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1. 发明申请

WO2013028000A2 고전류 구동용 발광 소자 审中-公开
标题翻译：用于高电流驱动的发光元件
公开(公告)号：WO2013028000A2
公开(公告)日：2013-02-28
申请号：PCT/KR2012/006648
申请日：2012-08-22
申请人： 서울옵토디바이스(주) , 예경희 , 갈대성 , 남기범
发明人： 예경희 , 갈대성 , 남기범
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/504 , F21K9/237 , F21K9/64 , F21V29/89 , F21Y2101/00 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , G02B5/283 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L33/0004 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H05B33/0857 , H01L2924/00
摘要： 고전류 구동용 발광 소자가 개시된다. 이 발광 소자는，자외선을 방출하는 발광 다이오드 칩과 발광 다이오드 칩에서 방출된 자외선을 가시광으로 파장변환시키는 파장변환층을 포함하고, 발광 다이오드 칩은 150 A/cm 2 이상의 전류 밀도에서 구동된다.
摘要翻译：公开了一种用于高电流驱动的发光元件。发光元件包括：发射紫外光的发光二极管芯片; 以及波长转换层，其将从发光二极管芯片发射的紫外光的波长转换成可见光。以至少150A / cm 2的电流密度驱动发光二极管芯片。

2. 发明公开

KR1020120068795A 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스 有权
标题翻译：使用由其组成的ANG ING AND AND AND AND OF OF OF TING AME TING AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME
公开(公告)号：KR1020120068795A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：KR1020120051860
申请日：2012-05-16
申请人： 이정훈 , 갈대성 , 남기범
发明人： 이정훈 , 갈대성 , 남기범
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/16 , H01L2924/15787 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/67 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device using integrated bonding and the semiconductor device manufactured by the same are provided to simplify a semiconductor chip bonding process by integrally bonding a plurality of a semiconductor laminate structures to a printed circuit board or lead frame. CONSTITUTION: A support substrate includes a plurality of semiconductor laminate structures(30) which are arranged. The semiconductor laminate structure includes a first conductive semiconductor layer(25), a second conductive semiconductor layer(29), and an active area. A member includes the first lead electrodes and the second lead electrodes which correspond to the plurality of the semiconductor laminate structures. The plurality of the semiconductor laminate structures are boned to the member while maintaining the plurality of semiconductor laminate structures on the support substrate.
摘要翻译：目的：提供一种使用集成接合的半导体器件的制造方法和由其制造的半导体器件，以通过将多个半导体层叠结构整体地结合到印刷电路板或引线框架来简化半导体芯片接合工艺。构成：支撑基板包括布置的多个半导体层叠结构（30）。半导体层叠结构包括第一导电半导体层（25），第二导电半导体层（29）和有源区。构件包括对应于多个半导体层叠结构的第一引线电极和第二引线电极。将多个半导体层叠结构粘合到构件上，同时将多个半导体层叠结构保持在支撑衬底上。

3. 发明公开

KR1020100100567A 발광소자 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020100100567A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：KR1020090089040
申请日：2009-09-21
申请人： 이정훈 , 김대원 , 갈대성 , 남기범
发明人： 이정훈 , 김대원 , 갈대성 , 남기범
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/1053 , H01S5/341 , H01S5/3412
摘要： PURPOSE: A light emitting element is provided to prevent the internal quantum efficiency from being reduced due to crystalline defects by including a carrier trapping part in at least one layer of a multiple quantum well structure. CONSTITUTION: A buffer layer(13) is formed on a substrate(11). A first semiconductor layer(15) is formed on the buffer layer. A second semiconductor layer(19) is formed on the first semiconductor layer. A multiple quantum well structure(17) including a well layer(17b) and a barrier layer(17a) is interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. At least one carrier trapping part is formed in at least one layer of the multiple quantum well structure.
摘要翻译：目的：提供一种发光元件，以通过在至少一层多量子阱结构中包括载流子俘获部分来防止由于晶体缺陷而导致的内部量子效率降低。构成：在衬底（11）上形成缓冲层（13）。在缓冲层上形成第一半导体层（15）。在第一半导体层上形成第二半导体层（19）。在第一半导体层和第二半导体层之间插入包括阱层（17b）和阻挡层（17a）的多量子阱结构（17）。在多量子阱结构的至少一层中形成至少一个载流子俘获部分。

