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1. 发明申请

WO2011025256A2 증착가스 공급장치 审中-公开
标题翻译：沉积气供应装置
公开(公告)号：WO2011025256A2
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/KR2010/005695
申请日：2010-08-25
申请人： 주식회사 테라세미콘 , 이병일 , 박경완 , 강호영 , 김철호 , 송종호
发明人： 이병일 , 박경완 , 강호영 , 김철호 , 송종호
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4481
摘要： 반도체 소자나 평판 디스플레이 제조를 위한 박막 증착 공정 시에 매 증착 공정마다 균일한 양의 증착가스가 공급될 수 있도록 하는 증착가스 공급장치가 개시된다. 본 발명에 따른 증착가스 공급장치(100)는, 증착물질이 저장되는 증착물질 저장부(200), 증착물질에 열을 인가하여 증착가스를 발생시키는 증착물질 증발부(300) 및 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부(400)를 포함하는 증착가스 공급장치(100)로서, 증착물질 저장부(200)와 증착물질 증발부(300) 사이에 배치되는 증착물질 공급부(500)를 더 포함하고, 증착물질 공급부(500)는 매 증착 공정 마다 증착물질 증발부(300)로 일정 양의 증착물질을 공급하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：公开了一种沉积气体供给装置，当进行薄膜沉积以制造半导体器件或平板显示器时，能够为每个沉积工艺提供恒定量的沉积气体。根据本发明的沉积气体供应装置（100）包括：沉积材料存储单元（200），其中存储沉积材料; 沉积材料蒸发单元（300），其向所述沉积材料施加热量以产生蒸发气体; 以及供给载气的载气供给单元（400）。沉积气体供给装置（100）还包括插入在沉积材料存储单元（200）和沉积材料蒸发单元（300）之间的沉积材料供应单元（500）。沉积材料供给单元（500）为每个沉积处理向沉积材料蒸发单元（300）供应恒定量的沉积材料。

2. 发明申请

WO2011065688A3 다결정 실리콘 형성 장치 및 그 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2011065688A3
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/KR2010/007872
申请日：2010-11-09
申请人： 주식회사 테라세미콘 , 이병일 , 박경완 , 허관선 , 강호영 , 송종호
发明人： 이병일 , 박경완 , 허관선 , 강호영 , 송종호
IPC分类号： C30B33/02
摘要： 다결정 실리콘 형성 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 장치는, 기판 상에 형성된 비정질 실리콘을 열처리하여 다결정 실리콘을 형성하는 장치로서, 비정질 실리콘을 예열(pre-heating)하는 예열부(200); 및 예열부(200)에서 예열된 비정질 실리콘을 결정화 열처리하는 열처리부(300)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

3. 发明申请

WO2010038972A3 소스가스 공급장치 审中-公开
公开(公告)号：WO2010038972A3
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/KR2009/005584
申请日：2009-09-30
申请人： 주식회사 테라세미콘 , 이병일 , 장석필 , 박경완 , 송종호
发明人： 이병일 , 장석필 , 박경완 , 송종호
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 화학기상 증착법에 의한 박막 증착시 원료가 되는 소스물질을 가스화하여 증착챔버 내로 공급하는 소스가스 공급장치가 개시된다. 본 발명에 따른 소스가스 공급장치(200)는 소스물질을 가열하여 소스가스를 생성하는 소스가스 생성부(210); 및 소스가스 생성부(210)에서 생성된 소스가스가 유입되어 응축되는 소스가스 응축부(240)를 포함하되, 소스가스 응축부(240)에 응축된 소스가스의 응축량이 포화 응축량에 도달할 때까지 소스가스 생성부(210)로부터 소스가스 응축부(240)로 소스가스의 유입을 진행하여 소스가스 응축부(240)에 소스가스를 응축시키고, 소스가스 응축부(240)에 응축된 소스가스의 응축량이 포화 응축량에 도달한 이후는 소스가스 생성부(210)로부터 소스가스 응축부(240)로 소스가스의 유입을 차단하고 소스가스 응축부(240)에 응축되어 있던 소스가스를 증착챔버(250)로 유입시키는 것을 특징으로 한다.

4. 发明申请

WO2012105786A3 기판 지지용 보트 및 이를 사용한 지지유닛 审中-公开
公开(公告)号：WO2012105786A3
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：PCT/KR2012/000715
申请日：2012-01-31
申请人： 주식회사 테라세미콘 , 강호영 , 박경완 , 조병호 , 박주영
发明人： 강호영 , 박경완 , 조병호 , 박주영
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324 , G02F1/13
摘要： 기판 지지용 보트 및 이를 사용한 지지유닛이 개시된다. 본 발명에 따른 기판 지지용 보트 및 지지유닛은 기판의 전체면이 균일하게 지지되므로, 기판의 처리시 기판이 자중에 의하여 처지는 것이 방지된다. 그러므로, 기판을 처리하여도, 기판의 특성 변화가 없으므로, 기판의 처리공정의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.

