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1. 发明申请

WO2013187541A1 적어도 하나의 표면의 일부 또는 전부가 편평한 기재 및 이의 용도 审中-公开
标题翻译：具有至少一个部分或完整平面的基材及其使用
公开(公告)号：WO2013187541A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/KR2012/004724
申请日：2012-06-15
申请人： 인텔렉추얼 디스커버리 주식회사 , 윤경병 , 팜카오탄툼 , 김현성
发明人： 윤경병 , 팜카오탄툼 , 김현성
IPC分类号： B01D69/12 , B01D71/00 , C01B39/02 , C01B39/36
CPC分类号： C01B39/02 , B01D69/10 , C01B39/36
摘要： 본 발명은 제1 기재 형성 입자들로 성형된 기재; 상기 기재의 적어도 하나의 표면 상에 있는 제1 기재 형성 입자들에 의해 형성된 제1 공극들의 일부 또는 전부를 메우기 위해 충진된 제2 기재 형성 입자들; 제2 기재 형성 입자들이 충진된 부위에 남아있는 제2 공극들의 일부 또는 전부를 메우기 위해 충진된 고분자;를 포함하는 것이 특징인 적어도 하나의 표면의 일부 또는 전부가 편평한 기재를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 본 발명에 따른 기재의 적어도 하나의 표면 중 편평한 부분에, a축, b축 및 c축 중 하나 이상 또는 모두가 일정한 규칙에 따라 배향되도록 비구형 종자 결정들을 정렬시키는 단계; 및 종자 결정들을 성장시키는 용액에 상기 정렬된 종자 결정들을 노출시켜 2차 성장법을 이용하여, 상기 종자 결정들로부터 막을 형성 및 성장시키는 제2단계를 포함하여, 박막 또는 후막을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 기재를 사용하여 형성된 막은 고성능의 분자분리막으로 사용가능하다.
摘要翻译：本发明提供了一种基材，其至少一个表面部分或全部是平坦的，其中该基材的特征在于包括：由第一基材形成颗粒成型的基材; 第二基材形成颗粒部分或全部填充到由所述基板的至少一个表面上的第一基板形成颗粒形成的第一孔中; 以及部分或全部填充到残留在其中填充有第二基材形成颗粒的区域中的第二孔中的聚合物。此外，本发明提供了制备薄膜或厚膜的方法，包括以下步骤：将非球形晶种对准在根据本发明的基板的至少一个表面的平坦部分上，使得 a轴，b轴和/或c轴根据一定的规律取向; 并将对准的晶种暴露于溶液中以使种晶生长，从而使用二次生长技术从晶种形成和生长膜。使用本发明的基板形成的膜可以用作高分子分离膜。

2. 发明申请

WO2013187542A1 실리카라이트-1 또는 제올라이트 베타 종자 결정들의 표면으로부터 2차 성장만을 유도하는 결정 성장 합성젤 审中-公开
标题翻译：用于晶体生长的合成凝胶仅在硅酸盐-1或沸石BET表面晶体的表面仅产生二次生长
公开(公告)号：WO2013187542A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/KR2012/004726
申请日：2012-06-15
申请人： 인텔렉추얼 디스커버리 주식회사 , 윤경병 , 팜카오탄툼 , 김현성
发明人： 윤경병 , 팜카오탄툼 , 김현성
IPC分类号： C07F7/10 , B01J2/08 , C07B61/00
CPC分类号： C01B39/48
摘要： 본 발명은 실리카라이트-1(SL) 또는 제올라이트 베타(BEA) 종자 결정들의 표면으로부터 2차 성장만을 유도하고 결정 성장 합성젤 중 또는 종자 결정 표면에서 결정 핵 생성반응(crystal nucleation)을 유도하지는 못하는 결정 성장 합성젤을 제공한다. 상기 합성젤은 흄드 실리카(fumed silica), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(tetraethylammonium hydroxide, TEAOH), [(NH 4 ) 2 SiF 6 ], KOH, 및 H 2 O을 함유하거나, 테트라에틸오르쏘실리케이트(Tetraethylorthosilicate, TEOS), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(tetraethylammonium hydroxide, TEAOH, 불화수소(hydrogen fluoride) 및 H 2 O 을 함유한다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于晶体生长的合成凝胶，其仅从硅沸石-1或沸石β晶种的表面仅诱导二次生长，并且不能在用于晶体生长的合成凝胶或晶种表面上诱导晶体成核。合成凝胶含有热解二氧化硅，四乙基氢氧化铵（TEAOH），[（NH4）2SiF6]，KOH和H2O，或含有原硅酸四乙酯（TEOS），四乙基氢氧化铵（TEAOH），氟化氢和H 2 O.