4. 发明授权

KR101230622B1 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스 有权
标题翻译：使用由其组成的ANG ING AND AND AND AND OF OF OF TING AME TING AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME
公开(公告)号：KR101230622B1
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：KR1020100126218
申请日：2010-12-10
申请人： 이정훈 , 갈대성 , 남기범
发明人： 이정훈 , 갈대성 , 남기범
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/78
CPC分类号： H01L33/507 , H01L23/49805 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L2224/04026 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05171 , H01L2224/05553 , H01L2224/05571 , H01L2224/06151 , H01L2224/11462 , H01L2224/16013 , H01L2224/16057 , H01L2224/16151 , H01L2224/27462 , H01L2224/32238 , H01L2224/325 , H01L2224/33151 , H01L2224/81893 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83893 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2933/0033 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要： 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 반도체 디바이스가 개시된다. 본 발명의 일 태양에 따른 반도체 디바이스 제조 방법은, 정렬된 복수의 반도체 적층 구조체를 갖는 지지기판을 준비하는 것을 포함한다. 각 반도체 적층 구조체는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성 영역을 포함한다. 한편, 복수의 반도체 적층 구조체에 대응하도록 정렬된 제1 리드 전극들 및 제2 리드 전극들을 갖는 멤버가 준비된다. 그 후, 지지기판 상에서 상기 복수의 반도체 적층 구조체를 유지하면서, 복수의 반도체 적층 구조체가 멤버에 본딩된다. 복수의 반도체 적층 구조체가 본딩된 후, 멤버가 분할된다. 이에 따라, 칩 본딩 공정을 단순화할 수 있으며 작업시간을 크게 줄일 수 있다.
摘要翻译：一种制造使用组合键的半导体器件的方法和由其制造的半导体器件，该方法包括制备具有在其顶部上排列的多个半导体叠层结构的支撑衬底。每个半导体堆叠结构包括第一导电半导体层，第二导电半导体层和介于第一和第二导电半导体层之间的有源区。准备具有第一引线电极和第二引线电极的部件以对应于多个半导体叠层结构。然后，将半导体堆叠结构保持在支撑基板上，同时保持半导体堆叠结构。在半导体堆叠结构结合到构件之后，构件被分割。

5. 发明授权

KR101158072B1 발광소자 有权
公开(公告)号：KR101158072B1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020090089040
申请日：2009-09-21
申请人： 이정훈 , 김대원 , 갈대성 , 남기범
发明人： 이정훈 , 김대원 , 갈대성 , 남기범
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/1053 , H01S5/341 , H01S5/3412
摘要： 본 발명은 발광 다이오드(LED) 및 레이저 다이오드(LD) 등으로 이용될 수 있는 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다중양자우물 구조 내 적어도 한 층에 캐리어 트랩부(carrier trap portion)를 포함하는 발광소자에 관한 것이다.

6. 发明授权

KR101700899B1 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스 有权
标题翻译：使用由其组成的ANG ING AND AND AND AND OF OF OF TING AME TING AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME
公开(公告)号：KR101700899B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020120051860
申请日：2012-05-16
申请人： 이정훈 , 갈대성 , 남기범
发明人： 이정훈 , 갈대성 , 남기범
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/16 , H01L2924/15787 , H01L2924/00
摘要： 집단본딩을이용한반도체디바이스제조방법및 반도체디바이스가개시된다. 본발명의일 태양에따른반도체디바이스제조방법은, 정렬된복수의반도체적층구조체를갖는지지기판을준비하는것을포함한다. 각반도체적층구조체는제1 도전형반도체층, 제2 도전형반도체층, 및제1 도전형반도체층과제2 도전형반도체층사이에개재된활성영역을포함한다. 한편, 복수의반도체적층구조체에대응하도록정렬된제1 리드전극들및 제2 리드전극들을갖는멤버가준비된다. 그후, 지지기판상에서상기복수의반도체적층구조체를유지하면서, 복수의반도체적층구조체가멤버에본딩된다. 복수의반도체적층구조체가본딩된후, 멤버가분할된다. 이에따라, 칩본딩공정을단순화할수 있으며작업시간을크게줄일수 있다.
摘要翻译：目的：提供一种使用集成接合的半导体器件的制造方法和由其制造的半导体器件，以通过将多个半导体层叠结构整体地结合到印刷电路板或引线框架来简化半导体芯片接合工艺。构成：支撑基板包括布置的多个半导体层叠结构（30）。半导体层叠结构包括第一导电半导体层（25），第二导电半导体层（29）和有源区。构件包括对应于多个半导体层叠结构的第一引线电极和第二引线电极。将多个半导体层叠结构粘合到构件上，同时将多个半导体层叠结构保持在支撑衬底上。

