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1. 发明申请

WO2011021872A3 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2011021872A3
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：PCT/KR2010/005510
申请日：2010-08-19
申请人： 주식회사 에피밸리 , 장문식 , 김서군 , 김창태
发明人： 장문식 , 김서군 , 김창태
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 본 개시는 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 생성되는 활성층; 상기 활성층에 구비되고, 상기 활성층에 정공을 공급하는 p형 질화물 반도체층; 및 상기 p형 질화물 반도체층에 개재되며, MgN으로 도핑된 제2 p형층;을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 또한, 본 개시는 3족 질화물 반도체 발광소자를 제조방법으로서, 상기 활성층 위에 제1 p형층을 구비하는 단계; 상기 제1 p형층 위에 MgN과 3족 질화물 반도체를 교대로 반복 성장시켜 상기 제2 p형층을 구비하는 단계; 및 상기 제2 p형층에 상기 제3 p형층을 구비하는 단계;을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.

2. 发明申请

WO2011087310A2 3족 질화물 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：WO2011087310A2
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/KR2011/000281
申请日：2011-01-14
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김창태 , 이태희
发明人： 김창태 , 이태희
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20
摘要： 본 개시는 제1 전도성을 지니는 제1 3족 질화물 반도체층, 제1 전도성과 다른 제2 전도성을 지니는 제2 3족 질화물 반도체층, 그리고 제1 3족 질화물 반도체층과 제2 3족 질화물 반도체층 사이에 위치하며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 3족 질화물 반도체층; 복수개의 3족 질화물 반도체층과 전기적으로 연결되는 본딩 패드; 제2 3족 질화물 반도체층 상에 형성되며 제2 반도체층이 노출되도록 복수개의 개구부를 구비하는 투광성 전극; 복수개의 개구부의 적어도 일부를 메우도록 형성되는 제1 전극; 그리고, 제1 3족 질화물 반도체층 상에 형성되는 제2 전극;을 포함하고 본딩 패드 및 제1 전극은 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
摘要翻译：
本公开的具有第一导电性的第一III族氮化物半导体层，所述第二具有第二导电从第一导电第二III族氮化物半导体层不同，以及第一III族氮化物半导体层多个III族氮化物半导体层，其位于第一和第二III族氮化物半导体层之间并且具有通过电子和空穴的复合而产生光的有源层; 电连接到所述多个III族氮化物半导体层的键合焊盘; 透明电极，形成在所述第二III族氮化物半导体层上并具有多个开口以暴露所述第二半导体层; 第一电极，形成为填充所述多个开口的至少一部分; 并且，形成在第一III族氮化物半导体层上的第二电极;包括键合焊盘和所述第一电极被引导到III族氮化物半导体发光器件，其特征在于，它是电连接到

3. 发明申请

WO2011081484A3 3족 질화물 반도체 발광소자 审中-公开
公开(公告)号：WO2011081484A3
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/KR2010/009583
申请日：2010-12-30
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김창태 , 서재원 , 정영록
发明人： 김창태 , 서재원 , 정영록
IPC分类号： H01L33/36
摘要： 본 개시는, 제1 전도성을 가지는 제1 반도체층; 제1 반도체층 위에 위치되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층; 활성층 위에 위치되며 제1 전도성과 다른 제2 전도성을 가지는 제2 반도체층; 제2 반도체층의 상면에 구비되는 제1 절연체층; 제1 절연체층 위에 위치되는 제1 전극; 및 제1 전극 및 제2 반도체층과 전기적으로 연결되며 제2 반도체층의 상면에 구비되는 투광성 전극;을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. 본 개시에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자에 의하면, 광추출효율(Extraction efficiency)가 크게 향상되는 이점을 가진다.

