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1. 发明申请

WO2014119971A1 박막증착장치 审中-公开
标题翻译：薄膜蒸气沉积装置
公开(公告)号：WO2014119971A1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/KR2014/000922
申请日：2014-02-03
申请人： 주식회사 테스 , 황상수 , 이우진 , 신기조 , 차동일
发明人： 황상수 , 이우진 , 신기조 , 차동일
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/403 , C23C16/4412 , C23C16/452 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/45578
摘要： 본 발명은 박막증착장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막증착장치는 내부에 소정의 공간을 구비하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되는 기판지지부, 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하는 적어도 하나의 공급채널과, 상기 공정가스를 활성화시키는 가스활성화유닛을 구비하는 활성화채널을 포함하는 가스공급부를 구비하고, 상기 활성화채널의 하부에 개구부를 구비하고, 상기 활성화채널의 상부는 밀폐되어 구비되는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜蒸镀装置。根据本发明的薄膜蒸镀装置具有：在其内部设置有预定空间的室; 基板支撑部，其设置在所述室的内部，并且其上放置有基板; 以及气体供给部，其包括至少一个用于向基板供给处理气体的供给通道，以及具有用于启动处理气体的气体活化单元的启动通道。这里，在启动通道的底部设置有开口部，而激活通道的上部被气密地密封。

2. 发明申请

WO2015167114A1 박막증착장치 审中-公开
标题翻译：薄膜沉积装置
公开(公告)号：WO2015167114A1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：PCT/KR2015/001179
申请日：2015-02-05
申请人： 주식회사 테스
发明人： 황상수 , 이우진 , 하주일 , 신기조 , 이돈희
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205
摘要： 본 발명은 박막증착장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막증착장치는 원료가스와 반응가스를 포함하는 복수의 공정가스와 퍼지가스를 공급하고, 잔존하는 상기 공정가스 또는 상기 퍼지가스를 배기하는 가스공급모듈을 적어도 하나 이상 구비한 가스공급부 및 기판을 지지하며 상기 가스공급부에 대해 이동 가능하게 구비되는 기판지지부를 포함하고, 상기 기판지지부는 복수회의 단계별 전진 및 단계별 후진을 포함하는 적어도 하나의 루프이동을 수행하며, 상기 하나의 루프이동을 하는 경우에 상기 기판의 최초위치와 최후위치 사이의 루프이동거리는 상기 하나의 가스공급모듈의 거리 이상인 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：薄膜沉积装置技术领域本发明涉及一种薄膜沉积装置，根据本发明的薄膜沉积装置包括：气体供应单元，用于供应包括原料气体和反应气体的多种处理气体，以及吹扫气体气体供给单元具有至少一个用于排出剩余的处理气体或净化气体的气体供给模块; 以及用于支撑衬底的衬底支撑单元，所述衬底支撑单元构造成能够相对于所述气体供应单元移动，所述薄膜沉积装置的特征在于，所述衬底支撑单元执行至少一个循环运动，所述循环运动包括多次逐步向前运动和逐步向后运动，并且当执行一循环运动时，衬底的初始位置与其最终位置之间的循环移动距离等于或大于一个气体供应模块。

3. 发明授权

KR101403709B1 기상 증착 장치 및 이를 이용한 기상 증착 방법 有权
标题翻译：用于蒸气沉积和蒸发沉积方法的装置
公开(公告)号：KR101403709B1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020120048696
申请日：2012-05-08
申请人： 주식회사 테스
发明人： 신기조
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명은 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 상기 목적은 본 발명에 따라, 기판이 수용되는 반응 챔버와, 상기 반응 챔버에 설치되고, 불활성 가스를 분사하는 제1 가스 분사구와, 반응 가스를 분사하는 제2 가스 분사구를 갖는 가스 분사 유닛과, 상기 제1 가스 분사구에 설치되어 상기 제1 가스 분사구를 통해 유동하는 상기 불활성 가스가 활성화 원자로 전환되어 상기 제1 가스 분사구를 통해 분사되도록 상기 불활성 가스를 반응시키는 가스 반응 유닛을 포함하며; 상기 제1 가스 분사구의 가장자리 영역과 상기 퍼지 분사구는 상기 제1 가스 분사구로부터 상기 가스 반응 유닛의 전단에서 상기 기판 또는 상기 가스 분사 유닛의 수평 이동방향인 제 1 방향의 양측으로 각각 기울어져 형성되고, 상기 제1 가스 분사구의 가장자리 영역에는 상기 가스 반응 유닛을 유동하면서 상기 불활성 가스가 전환된 활성화 원소가 유동되고, 상기 반응 가스는 상기 제2 가스 분사구로부터 상기 활성화 원자의 유동 경로로 분사되고, 상기 활성화 원자와의 반응을 통해 활성화되어 상기 기판에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 기상 증착 장치에 의해서 달성된다. 이에 따라, 반응 가스의 활성화 상태가 공정의 진행 과정에서 지속적으로 유지되어 반응 가스의 증착 효율을 높이면서도 안정적인 증착 반응을 보장할 수 있게 된다.