7. 发明公开

KR1020120064943A 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스 有权
标题翻译：使用由其组成的ANG ING AND AND AND AND OF OF OF TING AME TING AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME AME
公开(公告)号：KR1020120064943A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020100126218
申请日：2010-12-10
申请人： 이정훈 , 갈대성 , 남기범
发明人： 이정훈 , 갈대성 , 남기범
IPC分类号： H01L21/58 , H01L21/78
CPC分类号： H01L33/507 , H01L23/49805 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L33/005 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L2224/04026 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05171 , H01L2224/05553 , H01L2224/05571 , H01L2224/06151 , H01L2224/11462 , H01L2224/16013 , H01L2224/16057 , H01L2224/16151 , H01L2224/27462 , H01L2224/32238 , H01L2224/325 , H01L2224/33151 , H01L2224/81893 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83893 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2933/0033 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the same are provided to prevent the disconnection of a wire by electrically connecting a plurality of semiconductor stacked structures to lead electrodes. CONSTITUTION: A member(50) has a first lead electrode(53a) and a second lead electrode(53b). A semiconductor stacked structure(30) is arranged on the member. The semiconductor laminate structure has a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active region. The active region is interposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. A plating layer combines the semiconductor stacked structure with the member.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造半导体器件的方法和由其制造的半导体器件，以通过将多个半导体堆叠结构电连接到引线电极来防止线断开。构成：构件（50）具有第一引线电极（53a）和第二引线电极（53b）。半导体堆叠结构（30）布置在构件上。半导体层叠结构具有第一导电半导体层，第二导电半导体层和有源区。有源区介于第一导电半导体层和第二导电半导体层之间。电镀层将半导体层叠结构与构件结合。

8. 发明申请

WO2012165819A2 발광 다이오드 어셈블리 审中-公开
标题翻译：发光二极管组件
公开(公告)号：WO2012165819A2
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/KR2012/004180
申请日：2012-05-25
申请人： 서울반도체(주) , 이정훈 , 갈대성 , 서원철 , 양영은
发明人： 이정훈 , 갈대성 , 서원철 , 양영은
IPC分类号： H01L33/64 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/64 , F21K9/23 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L33/642 , H01L33/647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 발광 다이오드 어셈블리가 개시된다. 이 어셈블리는, 적색 발광 다이오드 칩과, 적색 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광에 비해 상대적으로 단파장의 광을 방출하는 단파장 발광 다이오드 칩과, 단파장 발광 다이오드 칩에서 생성된 열을 주로 방출하는 제1 방열 멤버와, 상기 적색 발광 다이오드 칩에서 생성된 열을 주로 방출하는 제2 방열 멤버를 포함한다. 또한, 제2 방열 멤버의 열 방출 성능이 제1 방열 멤버에 비해 상대적으로 더 우수하다. 이에 따라, 적색 발광 다이오드 칩에서 방출되는 적색광의 스펙트럼 이동을 방지하여 동작 시간에 따른 색좌표 변화를 방지할 수 있다.
摘要翻译：公开了一种发光二极管组件。发光二极管组件包括：红色发光二极管芯片; 短波长发光二极管芯片，用于发射波长比从红色发光二极管芯片发射的光的波长相对更短的波长的光; 用于分散在短波长发光二极管芯片中产生的大部分热量的第一散热构件; 以及用于分散红色发光二极管芯片中产生的大部分热量的第二散热构件。此外，第二散热构件具有比第一散热构件相对更高的热分散性能。因此，可以防止从红色发光二极管芯片发射的红光中的光谱运动，以防止在相同操作时间期间的颜色坐标变换。