4. 发明申请

WO2010123235A2 디스플레이의 디밍 제어방법 审中-公开
标题翻译：用于显示器的调试控制方法
公开(公告)号：WO2010123235A2
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：PCT/KR2010/002417
申请日：2010-04-19
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김동설 , 김창태
发明人： 김동설 , 김창태
IPC分类号： G09G3/32 , G02F1/133 , H05B37/02
CPC分类号： H05B33/0845 , G02F2001/133614 , G09G3/3406 , G09G3/3413 , G09G2320/0242 , G09G2320/064 , H05B33/086
摘要： 본 개시는 디스플레이의 디밍 제어방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자와 정공의 재결합을 통해 제1 광을 생성하는 활성층을 포함하는 제1 발광체; 그리고, 제1 광에 의해 여기되어 제1 광보다 긴 파장의 제2 광을 발하는 제2 발광체;를 포함하는 발광소자를 구비하는 디스플레이의 디밍 제어방법에 있어서, 디밍 요청에 따라 발광소자에 공급될 전원을 조절하는 단계; 그리고, 전원 조절에 따라 제1 방향으로 색좌표가 이동하는 특성을 지닌 제1 형광물질과, 색좌표가 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 이동하는 특성을 지닌 제2 형광물질을 포함하는 제2 발광체를 이용하여, 조절되는 전원에 따라 디스플레이의 밝기를 조절하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이의 디밍 제어방법에 관한 것이다.
摘要翻译：本公开涉及一种用于显示器的调光控制方法。更具体地说，本发明涉及一种用于显示器的调光控制方法，包括：具有第一发光体的发光器件，具有通过电子 - 空穴复合产生第一光的有源层; 以及由所述第一光激发的第二发光体，以发射波长比所述第一光的波长更长的第二光，其中所述调光控制方法包括以下步骤：调整供应给所述发光装置的功率按照调光要求; 并且使用包含第一荧光材料的第二发光体调节显示器的亮度，所述第二发光体具有根据功率调节而沿第一方向的色坐标偏移和具有第颜色坐标沿与第一方向相反的第二方向移动的特征。

5. 发明申请

WO2010064870A2 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：WO2010064870A2
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/KR2009/007236
申请日：2009-12-04
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김창태 , 남기연 , 이태희
发明人： 김창태 , 남기연 , 이태희
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20
摘要： 본 개시는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 발생하는 반도체 발광소자에 있어서, 전자와 정공의 재결합을 위한 전류를 공급하는 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극; 제1 본딩 전극으로부터 뻗어 있는 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극; 제2 본딩 전극으로부터 뻗어 있고, 제1 가지 전극과 제2 가지 전극 사이에서 제1 가지 전극에 대하여 제1 간격을 두며 제2 가지 전극에 대하여 제1 간격 보다 좁은 제2 간격을 두고 위치하는 제3 가지 전극;을 포함하며, 제2 가지 전극은 제1 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 멀리 위치하며, 제3 가지 전극은 제2 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 더 멀리 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
摘要翻译：半导体发光器件技术领域本发明涉及一种半导体发光器件，并且更具体地涉及一种通过电子和空穴的复合产生光的半导体发光器件，第一接合电极和第二接合电极; 从第一接合电极延伸的第一分支电极和第二分支电极; 2从接合电极，所述第一分支电极和第二分支dumyeo到延伸第一距离相对于权利要求3的电极之间的第一分支电极，其离开比相对于所述第二指状电极的第一间隙位置的窄第二间隙其中第二分支电极位于比第一分支电极更远离发光元件中心的位置，第三分支电极位于比第二分支电极更远离发光元件中心的位置。发射装置。

6. 发明申请

WO2010064848A3 3족 질화물 반도체 발광소자 审中-公开
公开(公告)号：WO2010064848A3
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/KR2009/007169
申请日：2009-12-02
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김창태 , 안현수 , 김현석
发明人： 김창태 , 안현수 , 김현석
IPC分类号： H01L33/36
摘要： 본 개시는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 전도성을 지니는 제1 3족 질화물 반도체층, 제1 전도성과 다른 제2 전도성을 지니는 제2 3족 질화물 반도체층, 제1 3족 질화물 반도체층과 제2 3족 질화물 반도체층 사이에 위치하여 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 3족 질화물 반도체층; 복수개의 3족 질화물 반도체층과 전기적으로 연결되는 본딩 패드; 본딩 패드 위에 위치하는 보호막; 그리고, 본딩 패드와 보호막 사이에 위치하며, 본딩 패드가 노출되도록 형성되는 버퍼 패드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.

