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1. 发明授权

KR101607938B1 용액 공정 기반 적층형 산화물 박막 트랜지스터 바이오 센서 및 그를 제조하는 제조 방법 有权
标题翻译：使用解决方案处理的多层氧化物薄膜晶体管的生物传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR101607938B1
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：KR1020130078509
申请日：2013-07-04
申请人： 연세대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 김현재 , 김시준 , 정주혜 , 윤두현 , 박성하 , 김병훈
IPC分类号： G01N27/406 , G01N27/414 , G01N33/483
摘要： 본발명은바이오센서및 그를제조하는제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른바이오센서는, 기판; 상기기판위에형성된게이트; 상기게이트위에형성된게이트절연층; 상기게이트절연층 위에적층된다수의산화물반도체층; 및상기산화물반도체층 위에형성된소스및 드레인;을포함할수 있다.

2. 发明公开

KR1020130102148A 용액 공정 기반 산화물 박막 트랜지스터 바이오 센서 및 그 제조방법 无效
标题翻译：使用溶液处理氧化物薄膜晶体管的生物传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130102148A
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020120023122
申请日：2012-03-07
申请人： 연세대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 김현재 , 김시준 , 정주혜 , 윤두현 , 박성하 , 김병훈 , 이준의
IPC分类号： G01N33/53 , C12Q1/68 , G01N27/414
CPC分类号： C12Q1/6825 , G01N27/4145
摘要： PURPOSE: An oxide thin film transistor biosensor is provided to show reliability and reproducibility, superior resistance to environmental stress and heat, and superior electrical characteristics. CONSTITUTION: A field effect transistor comprises: a substrate (200); a gate electrode (210) which is formed on the substrate; a gate insulation film (220) which is formed on the gate electrode; an oxide semiconductor layer (230) which is formed on the gate insulation film; and a source (240) and a drain electrode (250) which are formed on the oxide semiconductor layer to expose the oxide semiconductor layer. A field effect transistor biosensor detects components of a biomaterial (260) through current-voltage characteristics by bonding the biomaterial to a part of the oxide semiconductor layer which is exposed between the source and the drain electrode.
摘要翻译：目的：提供氧化物薄膜晶体管生物传感器，以显示可靠性和再现性，优异的耐环境应力和热性，以及优异的电气特性。构成：场效应晶体管包括：衬底（200）; 形成在所述基板上的栅电极（210）栅极绝缘膜（220），其形成在栅电极上; 形成在所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体层（230）以及形成在所述氧化物半导体层上以暴露所述氧化物半导体层的源极（240）和漏极（250）。场效应晶体管生物传感器通过将生物材料结合到暴露在源极和漏极之间的氧化物半导体层的一部分，通过电流 - 电压特性来检测生物材料（260）的成分。

3. 发明公开

KR1020150005772A 용액 공정 기반 적층형 산화물 박막 트랜지스터 바이오 센서 및 그를 제조하는 제조 방법 有权
标题翻译：使用解决方案处理的多层氧化物薄膜晶体管的生物传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150005772A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：KR1020130078509
申请日：2013-07-04
申请人： 연세대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
发明人： 김현재 , 김시준 , 정주혜 , 윤두현 , 박성하 , 김병훈
IPC分类号： G01N27/406 , G01N27/414 , G01N33/483
CPC分类号： G01N27/406 , G01N27/414 , G01N33/483
摘要： 본 발명은 바이오 센서 및 그를 제조하는 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 바이오 센서는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 게이트; 상기 게이트 위에 형성된 게이트 절연 층; 상기 게이트 절연 층 위에 적층된 다수의 산화물 반도체 층; 및 상기 산화물 반도체 층 위에 형성된 소스 및 드레인;을 포함할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及生物传感器和生物传感器的制造方法。根据本发明的实施例，生物传感器包括：基底; 形成在基板上的栅极; 形成在栅极上的栅极绝缘层; 堆叠在栅极绝缘层上的多个氧化物半导体层; 以及形成在氧化物半导体层上的源极和漏极。

