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    • 7. 发明授权
    • 반도체 장치의 온도정보 출력회로 및 온도정보 출력방법
    • 半导体器件的热信息输出电路和半导体器件的热信息输出方法
    • KR101043730B1
    • 2011-06-24
    • KR1020090044129
    • 2009-05-20
    • 에스케이하이닉스 주식회사포항공과대학교 산학협력단
    • 이중호심재윤박승진우수호
    • G11C11/406G11C11/4063
    • 본 발명은 반도체 장치의 내부 온도를 감지하여 그 값을 출력하기 위한 반도체 장치의 온도정보 출력회로 및 온도정보 출력방법에 관한 것으로써, 온도 상승에 대응하여 포지티브 특성을 갖는 제1전류, 온도 상승에 대응하여 네거티브 특성을 가지며 설정된 최저 임계 온도에서 상기 제1전류와 동일한 크기를 갖는 제2전류, 및 온도 상승에 대응하여 네거티브 특성을 가지며 설정된 최고 임계 온도에서 상기 제1전류와 동일한 크기를 갖는 제3전류 - 상기 제2전류보다 예정된 크기만큼 큼 - 를 생성하기 위한 전류 생성부; 상기 제1전류의 크기에 대응하는 디지털 코드 값을 온도 정보로서 출력하기 위한 아날로그-디지털 변환부를 구비하며, 상기 아날로그-디지털 변환부는, 피드백된 상기 디지털 코드 값에 대응하는 비율로 상기 제2전류와 제3전류를 결합한 전류의 크기와 상기 제1전류의 크기를 비교하고, 비교결과에 응답하여 상기 디지털 코드의 값을 변동하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 온도정보 출력회로를 제공한다.
      온도 정보 출력장치, 최저 임계 온도, 최고 임계 온도, 디지털 코드