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1. 发明公开

KR1020090084300A 에칭률이 우수한 유기 반사방지막 형성용 중합체 및 이를포함하는 조성물 有权
标题翻译：用于形成具有高刻蚀速度的有机抗反射涂层的聚合物，以及包括它们的组合物
公开(公告)号：KR1020090084300A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：KR1020080010378
申请日：2008-01-31
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 한만호 , 김상정 , 노효정 , 김현진 , 김재현
IPC分类号： G03F7/11 , G03C1/825 , G03C1/76
CPC分类号： G03F7/091 , C08F14/18 , C08F220/18 , C08G73/1092 , C09D133/10 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/405
摘要： A polymer for forming an organic anti-reflective coating layer having high etch rate and a composition including the same are provided to form an organic anti-reflective coating layer with excellent etch rate and reflection and to effectively suppress undercutting and notching. A polymer for forming an organic anti-reflective coating layer comprises repeating units represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R1 is hydrogen(H) or methyl(-CH3); R2 is S, O or NH; and R3 is a heterocyclic group containing sulfur. Based on the whole repeat unit constituting the polymer for forming an organic anti-reflective coating layer, the mole % of the repeating unit of the chemical formula 1 is 1~99 mole %.
摘要翻译：提供用于形成具有高蚀刻速率的有机抗反射涂层和包含该有机抗反射涂层的组合物的聚合物，以形成具有优良蚀刻速率和反射性的有机抗反射涂层，并有效抑制底切和开槽。用于形成有机抗反射涂层的聚合物包含由化学式1表示的重复单元。在化学式1中，R 1是氢（H）或甲基（-CH 3）; R2是S，O或NH; R3是含硫的杂环基。基于构成用于形成有机抗反射涂层的聚合物的整个重复单元，化学式1的重复单元的摩尔％为1〜99摩尔％。

2. 发明公开

KR1020080023657A 포토레지스트 모노머, 폴리머 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光聚合物单体，聚合物及其相同的光电组合物
公开(公告)号：KR1020080023657A
公开(公告)日：2008-03-14
申请号：KR1020070091591
申请日：2007-09-10
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김덕배 , 이정열 , 유근종 , 김상정 , 이재우 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392 , C07C309/00 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2602/22 , C07C2602/42 , C07C2603/24 , C07C2603/74 , C07D307/32 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0047 , G03F7/20
摘要： A monomer for photoresist is provided to realize improved resolution and process margin, to form a high-precision pattern by virtue of a low temperature sensitivity to post-exposure baking, and to improve the focus depth margin and line edge roughness. A monomer for photoresist is represented by the following formula 1. In formula 1, R* independently represents H or a methyl group; R is a hydrocarbon group having a substituted or non-substituted C1-C25 alkyl group containing an ether group or not, or a substituted or non-substituted C4-C24 aryl group, heteroaryl group, cycloalkyl group or multi-cycloalkyl group containing an ether group, ketone group or sulfur or not.
摘要翻译：提供用于光致抗蚀剂的单体以实现改进的分辨率和处理余量，由于对曝光后烘烤的低温敏感性而形成高精度图案，并且提高了聚焦深度余量和线边缘粗糙度。用于光致抗蚀剂的单体由下式1表示。在式1中，R *独立地表示H或甲基; R是具有取代或未取代的含醚基的C 1 -C 25烷基或被取代或未取代的C 4 -C 24芳基，杂芳基，环烷基或含有醚的多环烷基的烃基基团，酮基或硫。

3. 发明公开

KR1020060096629A 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물 有权
标题翻译：用于形成有机防反射膜的有机聚合物和含有其的有机组合物
公开(公告)号：KR1020060096629A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020050017291
申请日：2005-03-02
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김상정 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/38
摘要： 포토리소그래피 공정에서, 노광원을 흡수하기 위하여 피식각층과 포토레지스트막 사이에 위치하는, 유기 반사방지막을 형성하기 위한 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물이 개시된다. 상기 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체는 및 (여기서 R은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기이다)으로 표시되는 반복단위를 포함하며, 유기 반사방지막의 식각률을 개선하고, 유기 반사방지막의 형성을 용이하게 하며, 기판과의 접착력을 개선하는 역할을 한다.
유기 반사방지막
摘要翻译：在光刻过程中的图像，这是位于为了吸收曝光光源，用于形成有机防反射膜和含有该材料的有机组合物中的有机聚合物的蚀刻层和光致抗蚀剂膜之间中公开。用于形成有机抗反射层的有机聚合物

