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1. 发明授权

KR100801402B1 반도체 기판의 화학 기계 연마 방법 및 화학 기계 연마용수계 분산체 失效
标题翻译：半导体基板和化学机械抛光水分散体的化学机械抛光工艺
公开(公告)号：KR100801402B1
公开(公告)日：2008-02-05
申请号：KR1020030004696
申请日：2003-01-24
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 곤노,도모히사 , 모또나리,마사유끼 , 하또리,마사유끼 , 가와하시,노부오
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3212
摘要： 본 발명의 목적은 반도체 장치의 제조 공정에서, 배선 패턴이 설치된 웨이퍼를 화학 기계 연마할 때, 배선간, 다층 배선의 경우에는 층간 등에 저유전율의 절연막이 형성되어 있는 경우에 특히 유용한 화학 기계 연마 방법 및 여기에 사용할 수 있는 화학 기계 연마용 수계 분산체를 제공하는 데에 있다. 본 발명의 반도체 기판의 화학 기계 연마 방법은 지립 및 복소환을 갖는 폴리카르복실산 및 그의 무수물로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 함유하는 화학 기계 연마용 수계 분산체와 연마 패드를 사용하여, 이 연마 패드를 고정하는 정반의 회전수를 50 내지 200 rpm, 가압 헤드에 고정되는 반도체 기판의 이 연마 패드에 대한 압착 압력을 700 내지 18,000 Pa로 하는 조건에서 반도체 기판의 피연마면을 연마하는 것이다.
반도체 기판, 화학 기계 연마, 수계 분산체, 정반 회전수, 가압 헤드
摘要翻译：本发明的目的是提供一种半导体衬底的化学机械抛光方法，该方法特别适用于化学机械抛光，具有布线图案的晶片和具有低介电常数的绝缘层形成在布线图案，中间层在制造半导体器件的过程中的多层布线等的情况以及用于该工艺的化学机械抛光用水性分散体。本发明的半导体基板的化学机械研磨方法是在将抛光垫固定在50〜200rpm的范围内的研磨台的旋转速度的条件下对半导体基板的被研磨面进行研磨，通过使用包含研磨剂和选自多元羧酸的至少一种化合物的化合物机械抛光用水性分散体，将固定在研磨头上的研磨头的半导体衬底的压力压在700至18,000Pa的范围内的抛光垫具有杂环和酸酐，以及抛光垫。

2. 发明授权

KR100621958B1 화학 기계 연마제 키트 및 이를 사용한 화학 기계 연마방법 有权
标题翻译：化学机械抛光剂试剂盒及其化学机械抛光方法
公开(公告)号：KR100621958B1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020040033363
申请日：2004-05-12
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 시다,히로다까 , 고노,도모히사 , 하또리,마사유끼 , 가와하시,노부오
IPC分类号： B24D3/20 , C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/3212
摘要： 본 발명의 화학 기계 연마 방법은 지립(abrasive grain)을 함유하는 화학 기계 연마용 수계 분산체 (A)를 사용하여 연마한 후, 상기 화학 기계 연마용 수계 분산체 (A)에 더하여 1종 이상의 복소환 함유 유기 화합물을 함유하는 화학 기계 연마용 수계 조성물 (B)를 병용하여 화학 기계 연마하는 방법이다. 또한, 본 발명의 화학 기계 연마제 키트는 화학 기계 연마용 수계 분산체 (A)와 화학 기계 연마용 수계 조성물 (B)로 이루어진다. 본 발명에 의하면 디싱(dishing)의 확대 및 배선부의 부식을 방지하여 수율을 향상시킬 수 있다.
화학 기계 연마, 지립, 복소환 함유 유기 화합물, 디싱.

