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    • 5. 发明授权
    • 감방사선성 수지 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
    • 辐射敏感性树脂组合物和抗蚀剂图案形成方法
    • KR101701523B1
    • 2017-02-01
    • KR1020117005739
    • 2009-09-10
    • 제이에스알 가부시끼가이샤
    • 니시무라,유키오마츠다,야스히코나카가와,히로키후지사와,도모히사하마,유카리가사하라,가즈키
    • G03F7/004H01L21/027
    • G03F7/0397G03F7/0046G03F7/2041
    • 본발명의목적은, 얻어지는패턴형상이양호하고, 감도, 해상도, LWR, 현상결함, 패턴붕괴내성등의레지스트기본성능이우수하고, 액침노광시에워터마크결함및 버블결함을억제할수 있는충분한레지스트막표면의발수성을발현하는감방사선성수지조성물및 그것을사용한레지스트패턴형성방법을제공하는것이다. 본발명의수지조성물은, 산의작용에의해알칼리가용성이되는반복단위를포함하며, 불소원자를함유하는반복단위를포함하지않는수지 (A)와, 감방사선성산 발생제 (B)와, 산의작용에의해알칼리가용성이되는반복단위및 불소원자를함유하는반복단위를포함하는불소함유수지 (C)와, 락톤화합물 (D)를함유하고, 락톤화합물 (D)의함유량이수지 (A)를 100 질량부로한 경우 31 내지 200 질량부이다.
    • 辐射敏感性树脂组合物包括(A)包含由酸形成碱溶性但不包含含氟重复单元的重复单元的树脂,(B)光酸产生剂,(C)氟 含有由于酸而成为碱溶性的重复单元和含氟重复单元的树脂,(D)内酯化合物,所述组合物中的内酯化合物(D)的含量为31〜200 相对于树脂(A)100质量份,为质量份。 抗蚀剂图案形成方法利用辐射敏感性树脂组合物。 辐射敏感性树脂组合物产生优异的图案形状,显示出优异的基础抗蚀剂性能(例如,灵敏度,分辨率,LWR,显影缺陷电阻和图案抗塌陷性),并且产生具有足够防水表面的抗蚀剂膜,其抑制 液浸光刻过程中的水印缺陷和气泡缺陷。
    • 8. 发明公开
    • 감방사선성 조성물 및 패턴 형성 방법
    • 辐射敏感组合物和图案形成方法
    • KR1020170098173A
    • 2017-08-29
    • KR1020170020292
    • 2017-02-15
    • 제이에스알 가부시끼가이샤
    • 가사하라,가즈키
    • G03F7/038G03F7/004
    • G03F7/0043B32B5/16G03F7/0045G03F7/162G03F7/168G03F7/2004G03F7/2037G03F7/322G03F7/38
    • 해상도가우수한패턴을고감도로형성할수 있는감방사선성조성물및 패턴형성방법의제공을목적으로한다. 본발명의감방사선성조성물은, 금속산화물을주성분으로하는입자와, 감방사선성산 발생체와, 유기용매를함유하고, 상기금속산화물을구성하는금속원자가, 아연, 붕소, 알루미늄, 갈륨, 탈륨, 게르마늄, 안티몬, 비스무트, 텔루륨또는이들의조합인제1 금속원자를포함하고, 상기감방사선성산 발생체로부터발생하는산의반데르발스부피가 2.0×10㎥이상이고, 또한조성물중의전체금속원자에대한상기제1 금속원자의함유율이 50원자% 이상이다. 본발명의패턴형성방법은, 기판에상술한당해감방사선성조성물을도공함으로서막을형성하는공정과, 상기막을노광하는공정과, 상기노광된막을현상하는공정을구비한다.
    • 并且提供能够以高分辨率和高灵敏度形成图案的辐射敏感组合物和图案形成方法。 本发明的放射线敏感性组合物,主要由金属氧化物构成的粒子,辐射城山发生体和含有有机溶剂,并构成金属氧化物,锌,硼,铝,镓,铊的金属原子, 和锗,锑,铋,碲,或该酸的范德华体积包括从所述放射线产生城山2.0×至少10㎥的重新开始的第一金属原子,并产生体的组合,还以在组合物中的所有金属原子 第一金属原子的含量为50原子%以上。 图案形成在本发明的方法,通过涂布上述到基底上的辐射敏感组合物技术中,并暴露在成膜的膜的工序,和显影所述曝光的膜的步骤。
    • 10. 发明公开
    • 레지스트 하층막 형성용 폴리실록산 조성물 및 패턴 형성 방법
    • 用于形成下层膜的多晶硅组合物和图案形成方法
    • KR1020160004200A
    • 2016-01-12
    • KR1020150092020
    • 2015-06-29
    • 제이에스알 가부시끼가이샤
    • 세코,도모아키가사하라,가즈키세리자와,류이치데이,사토시
    • G03F7/09C09D183/04C08L83/04
    • [과제] 다층레지스트프로세스에있어서, 레지스트하층막에있어서의결함의발생을억제할수 있는레지스트하층막형성용폴리실록산조성물및 이레지스트하층막형성용폴리실록산조성물을사용하는패턴형성방법의제공을목적으로한다. [해결수단] 본발명은, 폴리실록산및 산발생제를함유하는레지스트하층막형성용폴리실록산조성물이며, 상기산 발생제가오늄양이온및 산음이온을포함하고, 상기오늄양이온이지환구조, 지방족복소환구조, 쇄상치환기를갖는방향환구조또는이들의조합을포함하는것을특징으로한다. 상기오늄양이온이지환구조, 지방족복소환구조또는이들의조합을포함하면좋다. 상기산 음이온을구성하는원자의원자량의합으로서는 350 이하가바람직하다.
    • 本发明涉及用于形成抗蚀剂下层膜的聚硅氧烷组合物,其能够防止在多层抗蚀剂工艺中的抗蚀剂下层膜的缺陷。 本发明还涉及使用聚硅氧烷组合物形成抗蚀剂下层膜的图案形成方法。 本发明的聚硅氧烷组合物包含聚硅氧烷和酸产生剂,其中酸产生剂包括鎓阳离子和酸性阴离子,鎓阳离子包括取代的结构,脂族杂环结构,具有链取代基的芳环结构,或 结构的组合。 鎓阳离子有利于包含取代的结构,脂族杂环结构或结构的组合,并且构成酸性阴离子的原子的总原子量希望小于或等于350。