4. 发明授权

KR100515485B1 Ｉ-라인 포토레지스트용 유기반사방지막 조성물 失效
标题翻译：有机底层反胶体涂料组合物
公开(公告)号：KR100515485B1
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：KR1020020051209
申请日：2002-08-28
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김재현 , 김덕배 , 강윤호 , 김상정 , 이충봉
IPC分类号： G03F7/004
摘要： 본 발명은 365 nm 파장영역에서 높은 흡광도와 물성을 갖는 하기 화학식 1, 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 I-라인 포토레지스트용 유기반사방지막 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]

[화학식 2]

(여기서, R
1 ∼ R
15 는 각각 독립적으로 또는 동시에 수소원자; 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기; 할로겐원자; 또는 니트로기이고; a, b, c 및 d는 0, 1, 2, 또는 3인 정수이고; P
1 , P
2 , P
3 , 및 P
4 는 각각 독립적으로 또는 동시에 수소원자, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다)

5. 发明公开

KR1020030092666A ＡｒＦ 포토레지스트용 유기 반사방지막 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：有机抗反射涂层用于ARF光刻胶及其制备
公开(公告)号：KR1020030092666A
公开(公告)日：2003-12-06
申请号：KR1020020030404
申请日：2002-05-30
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김재현 , 김덕배 , 강윤호 , 오창일 , 김상정
IPC分类号： G03F7/004
摘要： PURPOSE: Provided is an organic anti-reflection coating composition which forms an under coating to decrease an adverse effect of reflection from a background substrate in a photolithography process using various radiations. CONSTITUTION: The organic anti-reflection coating composition for an ArF photoresist is characterized by comprising the compound of the formula 1 as a light absorbing agent, wherein X is a hydrogen atom or methyl; and at least one of R1-R15 is hydroxy group and the others are independently or simultaneously hydrogen, halogen, nitro group, amino group, a C1-C3 alkyl group optionally having a hydroxy group, a C1-C3 alkoxy group optionally having a carbonyl group, benzene, or a C5-C6 cycloalkyl group.
摘要翻译：目的：提供一种有机抗反射涂层组合物，其在使用各种辐射的光刻工艺中形成底涂层以减少来自背景基板的反射的不利影响。构成：用于ArF光致抗蚀剂的有机抗反射涂层组合物的特征在于包含式1的化合物作为光吸收剂，其中X是氢原子或甲基; 并且R 1 -R 5中的至少一个为羟基，其余为氢，卤素，硝基，氨基，任选具有羟基的C1-C3烷基，任选具有羰基的C1-C3烷氧基基团，苯或C5-C6环烷基。

6. 发明授权

KR101357611B1 에칭률이 우수한 유기 반사방지막 형성용 중합체 및 이를포함하는 조성물 有权
标题翻译：用于形成具有高蚀刻速率的有机抗反射涂层的聚合物及其组合物
公开(公告)号：KR101357611B1
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：KR1020080010378
申请日：2008-01-31
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 한만호 , 김상정 , 노효정 , 김현진 , 김재현
IPC分类号： G03F7/11 , G03C1/825 , G03C1/76
摘要： 에칭률(etch rate)이 우수할 뿐 만 아니라, 고굴절률을 갖는 유기 반사방지막 형성용 중합체 및 이를 포함하는 조성물이 개시된다. 상기 유기 반사방지막 형성용 중합체는 하기 화학식으로 표시되는 반복단위를 포함한다.

상기 화학식에서, R
1 은 수소(H) 또는 메틸기(-CH
3 )이고, R
2 는 S, O 또는 NH 이며, R
3 는 황(S)을 포함하는 헤테로고리기이다.
유기반사방지막, 굴절률, 접착력, 포토리쏘그래피

7. 发明授权

KR101156973B1 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물 有权
标题翻译：用于形成有机抗反射涂层的有机聚合物和包含其的有机组合物
公开(公告)号：KR101156973B1
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020050017250
申请日：2005-03-02
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김상정 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： C08G61/12
CPC分类号： G03F7/091
摘要： 포토리소그래피 공정에서, 노광원을 흡수하기 위하여 피식각층과 포토레지스트막 사이에 위치하는, 유기 반사방지막을 형성하기 위한 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물이 개시된다. 상기 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체는 및 (여기서, R
1 은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기이다.)으로 표시되는 반복단위를 포함하며, 유기 반사방지막의 식각률을 개선하고, 유기 반사방지막의 형성을 용이하게 하며, 기판과의 접착력을 개선하는 역할을 한다.
유기 반사방지막