3. 发明授权

KR100605066B1 기상법 무기 산화물 입자의 함수 고체상 물질, 연마용슬러리 및 반도체 장치의 제조 방법 失效
标题翻译：气相加工的无机氧化物颗粒和用于抛光的浆料的固体物质和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR100605066B1
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1020000001943
申请日：2000-01-17
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 야노,히로유끼 , 하야사까,노부오 , 오꾸무라,가쯔야 , 이오,아끼라 , 하또리,마사유끼 , 구보따,기요노부
IPC分类号： C09K3/14 , B82B3/00
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463
摘要： 본 발명은, 열분해법(fumed process)(고온 화염 가수 분해법) 또는 나노페이스 테크놀로지사법(Nano-phase Technology's process)(금속 증발 산화법)등의 기상법으로 합성한 무기 산화물 입자 100 중량부에 물 40 내지 300 중량부를 가하여 수득된 함수 고체상 물질, 상기 함수 고체상 물질을 사용하여 제조된 반도체 장치 연마용 슬러리 및 상기 연마용 슬러리를 사용하여 반도체 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 함수 고체상 물질은 그 부피 밀도가 0.3 내지 3 g/㎤의 범위에 있고, 입상이 된 경우에는 그 평균 입경이 0.5 내지 100 mmψ의 범위에 있다. 이와 같이 조정되기 때문에 보관이나 수송에 적합하다. 또한, 반도체 장치 연마용 슬러리를 제조 할 때에 분진 등이 날려 청정실내의 청정도를 저하시키지 않는다. 상기 연마용 슬러리는 상기 함수 고체상 물질로 제조되며, 물에 분산된 후의 입자의 평균 입경이 0.05 내지 1.0 ㎛의 범위이다. 안정성이 높고, 보관시에 증점되거나 겔화되지 않는다. 또한, 상기와 같이 제조되기 때문에, 원료인 기상법 무기 산화물 입자가 분진으로서 날아다니는 일이 없고, 클린룸 등에 설비된 경우에도 그 청정도에 악영향을 미치는 것이 방지된다.
함수 고체상 물질, 열분해법, 나노페이스 테크놀로지사법, 연마용 슬러리

4. 发明授权

KR100737202B1 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 화학 기계 연마 방법 有权
标题翻译：化学机械抛光水性分散体和化学机械抛光方法
公开(公告)号：KR100737202B1
公开(公告)日：2007-07-10
申请号：KR1020050063511
申请日：2005-07-14
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 이께다,노리히꼬 , 니시모또,가즈오 , 하또리,마사유끼 , 가와하시,노부오
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02
摘要： 본 발명에 따른 화학 기계 연마용 수계 분산체는, 세리아를 함유하는 지립을 1.5 질량％ 이하의 농도로 함유하는 수계 분산체이며, 상기 지립의 평균 분산 입경이 1.0 ㎛ 이상인 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 화학 기계 연마 방법은, 상기한 화학 기계 연마용 수계 분산체를 사용하여 절연막을 연마하는 것을 특징으로 한다. 상기 화학 기계 연마용 수계 분산체를 사용함으로써, 연마 속도를 저하시키지 않고, 연마 흠집의 발생을 억제할 수 있다.
화학 기계 연마용 수계 분산체, 세리아, 지립

5. 发明公开

KR1020050076752A 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 화학 기계 연마 방법 无效
标题翻译：化学机械抛光水溶液和化学机械抛光方法
公开(公告)号：KR1020050076752A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：KR1020050005690
申请日：2005-01-21
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 이께다,노리히꼬 , 니시모또,가즈오 , 하또리,마사유끼 , 가와하시,노부오
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053
摘要： 본 발명은 산화세륨을 포함하는 지립 (砥粒) (A), 수용성 음이온성 중합체 (B) 및 양이온성 계면활성제 (C)를 함유하고, 상기 수용성 음이온성 중합체 (B)의 함유량이 상기 산화세륨을 포함하는 지립 (A) 100 질량부 당 60 내지 600 질량부이며, 상기 양이온성 계면활성제 (C)의 함유량이 화학 기계 연마용 수계 분산체 총량을 기준으로 하여 0.1 내지 100 ppm인 것을 특징으로 하는 화학 기계 연마용 수계 분산체를 제공한다.