4. 发明授权

KR100981039B1 가스 공급 어셈블리 失效
标题翻译：气体供应总成
公开(公告)号：KR100981039B1
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：KR1020080046736
申请日：2008-05-20
申请人： 주식회사 테스
发明人： 황상수 , 신기조
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02
摘要： 본 발명은 열팽창 계수가 다른 구성 요소 사이에 미끄러짐을 유발하는 슬립부재를 구비하여 서로 다른 부피의 열팽창이 일어나더라도 구성 요소의 파손 및 손상을 방지할 수 있는 가스 공급 어셈블리에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 가스 공급 어셈블리는 챔버 내부에 배치되어 반응 가스를 분사하는 제 1 전극부와; 상기 제 1 전극부의 하면 가장자리에 밀착배치되는 절연체를 포함하고, 상기 절연체와 제 1 전극부의 계면에는 적어도 하나의 슬립부재가 구비되는 것을 특징으로 한다.
기판, 증착, 식각, 플라즈마, 슬립, 가스 공급, 샤워헤드, 절연체

5. 发明公开

KR1020110135071A 대면적 플라즈마 처리장치의 전극구조 无效
标题翻译：大尺寸等离子体加工设备的电极结构
公开(公告)号：KR1020110135071A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020100054793
申请日：2010-06-10
申请人： 주식회사 테스
发明人： 신기조
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/205
摘要： PURPOSE: An electrode structure of a large area plasma processing apparatus is provided to prevent imbalance or local plasma generation due to the wavelength size of an applied frequency, thereby inducing uniform plasma reaction on a substrate. CONSTITUTION: A large area plasma processing apparatus comprises a plasma power source(2), a matching device(3), a first electrode(1), and a susceptor(5). The plasma power source supplies plasma power into the processing apparatus by generating high frequency. The matching device applies high frequency power to the inside of the processing apparatus by matching plasma impedance with the high frequency power generated from the plasma power source. A shower head is able to be arranged in the upper part of the first electrode. The shower head is able to be arranged as the first electrode. A heater including a heating hot-wire is included in the inside of the susceptor. The susceptor is performed as a ground electrode. A concavo-convex part is arranged in every direction on the flat surface of the first electrode with a fixed interval.
摘要翻译：目的：提供大面积等离子体处理装置的电极结构，以防止由施加频率的波长尺寸引起的不平衡或局部等离子体产生，从而在基板上引起均匀的等离子体反应。构成：大面积等离子体处理装置包括等离子体电源（2），匹配装置（3），第一电极（1）和基座（5）。等离子体电源通过产生高频率将等离子体功率提供给处理装置。匹配装置通过将等离子体阻抗与从等离子体电源产生的高频功率相匹配而将高频功率施加到处理装置的内部。淋浴头能够布置在第一电极的上部。淋浴头能够作为第一电极排列。包括加热热丝的加热器包括在基座的内部。感受器作为接地电极进行。在第一电极的平坦表面上以固定的间隔在每个方向上布置凹凸部。

6. 发明公开

KR1020100074383A 태양전지의 제조에서 기판 상에 물질층을 형성하기 위한 장치 无效
标题翻译：在制造太阳能电池的基板上形成材料层的装置
公开(公告)号：KR1020100074383A
公开(公告)日：2010-07-02
申请号：KR1020080132790
申请日：2008-12-24
申请人： 주식회사 테스
发明人： 이홍재 , 김범성 , 신기조 , 김희원
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0445
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： PURPOSE: A device for forming material layers on a substrate in manufacturing a solar cell is provided to reduce the time of forming the material layers by forming all material layers with an in-situ method in one device. CONSTITUTION: A first deposition unit forms a first layer including copper on a substrate. A second deposition unit forms a second layer including indium on the first layer. A thermal processing unit(110) forms a light absorption layer on at least one substrate by performing a selenization or sulfurization process on at least one substrate with the first layer and the second layer. A transfer module(150) is arranged between the thermal processing unit and the first and second deposition units and transfers the substrate between the thermal processing unit and the first and second deposition units with an in-situ method.
摘要翻译：目的：提供一种用于在制造太阳能电池中在基板上形成材料层的装置，以通过在一个装置中以原位方法形成所有材料层来减少形成材料层的时间。构成：第一沉积单元在衬底上形成包括铜的第一层。第二沉积单元在第一层上形成包含铟的第二层。热处理单元（110）通过对具有第一层和第二层的至少一个基板进行硒化或硫化处理，在至少一个基板上形成光吸收层。传热模块（150）布置在热处理单元和第一和第二沉积单元之间，并且以原位方法在热处理单元和第一和第二沉积单元之间传送基板。