5. 发明申请

WO2012105785A2 기판 지지용 보트 및 이를 사용한 지지유닛 审中-公开
标题翻译：支持基板和支持单元的船
公开(公告)号：WO2012105785A2
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：PCT/KR2012/000714
申请日：2012-01-31
申请人： 주식회사 테라세미콘 , 강호영 , 박경완 , 조병호 , 박주영
发明人： 강호영 , 박경완 , 조병호 , 박주영
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324 , G02F1/13
CPC分类号： H01L21/67309 , H01L21/6734
摘要： 기판 지지용 보트 및 이를 사용한 지지유닛이 개시된다. 본 발명에 따른 기판 지지용 보트 및 이를 사용한 지지유닛은 복수의 제 1 및 제 2 지지핀에 의하여 기판의 전체면이 균일하게 지지되므로, 기판의 처리시 기판이 자중에 의하여 처지는 것이 방지된다. 그러므로, 기판을 처리 하여도, 기판의 특성 변화가 없으므로, 기판의 처리공정의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
摘要翻译：公开了一种用于支撑基板的船和使用其的支撑单元。根据本发明的用于支撑基板的船和使用该基板的支撑单元能够使用多个第一支撑销和第二支撑销均匀地支撑基板的整个表面，从而防止由于皮重而引起的基板的下垂当处理基材时。因此，即使在处理时，由于基板的特性也不会发生变化，所以提高了基板的处理工艺的可靠性。

6. 发明申请

WO2011105830A3 다결정 실리콘층 제조방법 및 이를 위한 금속 혼입층 형성장치 审中-公开
标题翻译：制造多晶硅层及其金属混合层形成装置的方法
公开(公告)号：WO2011105830A3
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/KR2011/001296
申请日：2011-02-24
申请人： 주식회사 테라세미콘 , 이병일 , 장희섭 , 박경완
发明人： 이병일 , 장희섭 , 박경완
IPC分类号： H01L21/324 , H01L31/18
摘要： 다결정 실리콘층 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 일 실시예에 따른 다결정 실리콘층(22) 제조 방법은 비정질 실리콘층(20)과 금속 혼입층(metal mixed layer; 30)을 컨택한 후에 비정질 실리콘층(20)을 결정화 열처리 하여 다결정 실리콘층(22)을 제조하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 금속 촉매의 양을 적게 도입하면서도 결정화 온도를 낮출 수 있는 다결정 실리콘층 제조 방법을 제공할 수 있게 된다.
摘要翻译：公开了一种制造多晶硅层的方法。多晶硅层根据本发明的一个实施方式（22）的生产方法，所述非晶硅层20和金属混合层（金属混合层; 30），以便然后接触并进行热处理来晶化所述非晶硅层20的多晶硅制作图层（22）。根据本发明，可以提供一种制造能够在引入少量金属催化剂的同时降低结晶温度的多晶硅层的方法。

7. 发明申请

WO2013058454A1 기판 처리 장치 审中-公开
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：WO2013058454A1
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：PCT/KR2012/003339
申请日：2012-04-30
申请人： 주식회사 테라세미콘 , 박경완
发明人： 박경완
IPC分类号： G02F1/13 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67017 , G02F1/1303 , H01L21/67109
摘要： 기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 본체의 내부에 설치된 가스공급관의 토출공을 통하여 분위기 가스가 본체의 내부로 균일하게 공급되고, 본체의 내부에 설치된 가스배출관의 흡입공을 통하여 분위기 가스가 본체의 내부 전체 부위를 통하여 외부로 배출된다. 그러면, 본체 내부의 부위별로 분위기 가스가 균일하게 분포되므로, 본체 내부의 온도가 부위별로 균일하다. 따라서, 기판 처리 공정의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
摘要翻译：公开了一种基板处理装置。在本发明的基板处理装置中，环境气体通过安装在主体中的气体供给管的排放孔均匀地供给到主体中，环境气体通过气体的吸入口排出到外部排放管安装在主体内，并通过主体的所有内部部件。因此，环境气体均匀分布在主体内部的各部分，并且主体内部的温度在所有部分均匀。因此，提高了基板处理的有效性和可靠性。