7. 发明申请

WO2011010881A2 3족 질화물 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译： III类氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：WO2011010881A2
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/KR2010/004823
申请日：2010-07-22
申请人： 주식회사 에피밸리 , 남기연 , 김현석 , 김창태
发明人： 남기연 , 김현석 , 김창태
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
摘要： 본 개시의 일 예에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판; 상기 기판 위에 구비되고, 순차로 적층되는 복수의 반도체층을 가지며, 상기 복수의 반도체층에 의해 정의되는 측면과 상면 및 상기 기판과 접하는 하면을 가지는 다층구조 반도체층; 상기 측면에 의해 정의되는 제1 스캐터링면; 및 상기 상면과 상기 측면이 만나는 부분에 형성되는 단차(step)에 의해 정의되는 제2 스캐터링면;을 포함한다. 본 개시에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예에 의하면, 광추출효율과 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：根据本公开的一个实施例，III族氮化物半导体发光器件包括：衬底; 形成在所述基板上的多层结构半导体层，包括多个顺序层叠的半导体层，所述多个半导体层的侧表面和顶表面由所述多个半导体层限定，并且其底表面与所述基板接触; 由侧面限定的第一散射面; 以及由在顶表面和侧表面相交的部分处形成的台阶限定的第二散射面。根据本公开实施例的III族氮化物半导体发光器件实现了提高的光提取效率和电特性。

8. 发明申请

WO2010064872A2 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2010064872A2
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/KR2009/007241
申请日：2009-12-04
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김창태 , 남기연
发明人： 김창태 , 남기연
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20
摘要： 본 개시는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 전도성을 지니는 제1 반도체층, 제1 전도성과 다른 제2 전도성을 지니는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층; 복수개의 반도체층과 전기적으로 연결되는 본딩 패드; 복수개의 반도체층에 펼쳐지는 제1 전극; 그리고, 본딩 패드로부터 제1 전극으로 연장되며, 본딩 패드와 제1 전극을 전기적으로 접속시키는 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体发光器件，更具体地说，涉及一种半导体发光器件，包括：具有第一导电性的第一半导体层的多个半导体层，具有第二导电性的第二导电性的第二半导体层第一导电性和介于第一半导体层和第二半导体层之间并通过电子 - 空穴复合产生光的有源层; 电连接到所述多个半导体层的接合焊盘; 第一电极，分布在多个半导体层上; 以及第二电极，其从所述接合焊盘延伸到所述第一电极，并且使所述焊盘和所述第一电极电连接。

9. 发明申请

WO2010064869A2 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2010064869A2
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/KR2009/007235
申请日：2009-12-04
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김창태 , 이태희
发明人： 김창태 , 이태희
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/642 , H01L33/46
摘要： 본 개시는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판; 기판 위에 형성되며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층; 그리고, 기판 아래에 형성되는 복수개의 블럭;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体发光器件，更具体地，涉及一种半导体发光器件，包括：衬底; 形成在基板上并通过电子 - 空穴复合产生光的有源层; 以及形成在所述基板下方的多个块。

10. 发明申请

WO2009154409A2 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2009154409A2
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/KR2009/003267
申请日：2009-06-18
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김창태 , 남기연 , 김현석
发明人： 김창태 , 남기연 , 김현석
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38
摘要： 본 발명은 하면과 상면을 구비하며, 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층; 복수개의 반도체층의 하면 측에 위치하는 기판; 복수개의 반도체층의 상면 측에서 복수개의 반도체층에 전기적으로 연결되고, 재결합을 위한 전류를 공급하는데 사용되는 본딩 와이어; 그리고, 복수개의 반도체층의 상면 측에 위치하는 본딩 와이어의 부분에 대응하는 영역에 형성되며, 이 영역에서 빛의 생성을 억제하는 오목부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体发光器件，包括：具有上表面和下表面的多个半导体层和用于通过使用复合产生光的有源层; 设置在半导体层的下表面侧的基板; 电连接到半导体层的上表面一侧的半导体层并用于提供用于复合的电流的接合线; 以及形成在与位于半导体层的上表面侧的接合线的部分相对应的区域处的凹部，使得凹部抑制所述区域中的光的产生。

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