7. 发明公开

KR1020090120770A 가스 공급 어셈블리 失效
标题翻译：气体供应总成
公开(公告)号：KR1020090120770A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：KR1020080046736
申请日：2008-05-20
申请人： 주식회사 테스
发明人： 황상수 , 신기조
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/50 , H01J37/3244
摘要： PURPOSE: A gas supply assembly for preventing damage by thermal expansion of different volume is provided to prevent the damage of the insulating material in case the volume expansion of a shower head exceeds predetermined amount. CONSTITUTION: A gas supply assembly for preventing damage by thermal expansion of different volume includes a first electrode unit(20) and an insulator. The first electrode unit to be arranged within a chamber(10) ejects reaction gas. The insulator is densely arranged in the edge of the lower face of the first electrode unit. The insulator and the first electrode are equipped in a slip member.
摘要翻译：目的：提供一种用于防止不同体积的热膨胀损坏的气体供应组件，以防止淋浴头的体积膨胀超过预定量的情况下绝缘材料的损坏。构成：用于防止不同体积的热膨胀损坏的气体供给组件包括第一电极单元（20）和绝缘体。布置在室（10）内的第一电极单元喷射反应气体。绝缘体密集地布置在第一电极单元的下表面的边缘中。绝缘体和第一电极配备有滑动构件。

8. 发明授权

KR101372359B1 스퍼터링 장치 有权
标题翻译：溅射装置
公开(公告)号：KR101372359B1
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：KR1020110136933
申请日：2011-12-19
申请人： 주식회사 테스
发明人： 노동민 , 신기조 , 남기덕
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 본 발명은 스퍼터링 장치 관한 것으로서, 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되는 스퍼터링 타겟; 피처리체가 안착되는 안착 플레이트와, 상기 안착 플레이트에 안착된 상기 피처리체를 가열하는 가열 플레이트를 갖는 피처리체 지지부; 및 상기 피처리체가 안착되는 제1 회동 위치와 상기 스퍼터링 타겟과 대향하게 배치되는 제2 회동 위치로 상기 피처리체 지지부를 회동시키는 회동 이동 어셈블리를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 스퍼터링 공정의 진행시 스퍼터링 타겟과 피처리체가 모두 수직 방향으로 세워진 상태로 반응하게 되어, 박막 형성에 영향을 미치는 파티클들은 챔버 바닥면으로 떨어져 피처리체에 영향을 미치지 않게 된다.

9. 发明公开

KR1020130069894A 스퍼터링 장치 有权
标题翻译：溅射装置
公开(公告)号：KR1020130069894A
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：KR1020110136933
申请日：2011-12-19
申请人： 주식회사 테스
发明人： 노동민 , 신기조 , 남기덕
IPC分类号： C23C14/34
摘要： PURPOSE: The sputtering device capable of improving the quality of the thin film, the uniformity or the transparency of the film etc. for instance. CONSTITUTION: The sputtering device comprises the chamber (10), the sputtering target (20), the processed article supporting part (30), and the assemble movement assembly (60), and the horizontal feed assembly (50). The chamber provides the vacuumized enclosed space in which the sputtering process is performed. The chamber is comprised with a door in which the processed article is flow in and out to the inside of chamber. The sputtering target is arranged in the inside of chamber. The supporting device for the processed article comprised with the arrival plate in which the processed article is arrived, and the heating plate to heat up the processed article which is arrived. The assemble movement assembly circulates the supporting part of processed article.
摘要翻译：目的：能够提高薄膜的质量，膜的均匀性或透明性等的溅射装置。构成：溅射装置包括室（10），溅射靶（20），处理物品支撑部（30）和组装移动组件（60）以及水平进给组件（50）。该室提供了进行溅射处理的真空封闭空间。该室包括一个门，其中处理过的物品流入和流出到室的内部。溅射靶设置在室内。用于处理物品的到达板的加工物品的支撑装置和加热板，以加热到达的处理物品。组装运动组件使加工制品的支撑部分循环。

10. 发明授权

KR101533610B1 박막증착장치 有权
标题翻译：薄膜沉积装置
公开(公告)号：KR101533610B1
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：KR1020140053197
申请日：2014-05-02
申请人： 주식회사 테스
发明人： 황상수 , 이우진 , 하주일 , 신기조 , 이돈희
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205
摘要： 본발명은박막증착장치에관한것으로서, 본발명에따른박막증착장치는원료가스와반응가스를포함하는복수의공정가스를순차적으로공급하는가스공급모듈을적어도하나이상구비한가스공급부및 기판을지지하며상기가스공급부에대해이동가능하게구비되는기판지지부를포함하고, 상기기판지지부는복수회의단계별전진및 단계별후진을포함하는적어도하나의루프이동을수행하며, 상기하나의루프이동을하는경우에상기기판의최초위치와최후위치사이의루프이동거리는상기하나의가스공급모듈의길이이상인것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种薄膜沉积设备。根据本发明的薄膜沉积装置包括气体供应单元，其包括至少一个气体供应模块，其连续地供应包括原料气体和反应性气体的多个处理气体和支撑基板的基板支撑单元，形成为相对于气体供给单元移动。基板支撑单元根据一个步骤执行包括多个向前和向后移动的至少一个循环运动。在一个循环运动的情况下，初始位置和基板的最终位置之间的循环移动距离等于或大于一个气体供应模块的长度。

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