8. 发明申请

WO2010117201A2 금속 촉매를 이용한 폴리 실리콘 마스크의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 审中-公开
标题翻译：使用金属催化剂的多晶硅掩模的制造方法和使用该金属催化剂的半导体元件的制造方法
公开(公告)号：WO2010117201A2
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/KR2010/002116
申请日：2010-04-07
申请人： 주식회사 테라세미콘 , 박경완
发明人： 박경완
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/0337 , H01L21/32139 , H01L27/10855 , H01L27/10888 , H01L29/78
摘要： 본 발명에서는 금속 촉매를 이용한 폴리 실리콘 마스크의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 금속 촉매를 이용한 폴리 실리콘 마스크의 제조방법은, 기판(10)을 제공하는 단계; 기판(10) 상에 소정의 패턴을 갖는 비정질 실리콘층(30)을 형성하는 단계; 비정질 실리콘층(30) 상에 금속 촉매층(40)을 형성하는 단계; 및 비정질 실리콘층(30)을 열처리하여 폴리 실리콘 마스크(31)를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：公开了使用金属催化剂的多晶硅掩模的制造方法及使用其的半导体元件的制造方法。根据本发明的使用金属催化剂的多晶硅掩模的制造方法包括以下步骤：供给基板（10）; 在所述基板（10）上形成具有预定图案的非晶硅层（30）; 在所述非晶硅层（30）上形成金属催化剂层（40）; 以及通过对所述非晶硅层（30）进行热处理而形成多晶硅掩模（31）。

9. 发明申请

WO2013081335A1 기판 지지용 지지핀 및 이를 사용한 기판 처리 장치 审中-公开
标题翻译：用于支持基板和基板处理装置的支持引脚
公开(公告)号：WO2013081335A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/KR2012/010012
申请日：2012-11-26
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 박경완 , 이병일
IPC分类号： H01L21/683 , G02F1/13 , C23C16/458 , C23C14/50
CPC分类号： C23C14/50 , C23C16/4583 , G02F1/1303 , H01L21/67323 , H01L21/6734 , H01L21/67343
摘要： 기판 지지용 지지핀 및 이를 사용한 기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 지지용 지지핀 및 이를 사용한 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 지지핀이 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강으로 형성된 캡에 의하여 씌워지거나, 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 코팅되거나, 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강으로 형성된다. 따라서, 지지핀에 의하여 기판에 스크래치가 발생되는 것이 방지되므로, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
摘要翻译：公开了用于支撑基板的支撑销和使用该支撑销的基板处理装置。在根据本发明的用于支撑基板的支撑销和使用其的基板处理装置中，用于支撑基板的支撑销由硬度小于硬度的金属材料或碳钢形成的盖子覆盖由金属材料或硬度小于基材硬度的碳素钢涂覆，或由硬度小于基材硬度的金属材料或碳素钢制成。因此，防止了由于支撑销而导致的基板上的划痕，从而提高了产品的可靠性。

10. 发明申请

WO2016080729A1 기판 프로세싱 장치 审中-公开
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：WO2016080729A1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：PCT/KR2015/012337
申请日：2015-11-17
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 이병일 , 박경완 , 강호영 , 박준규
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
摘要： 기판 프로세싱 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 프로세싱 장치는, 기판 프로세싱 장치로서, 챔버(101) 내에 기판 프로세싱 가스를 공급하는 가스 인릿(inlet; 300); 챔버(101) 내의 기판 프로세싱 가스를 외부로 배출하는 가스 아웃릿(outlet; 400); 챔버(101) 내에 배치되며 챔버(101) 내부를 가열하는 히터(200); 및 챔버(101)의 외측면에 배치되며 챔버벽의 온도를 제어하는 온도 컨트롤러(500)를 포함하며, 온도 컨트롤러(500)는, 상기 챔버 내에서 기화되거나 건조되는 기판 상의 물질이 챔버(101)의 내벽에 응축되지 않도록, 챔버(101)의 내벽의 온도를 50℃ 내지 250℃로 유지하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：公开了一种基板处理装置。根据本发明的基板处理装置包括：用于将基板处理气体引入到室（101）中的入口（300）; 用于将所述室（101）内的基板处理气体排出到外部的出口（400）设置在所述腔室（101）内的加热器，用于加热所述腔室（101）的内部; 以及设置在所述室（101）的外表面上用于控制所述室壁温度的温度控制器（500），其中所述温度控制器（500）保持所述室（101）的内壁的温度），使得在室内蒸发或干燥的基板上的材料不会在室（101）的内壁上冷凝。

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