6. 发明授权

KR100447551B1 복합 입자 및 그의 제조 방법, 수계 분산체, 화학 기계연마용 수계 분산체 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译： 복합입자및그의제조방법，수계분산체，화학기계연마용수계분산체조성물및반도체장치의제조방법
公开(公告)号：KR100447551B1
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：KR1020000001945
申请日：2000-01-17
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 야노,히로유끼 , 미나미하바,가꾸 , 마쯔이,유끼떼루 , 오꾸무라,가쯔야 , 모또나리,마사유끼 , 하또리,마사유끼 , 이오,아끼라
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463 , C08G83/001 , C08J3/128 , C08K3/36 , C08K5/057 , C08K2201/013 , C09G1/02 , C09K3/1436 , H01L21/02024 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： The present invention provides composite particles with sufficient strength and hardness and excellent heat resistance, a production process thereof, an aqueous dispersion containing the composite particles, a CMP slurry which is suitable for manufacture of semiconductor devices, and a process for manufacture of semiconductor devices that employs it. The composite particles are prepared by bonding a silane coupling agent and the like, to divinylbenzene polymer particles and then reacting a specific metal alkoxide, colloidal metal oxide and colloidal silica therewith to form a metal compound section and the like, consisting of a metalloxane bond-containing section or metal oxide particle section on at least one of the interior and surface of the polymer particles. The metal compound section, and the like. can also be formed without using a silane coupling agent. The metalloxane bond-containing section, metal oxide particle section and the like, are preferably bonded by chemical bonding and/or non-chemical bonding to the polymer particles via a silane coupling agent and the like, or directly, but they may also be sequestered without bonding. CMP slurries containing these particles can be advantageously utilized for manufacture of various semiconductor devices, and particularly for polishing of wafer surfaces.
摘要翻译：本发明提供具有足够的强度和硬度以及优异的耐热性的复合颗粒，其制造方法，含有该复合颗粒的水分散体，适用于制造半导体器件的CMP浆料以及制造半导体器件的方法，使用它。通过将硅烷偶联剂等键合到二乙烯基苯聚合物颗粒上，然后使特定的金属醇盐，胶态金属氧化物和胶体二氧化硅与其反应以形成金属化合物部分等，所述金属化合物部分由类似于金属氧烷键在聚合物颗粒的内部和表面中的至少一个上具有含氧化合物部分或金属氧化物颗粒部分。金属化合物部分等。也可以不使用硅烷偶联剂而形成。含有金属氧烷键的部分，金属氧化物粒子部分等优选通过化学键合和/或非化学键合经由硅烷偶联剂等或直接键合至聚合物粒子，但它们也可以隔离没有结合。包含这些颗粒的CMP浆料可以有利地用于制造各种半导体器件，特别是用于晶片表面的抛光。

7. 发明公开

KR1020030035951A 화학 기계 연마용 창 부재 및 연마 패드 无效
标题翻译：用于化学机械抛光和抛光垫的窗材料
公开(公告)号：KR1020030035951A
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020020065423
申请日：2002-10-25
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 곤노,도모히사 , 모도나리,마사유끼 , 하또리,마사유끼 , 하세가와,고우 , 가와하시,노부오
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/205
摘要： PURPOSE: To provide a window material for chemical mechanical polishing and a polishing pad superior in antifouling, transparent and abrasion property and capable of easily performing polishing end detection of the surface of a semiconductor wafer by transmitting end detection light in polishing of the semiconductor wafer using an optical end detection device. CONSTITUTION: The window material 12 for the chemical mechanical polishing is provided with at least a partially transparent base substance part (polyurethane resin or the like) 12a and antifouling resin layer 12b formed on at least one face of the base substance part. The antifouling resin layer is preferably a fluorine-based polymer having a polysiloxane segment in a main chain. The polishing pad 1 is fitted to the inside of a through hole of a base substance for the polishing pad (polyurethane resin or the like, disk-like or belt shape or the like) 11 provided with the through hole which the window material 12 penetrates from obverse to reverse or adhered to the base substance for the polishing pad so as to cover the bottom face of the through hole.
摘要翻译：目的：提供化学机械抛光用窗材料和防污性，透明性和耐磨性优异的抛光垫，能够通过在半导体晶片的研磨中发送末端检测光，容易地进行半导体晶片表面的抛光末端检测光端检测装置。构成：用于化学机械抛光的窗口材料12设置有至少部分透明的基础物质部分（聚氨酯树脂等）12a和形成在基体物质部分的至少一个面上的防污树脂层12b。防污树脂层优选为在主链中具有聚硅氧烷链段的氟系聚合物。抛光垫1装配到用于抛光垫的基体的通孔的内部（具有通孔的聚氨酯树脂等，盘状或带状等）11，窗口材料12穿透从正面反向或粘附到用于抛光垫的基础物质，以覆盖通孔的底面。