3. 发明申请

WO2010117228A2 정렬된 미립자가 인쇄된 인쇄물을 제조하는 방법 审中-公开
标题翻译：通过校准和打印精细颗粒制造印刷产品的方法
公开(公告)号：WO2010117228A2
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/KR2010/002180
申请日：2010-04-09
申请人： 서강대학교산학협력단 , 윤경병 , 웬웬칸 , 팜카오탄툼
发明人： 윤경병 , 웬웬칸 , 팜카오탄툼
IPC分类号： B82B3/00
CPC分类号： B81C1/00373 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B5/00 , C30B29/60 , G03F7/0002 , Y10T156/10 , Y10T428/24851 , Y10T428/24876 , Y10T428/24893 , Y10T428/25
摘要： 본 발명은 1개 또는 2개 이상의 미립자의 위치 및/또는 배향을 고정시킬 수 있는 제1 음각 또는 제1 양각이 표면에 형성된 주형 기재(template)를 준비하는 제1 단계; 상기 주형 기재 상에 2이상의 다수의 미립자를 올린 후 물리적 압력에 의해 미립자 일부 또는 전부를 제1음각 또는 제1양각에 의해 형성된 공극(孔隙)에 삽입시켜 미립자를 주형 기재 상에 정렬시키는 제2 단계; 및 미립자가 정렬되어 있는 주형 기재와 피인쇄체를 접촉시켜 상기 미립자를 피인쇄체 상에 전사시키는 제3 단계를 포함하는 미립자가 인쇄된 인쇄물을 제조하는 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 적어도 표면 일부가 점착성을 띠는 주형 기재를 준비하는 제1 단계; 상기 주형 기재 상에 2이상의 다수의 미립자들을 올린 후 물리적 압력에 의해 상기 주형 기재 중 점착성을 띠는 표면 상에 미립자들을 정렬시키는 제2 단계; 및 미립자가 정렬되어 있는 주형 기재와 피인쇄체를 접촉시켜 상기 미립자를 피인쇄체 상에 전사시키는 제3 단계를 포함하는 미립자가 인쇄된 인쇄물을 제조하는 방법을 제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种通过对准和印刷细颗粒来制造印刷产品的方法，包括：第一步骤，通过第一雕刻或第一压花来制备模板的表面，所述第一雕刻或第一压印能够固定一个的位置和/ 两个或更多个细颗粒; 将多个细颗粒放置在模板上的第二步骤，并且通过物理压力将一些或全部微细颗粒插入通过第一次雕刻或压花形成的孔中，以将细颗粒布置在模板上; 以及第三步骤，通过使微粒被布置成与被印刷物接触的模板，将微粒转移到待印刷对象物上。本发明还提供一种制造印刷品的方法，包括：制备其表面的至少一部分是粘性的模板的第一步骤; 将多个细颗粒放置在模板上，并通过物理压力将微粒排列在模板的粘性表面上的第二步骤; 以及第三步骤，通过使微粒被布置成与被印刷物接触的模板，将微粒转移到待印刷对象物上。

4. 发明申请

WO2012033347A2 기재상에 3개의 결정축 배향이 모두 정렬된 종자 결정들을 2차 성장시켜 형성된 막 审中-公开
标题翻译：通过二次生长形成的晶片在具有基板上的三个晶体轴的晶体
公开(公告)号：WO2012033347A2
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：PCT/KR2011/006629
申请日：2011-09-07
申请人： 서강대학교산학협력단 , 윤경병 , 팜카오탄툼
发明人： 윤경병 , 팜카오탄툼
IPC分类号： C01B39/48 , C01B39/38 , B01D71/02 , B01D69/12
CPC分类号： C30B19/12 , B01D67/0051 , B01D69/10 , B01D71/028 , B01D2323/24 , C01B37/02 , C01B39/00 , C01B39/38 , C01B39/40 , C30B7/005 , C30B29/60 , Y10T428/24273 , Y10T428/24744
摘要： 본 발명은 기재 상에 각 비구형 종자 결정(non-spherical seed crystal)의 결정축 a축, b축 및 c축 모두가 일정한 규칙에 따라 배향되도록 정렬된 비구형 종자 결정들을 수득하는 제1단계; 및 종자 결정들을 성장시키는 용액에 상기 a축, b축 및 c축 배향이 모두 정렬된 종자 결정들을 노출시켜 2차 성장법을 이용하여, 상기 종자 결정들로부터 막을 형성 및 성장시키는 제2단계 를 포함하여, 박막(film) 또는 후막을 제조하는 방법; 및 상기 방법에 의해 제조된 막을 제공한다. 본 발명에 따른 제조방법에 의해서, 종자 결정 보다 큰 크기의 결정 또는 막을 제조할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种制备薄膜或厚膜的方法及其制备方法，所述方法包括：获得非球形晶种的第一步骤，其各自的晶轴即a轴，b轴和c轴均按照一定的规律定向在基板上; 以及第二步骤，通过使种子晶体全部晶体取向的晶体（a轴，b轴和c轴）暴露于二次生长技术，从晶种形成和生长，晶体生长溶液。根据本发明，可以制备比晶种大的晶体或膜。

5. 发明申请

WO2010117229A3 물리적 압력에 의해 미립자를 기재 상에 배치시키는 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2010117229A3
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：PCT/KR2010/002181
申请日：2010-04-09
申请人： 서강대학교산학협력단 , 윤경병 , 웬웬칸 , 팜카오탄툼
发明人： 윤경병 , 웬웬칸 , 팜카오탄툼
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 본 발명은 1개 또는 2개 이상의 미립자의 위치 및/또는 배향을 고정시킬 수 있는 제1 음각 또는 제1 양각이 표면에 형성된 제1 기재를 준비하는 제1 단계; 및 상기 제1 기재 상에, 다수의 미립자를 올린 후 물리적 압력에 의해 미립자 일부 또는 전부를 제1음각 또는 제1양각에 의해 형성된 공극(孔隙)에 삽입시키는 제2 단계를 포함하여, 미립자를 기재 상에 배치시키는 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 적어도 표면 일부가 점착성을 띠는 제1 기재를 준비하는 제1 단계; 및 평편한 면(flat facet) 없이 연속적인 곡면으로만 형상이 이루어진 2이상의 다수의 미립자들을 상기 제1 기재 중 점착성을 띠는 표면 상에 올린 후 물리적 압력에 의해 제1 기재 상에 정렬시키는 제2 단계를 포함하여, 미립자를 기재 상에 배치시키는 방법을 제공한다.

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