포하는 형태로 제1전극의 전극체 상면에 형성되므로 광활성층 내부에서 생성된 전하가 신속하게 제1전극의 나노 가지 구조체로 이동될 수 있어 태양전지 소자의 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
    • 本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法,该太阳能电池器件,根据本发明,具有光透过性的基板; 具有导电性和透光性,包括多个具有纳米尺度的树枝形状,以在衬底上形成的纳米结构的材料形成的第一电极; 电子涂有电子受体,形成在所述第一电极上的光活性层; 和它形成的光活性层,由具有导电性的材料制成的第二电极上;包括:a。 根据本发明,所述第一电极,所述太阳能电池元件的由包括多个纳米结构不同的用于有效地扩散和散射入射光增强由光活性层吸收通过光活性层,以增加光路的光的量的效率 并增强,光活性层是光活性层很快产生的电荷,所以在包含形成在第一电极的电极体的上表面上的第一电极的纳米不同结构的形式移动所述第一电极的结构的纳米 太阳能电池元件的效率可以进一步提高。

    • 2. 发明申请
    • 태양전지용 기판 및 이의 제조방법
    • 太阳能电池用基板及其制造方法
    • WO2013006017A2
    • 2013-01-10
    • PCT/KR2012/005395
    • 2012-07-06
    • 포항공과대학교 산학협력단이종람유학기동완재정관호
    • 이종람유학기동완재정관호
    • H01L31/0392H01L31/02366Y02E10/50
    • 본 발명은 태양전지용 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지용 기판은, 전극 및 활성층이 형성되는 태양전지용 기판으로서, 기판부재와 상기 기판부재의 일면에 형성된 박막을 포함하고, 상기 박막은 비등방성 결정구조를 갖는 물질로 이루어지며, 그 표면에는 비등방성 결정구조의 결정면의 표면에너지 차이에 의해 자발적으로 생성된 다수의 요철부가 형성된다. 본 발명에 의하면, 비등방성 결정구조를 갖는 재료를 기판부재의 일면에 증착시켜 박막을 형성함으로써, 비등방성 결정구조로 인한 결정면의 표면에너지 차이를 이용해 박막의 표면에 다수의 요철부가 자발적으로 형성되게 하여, 광활성층에 흡수되는 빛의 양을 제고하기 위해 태양전지에 입사되는 빛을 산란 및 확산시켜 빛이 광활성층을 통과하는 경로를 증가시키는 다수의 요철부를 갖는 태양전지용 기판을 매우 간편하고 저렴한 비용으로 형성할 수 있으며, 태양전지용 기판을 이루는 기판부재의 종류와 무관하게 다수의 요철부가 태양전지용 기판에 안정적으로 구비될 수 있다.
    • 本发明涉及一种太阳能电池基板和制造根据本发明的太阳能电池基板的方法概括为在其上形成在基底构件和基底构件的表面上的电极与所述有源层的太阳能电池基板 它包括形成在一个薄膜,而薄膜具有各向异性晶体结构的材料形成,其表面与通过在各向异性晶体结构的表面能差的晶面自发地产生的多个凹凸部的形成。 根据本发明,通过由形成薄膜,无定形与晶体平面之间的表面能差具有基板构件的表面上的各向异性晶体结构的材料由于晶体结构上沉积将要形成在多个凹凸部的自发的薄膜的表面上 并且,散射光入射在太阳能电池上,以增强由所述光活性层吸收的光的量和扩散到光的多个具有用于通过光学活性层中增加的路径凹凸部的太阳能电池基板的非常简单,成本低 它可以通过形成,并且是独立的构成所述太阳能电池基板除了许多不规则的,可以稳定地提供至该太阳能电池基板基底构件的类型。

    • 3. 发明申请
    • MGO피라미드 구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법
    • 具有MGO PYRAMID结构的发光装置及其制造方法
    • WO2012005459A2
    • 2012-01-12
    • PCT/KR2011/004592
    • 2011-06-23
    • 서울옵토디바이스(주)포항공과대학교 산학협력단이종람손준호유학기
    • 이종람손준호유학기
    • H01L33/28H01L33/22
    • H01L33/58H01L33/007H01L33/02H01L33/22H01L33/32H01L33/42H01L2933/0058
    • 본 발명은 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체 발광소자는 기판; 상기 기판 상부에 형성된 p형 오믹 전극층; 상기 p형 오믹 전극층 상부에 형성된 p형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층; 상기 p형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 n형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층; 및 상기 n형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 상부에 형성된 n형 오믹 전극층; 및 상기 n형 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체층 및 상기 n형 오믹 전극층보다 굴절율이 작은 제 1 및 제 2 굴절율 조절층을 포함하며, 상기 제 2 굴절율 조절층 표면에 피라미드구조물이 형성된 것을특징으로 한다. 본 발명의 일 실시예에 따라, 질화물갈륨계 III-V족 화합물 반도체 발광소자의 상부에 제 1 및 제 2 굴절율 조절층을 포함하고, 상기 제 2 굴절율 조절층에 파리미드 구조를 형성하는 경우, 종래의 발광다이오드에 비하여 발광다이오드의 표면 광출력이 1.5배 이상 증가할 수 있다.