8. 发明公开

KR1020010106264A 화학 기계 연마용 수계 분산체 有权
标题翻译：用于化学机械抛光的水分散体
公开(公告)号：KR1020010106264A
公开(公告)日：2001-11-29
申请号：KR1020010026972
申请日：2001-05-17
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 하또리,마사유끼 , 기시모또,히또시 , 가와하시,노부오
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명의 목적은 반도체 장치의 피가공막 등을 충분한 속도로 연마할 수가 있으며, 특히 미세화 소자 분리 공정에서 유용한 화학 기계 연마용 수계 분산체를 제공하는 것이다. 본 발명의 화학 기계 연마용 수계 분산체는 실리카, 세리아 등의 무기 연마제와 카르복실기, 히드록실기, 황산 에스테르기, 술폰산기 등의 음이온기를 갖는 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌 등으로 이루어지는 유기 입자를 함유하여 산화 규소막의 연마 속도가 질화 규소막 연마 속도의 5배 이상, 특히 10배 이상인 화학 기계 연마용 수계 분산체를 얻는다. 이 수계 분산체에는 도데실벤젠술폰산칼륨, 폴리아크릴산칼륨염, 폴리이소프렌술폰산칼륨염 등을 함유시킬 수도 있다. 또한, 에틸렌디아민, 에탄올아민 등의 유기염기, 암모니아, 수산화 칼륨 등의 무기 염기로 pH를 조정함으로써 분산성, 연마 속도 및 선택성을 보다 향상시킬 수도 있다.

9. 发明公开

KR1020010039817A 화학 기계 연마용 수계 분산체 失效
标题翻译：用于化学和机械抛光的水基分散材料
公开(公告)号：KR1020010039817A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1020000047368
申请日：2000-08-17
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 모또나리,마사유끼 , 하또리,마사유끼 , 가와하시,노부오
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212 , Y10S134/902
摘要： PURPOSE: Provided is a water based-dispersing material for chemical and mechanical polishing, which is capable of polishing copper or the like at a high speed without making scratches on the surface to be polished. CONSTITUTION: The water based-dispersing material contains polymer particles and water, wherein the polymer particles have crosslinked structure and functional groups capable of being reacted with the metal surface to be polished and forming cations. Also, the polymer particles are produced by using a polymerization initiator having the functional groups, wherein the functional groups are amino, pyridyl, and/or acrylamide.
摘要翻译：目的：提供用于化学和机械抛光的水基分散材料，其能够高速抛光铜等，而不会在要抛光的表面上产生划痕。构成：水基分散材料含有聚合物颗粒和水，其中聚合物颗粒具有交联结构和能够与要抛光的金属表面反应并形成阳离子的官能团。而且，通过使用具有官能团的聚合引发剂制备聚合物颗粒，其中官能团是氨基，吡啶基和/或丙烯酰胺。