8. 发明授权

KR101156969B1 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물 有权
标题翻译： 유기반사방지막형성용유기중합체및이를포함하는유기조성물
公开(公告)号：KR101156969B1
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020050017268
申请日：2005-03-02
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김상정 , 김덕배 , 김재현
IPC分类号： C08G61/12 , C08J5/22 , C08F8/00
CPC分类号： G03F7/091
摘要： 포토리소그래피 공정에서, 노광원을 흡수하기 위하여 피식각층과 포토레지스트막 사이에 위치하는 유기 반사방지막을 형성하기 위한 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물이 개시된다. 상기 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체는 및 (여기서 R은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기이다)으로 표시되는 반복단위를 포함하며, 유기 반사방지막의 식각률을 개선하고, 유기 반사방지막의 형성을 용이하게 하며, 기판과의 접착력을 개선하는 역할을 한다.
유기 반사방지막
摘要翻译：公开了一种用于在蚀刻层和光致抗蚀剂层之间形成有机抗反射涂层以在光刻工艺中吸收曝光光的聚合物以及包含该聚合物的组合物。用于形成有机抗反射涂层的聚合物具有由下式表示的重复单元，其中R为C1至C5的取代或未取代的烷基。

9. 发明授权

KR101113149B1 실록산 단량체 및 이를 포함하는 포토레지스트용 중합체 失效
标题翻译：硅氧烷单体和包含其的光致抗蚀剂聚合物
公开(公告)号：KR101113149B1
公开(公告)日：2012-02-13
申请号：KR1020040088029
申请日：2004-11-01
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 김상정 , 김덕배 , 김재현 , 류현수 , 이종찬
IPC分类号： G03F7/075
摘要： 고집적 반도체 소자의 미세회로패턴 형성 공정에 사용되며, 원자외선 영역의 광원을 이용한 리소그래피 공정에 적합한 실록산 단량체 및 이를 포함하는 포토레지스트용 중합체가 개시된다. 상기 포토레지스트용 중합체를 형성하기 위한 실록산 단량체는 하기 화학식으로 표시되며, 상기 포토레지스트용 중합체는 폴리메틸하이드로실록산 및 하기 실록산 단량체를 반응시켜 제조된다.

상기 화학식에서, R은 각각 독립적으로 탄소수 2 내지 8의 알킬기, 탄소수 5 또는 6의 사이클로알킬기, 또는 페닐기이며, n은 0 내지 5의 정수이다.

포토레지스트, 노광

10. 发明公开

KR1020060038858A 에틸렌 옥사이드 단량체 및 이를 포함하는 포토레지스트용 중합체 失效
标题翻译：乙烯氧化物单体和聚合物，包括它们的光电子
公开(公告)号：KR1020060038858A
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：KR1020040088030
申请日：2004-11-01
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 재단법인서울대학교산학협력재단
发明人： 김상정 , 김덕배 , 김재현 , 류현수 , 이종찬
IPC分类号： G03F7/027
摘要： 고집적 반도체 소자의 미세회로패턴 형성 공정에 사용되며, 원자외선 영역의 광원을 이용한 리소그래피 공정에 적합한 에틸렌 옥사이드 단량체 및 이를 포함하는 포토레지스트용 중합체가 개시된다. 상기 포토레지스트용 중합체의 바람직한 예는 하기 화학식으로 표시된다.

상기 화학식에서, POSS는 치환되거나 치환되지 않은 폴리헤드럴올리고실세스퀴옥세인기이고, R
1 은 수소 또는 말단에 하이드록시 작용기를 가지는 탄소수 1 내지 8의 알킬기이고, R
2 는 터셔리부틸, 터셔리부톡시카보닐, 또는 트리메틸실릴이며, a, b, c 및 d는 상기 중합체의 전체 반복단위에 대한, 각 반복단위의 몰%로서, 각각 독립적으로 0.1 내지 99.7몰%이다.

에틸렌 옥사이드, 포토레지스트, 단량체, 원자외선, 노광.

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