9. 发明申请

WO2010050694A2 발광 다이오드 审中-公开
标题翻译：发光二极管
公开(公告)号：WO2010050694A2
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/KR2009/006120
申请日：2009-10-22
申请人： 서울옵토디바이스주식회사 , 이정훈 , 김대원 , 갈대성 , 서원철 , 예경희 , 윤여진
发明人： 이정훈 , 김대원 , 갈대성 , 서원철 , 예경희 , 윤여진
IPC分类号： H01L33/08
CPC分类号： H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/62 , H01L2224/48 , H05B33/0821
摘要： 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드가 개시된다. 이 발광 다이오드는, 각각 적어도 하나의 발광셀을 가지며 양단에 제1 단자와 제 2 단자를 갖는 반파 발광 유닛들 및 각각 적어도 하나의 발광셀을 가지며 양단에 제 3 단자와 제4 단자를 갖는 전파 발광 유닛들을 포함한다. 한편, 전파 발광 유닛들의 각 제3 단자는 두개의 반파 발광 유닛들의 제2 단자들에 전기적으로 공통 연결되고, 전파 발광 유닛들의 각 제4 단자는 또 다른 두개의 반파 발광 유닛들의 제1 단자들에 전기적으로 공통 연결된다. 또한, 이웃하는 두개의 전파 발광 유닛들 중, 하나의 전파 발광 유닛의 제3 단자와 다른 하나의 전파 발광 유닛의 제4 단자 사이에 하나의 반파 발광 유닛이 직렬 연결되고, 하나의 전파 발광 유닛의 제4 단자와 상기 다른 하나의 전파 발광 유닛의 제3 단자 사이에 또 다른 반파 발광 유닛이 직렬 연결된다. 이에 따라, 발광셀의 사용효율을 높일 수 있으며, 역방향 전압에 안정한 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
摘要翻译：公开了具有多个发光单元的发光二极管。发光二极管，无线电波发射，每一个具有至少一个发光单元具有半波发光单元和发光单元均具有一第一端，并在具有第三端子两端的第二端子和整个第四个终端单元中的至少一个它包括一个单元。在另一方面中，每个电波发射单元的第三端子的电共同连接到半波发射单元的两个第二端子，每个无线电波发射单元的其他两个半波发光单元的第一端子的第四端子的并且电连接在一起。一个半波发光单元串接在两个相邻的发光单元中的一个发光单元的第三端与另一个发光单元的第四端之间，而另一个半波发射单元串联在另一个发射单元的第四端和第三端之间。因此，可以提高使用发光单元的效率并且提供在反向电压下稳定的发光二极管。

10. 发明申请

WO2013039344A2 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 审中-公开
标题翻译：发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：WO2013039344A2
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：PCT/KR2012/007358
申请日：2012-09-14
申请人： 서울옵토디바이스(주) , 채종현 , 장종민 , 노원영 , 서대웅 , 갈대성 , 이준섭 , 이규호 , 인치현
发明人： 채종현 , 장종민 , 노원영 , 서대웅 , 갈대성 , 이준섭 , 이규호 , 인치현
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/22 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0058
摘要： 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 발광 다이오드는, 제 1 도전형 반도체층과， 제 1 도전형 반도체층 상에 서로 이격되어 배치되고, 각각 활성층 및 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 메사들과， 각각 복수의 메사들 상에 위치하여 제 2 도전형 반도체층에 오믹 콘택하는 반사 전극들과， 복수의 메사들 및 제 1 도전형 반도체층을 덮되， 메사들로부터 전기적으로 절연되고， 각각의 메사 상부 영역 내에 반사 전극들을 노출시키는 개구부들을 포함하고， 제 1 도전형 반도체층에 오믹콘택하는 전류 분산층을 포함한다. 이에 따라, 전류 분산 성능을 개선한 발광 다이오드가 제공될 수 있다.
摘要翻译：公开了一种发光二极管及其制造方法。的发光二极管包括：第一导电半导体层，第一导电类型被彼此分开地布置在所述半导体层上，在每个有源层和第二导电类型和多个台面的包括半导体层，多个各台面的以及第二导电类型半导体层，形成在第一导电类型半导体层上，第二导电类型半导体层形成在第一导电类型半导体层上，以及包括与第一导电类型半导体层欧姆接触的电流扩展层。因此，可以提供改善了电流分散性能的发光二极管。

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