10. 发明公开

KR1020000053505A 복합 입자 및 그의 제조 방법, 수계 분산체, 화학 기계연마용 수계 분산체 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：复合颗粒及其制备方法，水分散度，化学机械抛光的水分散度和制备半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020000053505A
公开(公告)日：2000-08-25
申请号：KR1020000001945
申请日：2000-01-17
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 야노,히로유끼 , 미나미하바,가꾸 , 마쯔이,유끼떼루 , 오꾸무라,가쯔야 , 모또나리,마사유끼 , 하또리,마사유끼 , 이오,아끼라
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463 , C08G83/001 , C08J3/128 , C08K3/36 , C08K5/057 , C08K2201/013 , C09G1/02 , C09K3/1436 , H01L21/02024 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: A complex particle which has enough strength and hardness and shows excellent heat-resistance and a method for preparing thereof, an aqueous dispersion, an aqueous dispersion composition for chemical mechanical polishing and a method for preparing a semiconductor device from the aqueous dispersion composition for chemical mechanical polishing are provided. CONSTITUTION: A complex particle comprises a polymer particle and at least one part selected from a metallic compound part which is directly or indirectly formed on the polymer particle and is either a metalloxane bond containing part(where titanium is excluded) or a metallic oxide particle part and a silica particle part. The method for preparing the complex particle comprises steps of: (i) chemically bonding one portion of a compound for connection to the polymer particle; and either (ii-1) chemically bonding the other portion of a compound for connection to the compound (I) of RnM(OR¬')z-n, where R is C1-8 organic group, R¬' is C1-5 alkyl group, C2-6 acyl group or C6-9 aryl group, M is one selected from the group consisting of Al, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ge, Zr, Nb, Mo, Sn, Sb, Ta, W, Pb and Ce, z is a valence of M, n is an integer of 0-(z-1) and if n is 2 or more, then R is same or different and if (z-n) is 2 or more, R¬' is same or different, or chemically bonding the other portion of a compound for connection to the compound (I) and polycondensing it at the same time or (ii-2) chemically bonding the other portion of a compound for connection to the compound (2) which is selected at least one from the group consisting of colloidal alumina, colloidal titania, colloidal zirconia, colloidal ceria and colloidal silica. The aqueous dispersion comprises: (i) the complex particle having a polymer particle and at least one part selected from a metallic compound part which is directly or indirectly formed on the polymer particle and is either a metalloxane bond containing part(where titanium is excluded) or a metallic oxide particle part and a silica particle part; and (ii) water. The aqueous dispersion composition for chemical mechanical polishing comprises: (i) the complex particle having a polymer particle and at least one part selected from a silicone compound part which is directly or indirectly formed on the polymer particle or a metallic oxide particle part; and (ii) water. The semiconductor device is prepared by using The aqueous dispersion composition for chemical mechanical polishing.
摘要翻译：目的：具有足够的强度和硬度并且显示出优异的耐热性的复合颗粒及其制备方法，水性分散体，用于化学机械抛光的水分散体组合物和由水性分散组合物制备半导体器件的方法提供化学机械抛光。构成：复合粒子包含聚合物粒子和至少一部分选自在聚合物粒子上直接或间接形成的金属化合物部分，并且是含有金属氧化物键的部分（其中除去钛）或金属氧化物粒子部分和二氧化硅颗粒部分。制备复合颗粒的方法包括以下步骤：（i）化学键合用于与聚合物颗粒连接的化合物的一部分; 和（ii-1）化学键合化合物的另一部分用于与RnM（OR'）zn的化合物（I）连接，其中R是C 1-8有机基团，R 1'是C 1-5烷基，C2-6酰基或C6-9芳基，M是选自Al，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ge，Zr，Nb，Mo，Sn， Sb，Ta，W，Pb和Ce，z是M的化合价，n是0-（z-1）的整数，如果n是2以上，则R相同或不同，如果（zn）为2 或更多的R“相同或不同，或化学键合化合物的另一部分以连接到化合物（I）并同时缩聚，或（ii-2）化学键合化合物的另一部分，与选自胶体氧化铝，胶体二氧化钛，胶体氧化锆，胶体二氧化铈和胶体二氧化硅中的至少一种的化合物（2）的连接。水分散体包括：（i）复合颗粒具有聚合物颗粒和至少一部分选自在聚合物颗粒上直接或间接形成的金属化合物部分，并且是含有金属氧化物的部分（其中不包括钛）或金属氧化物颗粒部分和二氧化硅颗粒部分; 和（ii）水。用于化学机械抛光的水性分散组合物包括：（i）具有聚合物颗粒和至少一部分选自直接或间接形成在聚合物颗粒上的硅氧烷化合物部分或金属氧化物颗粒部分的复合颗粒; 和（ii）水。通过使用化学机械抛光用水分散体组合物制备半导体器件。

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