    • 本发明涉及一种具有氮化镓基III-V族化合物半导体的发光器件及其制造方法。 具有氮化镓基III-V族化合物半导体的发光装置包括:基板; 在该基板上形成的p型欧姆电极层; 形成在p型欧姆电极层上的p型氮化镓基III-V族化合物半导体层; 形成在p型氮化镓基III-V族化合物半导体层上的n型氮化镓基III-V族化合物半导体层; 形成在n型氮化镓基III-V族化合物半导体层上的n型欧姆电极层; 以及折射率小于n型氮化镓基III-V族化合物半导体层和n型欧姆电极层的折射率的第一和第二折射率控制层,并且金字塔结构形成在 第二折射率控制层。 根据本发明的一个实施例,第一和第二折射率控制层可以包括在具有氮化镓基III-V族化合物半导体的发光器件的上部,并且可以形成金字塔结构 在第二折射率控制层中,由此增加比典型发光二极管输出的面光的一倍半倍的面光。
    • 8. 发明申请
    • 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오
    • 一种制造纳米压印模具的方法,使用由该方法制造的纳米压印模具制造发光二极管的方法以及发光二极管
    • WO2012091270A1
    • 2012-07-05
    • PCT/KR2011/008157
    • 2011-10-28
    • 포항공과대학교 산학협력단이종람손준호송양희
    • 이종람손준호송양희
    • B29C59/02B82B3/00B82B1/00
    • H01L33/32B82Y40/00H01L21/302H01L33/007H01L33/0079H01L33/22H01L33/36H01L33/44H01L2933/0091
    • 본 발명은 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이를 이용한 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법은 임시기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계, p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계, p형 전극 상에 도전성 기판을 형성하는 단계, 임시기판을 제거하여 n형 질화물 반도체층을 노출시키는 단계, n형 질화물 반도체층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계, 나노 임프린트 몰드를 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 나노 패턴을 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계, 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계 및 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다. 본 발명에 따르면, 발광다이오드의 광추출 효율을 향상시키기 위한 나노 패턴을 효율적이고 경제적으로 형성할 수 있는 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 발광다이오드가 제공되는 효과가 있다.
    • 纳米压印模具制造方法,使用其的发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及纳米压印模具制造方法,使用其的发光二极管及其制造方法 根据本发明的发光二极管的制造方法包括在形成所述n型氮化物半导体层,发光层和在临时基板上的p型氮化物半导体层,所述p型氮化物半导体层,p型电极的的工序形成p型电极的步骤 在n型氮化物半导体层上形成的导电性基板,在去除临时衬底暴露所述n型氮化物半导体层,形成纳米压印的工序的抗蚀剂层,通过按纳米压印模具的纳米压印抗蚀剂层 形成有用于通过蚀刻所述纳米压印抗蚀剂层相和纳米图案的一部分来形成的步骤中,n型电极的纳米图案,分离纳米压印纳米压印模具的抗蚀剂层是形成纳米图案转移纳米压印抗蚀剂层 它被配置为包括。 根据本发明,纳米图案的发光效率,以改善用于制备能够形成,使用纳米压印模子与所述LED制造发光二极管的所提供的方法的效果的纳米压印模具的二极管的光提取效率和经济上的过程
    • 10. 发明申请
    • 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법
    • 半导体发光元件及其生产方法
    • WO2011028076A2
    • 2011-03-10
    • PCT/KR2010/006056
    • 2010-09-07
    • 서울옵토디바이스주식회사포항공과대학교 산학협력단이종람송양희손준호김범준
    • 이종람송양희손준호김범준
    • H01L33/36H01L33/38H01L33/40
    • H01L33/40H01L33/0095H01L33/32H01L33/387
    • 본 발명은 발광 구조를 갖는 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성된 나노 도트층, 접촉층, 확산 방지층 및 캡핑층을 구비하는 오믹 전극을 포함하고, 상기 나노 도트층은 상기 반도체층의 질소 극성면 상에 형성되고, Ag, Al, Au 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이와 같은 반도체 발광 소자에서 나노 도트층/접촉층/확산 방지층/캡핑층을 포함하는 다층 구조의 오믹 전극은 나노 도트층이 질화물 반도체의 질소 극성면으로 전하 주입 특성을 향상시켜 우수한 오믹 특성을 얻을 수 있으며, 접촉층이 확산 장벽층으로 작용하여 질소 분위기 열처리 및 고온, 고전류 주입 조건에서 발생하는 열에 의한 열화를 억제하기 때문에 열적 안정성이 우수하다.
    • 提供:半导体发光元件,包括具有发光结构的半导体层; 以及在所述半导体层上并入有纳米点层,接触层,扩散防止层和覆盖层的欧姆电极,其中所述纳米点层形成在所述半导体层的N-极性表面上,并且由包含 Ag,Al和Au中的至少一种。 还提供了一种生产方法。 在这种半导体发光元件中具有包含纳米点层/接触层/扩散防止层/覆盖层的多层结构的欧姆电极中,纳米点层构成氮化物半导体的N-极性表面 并且提高了电荷注入特性,从而可以获得突出的欧姆特性,而接触层用作扩散阻挡层,并且抑制由于在氮气氛热处理中产生的热和高温和高电流引起的劣化 注射条件,因此热稳定性突出。