4. 发明授权

KR101512728B1 적층 구조를 갖는 저항 스위칭 메모리 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：包含多层结构的电阻随机访问方法及其制作方法
公开(公告)号：KR101512728B1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：KR1020140120810
申请日：2014-09-12
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김현재 , 박성표 , 윤두현 , 탁영준 , 이희수
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/02
CPC分类号： H01L27/11507
摘要： 본발명은적층구조의메모리층을갖는저항스위칭메모리및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른저항스위칭메모리는, 제 1 전극; 상기제 1 전극상에형성된메모리층; 및상기메모리층상에형성된제 2 전극;을포함하며, 상기메모리층은제 1 메모리층및 제 2 메모리층을포함하고, 상기제 1 메모리층과상기제 2 메모리층의산소함량이서로다를수 있다.
摘要翻译：本发明涉及包括层叠结构的存储层的电阻随机存取存储器及其制造方法。根据本发明实施例的电阻随机存取存储器包括第一电极; 形成在第一电极上的存储层; 以及形成在存储层上的第二电极。存储层包括第一存储层和第二存储层。第一存储层的氧含量与第二存储层的氧含量不同。

5. 发明授权

KR101512726B1 패시베이션층 조성물, 패시베이션 방법, 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 제조 방법 有权
标题翻译：钝化复合物，钝化方法，薄膜晶体管和制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR101512726B1
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：KR1020130122872
申请日：2013-10-15
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김현재 , 최의현 , 윤두현 , 윤석현 , 탁영준
IPC分类号： H01L21/31 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02192 , H01L21/02282 , H01L21/31 , H01L29/78606
摘要： 본발명은패시베이션층조성물, 패시베이션방법, 박막트랜지스터및 박막트랜지스터를제조하는방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른패시베이션층조성물은, 이트륨; 및패시베이션층을도핑하기위한 1가, 2가, 3가또는 4가의금속;을포함할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及钝化层，钝化方法，薄膜晶体管和制造薄膜晶体管的方法的复合材料。根据本发明实施方案的钝化层的复合物可以包括钇以及用于掺杂钝化层的一价，二价，三价和四价金属。

6. 发明授权

KR101254431B1 니켈 산화물 박막 및 이를 이용한 유기 태양전지의 제조 방법 有权
标题翻译：使用它的氧化镍薄膜和有机太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：KR101254431B1
公开(公告)日：2013-04-12
申请号：KR1020110064766
申请日：2011-06-30
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김현재 , 정주혜 , 김동림 , 오상훈 , 윤두현
IPC分类号： H01L51/42 , C01G53/04
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 용액 공정을 이용한 니켈 산화물 박막의 형성 방법과 상기 방법으로 형성된 니켈 산화물층을 포함하는 유기 태양전지의 제작 공정에 관한 것으로써,
특히 니켈 산화물 박막을 유기 태양전지의 버퍼층으로 도입하여,
기존의 유기 태양전지의 장점인 공정의 편이성을 잃지 않으면서도,
유기 태양전지의 특성을 향상하고 안정성을 확보하는 것을 목표로 한다.

7. 发明公开

KR1020160108631A 박막 활성화 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：薄膜激活方法，制造薄膜晶体管的方法和使用振动能量处理基板的装置
公开(公告)号：KR1020160108631A
公开(公告)日：2016-09-20
申请号：KR1020150030152
申请日：2015-03-04
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김현재 , 정태수 , 탁영준 , 윤두현 , 이희수 , 박정우 , 김원기
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/449 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/449 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78696
摘要： 본발명은박막활성화방법, 박막트랜지스터제조방법및 기판처리장치에관한것으로, 보다구체적으로진동에너지를이용하여박막을활성화하는방법, 박막트랜지스터를제조하는방법그리고기판을처리하는장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른박막활성화방법은박막에진동에너지를공급하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及薄膜激活方法，薄膜晶体管的制造方法以及能够应用于耐热性低的基板的基板处理装置。更具体地，本发明涉及一种薄膜激活方法，薄膜晶体管的制造方法以及使用振动能量处理衬底的装置。根据本发明的实施例，薄膜激活方法包括向薄膜提供振动能量的步骤。

8. 发明授权

KR101316237B1 용액 공정 기반의 정공 전도층 제조방법 및 이를 이용한 유기태양전지의 제조방법 有权
标题翻译：溶液处理半导体缓冲层的制造方法和使用它的太阳能电池
公开(公告)号：KR101316237B1
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020110129537
申请日：2011-12-06
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김현재 , 양정석 , 오상훈 , 윤두현
IPC分类号： H01L51/48
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 고효율, 고안정성의 유기 태양전지 제조를 위하여 CuAlO
2 박막을 정공 전도층으로 사용한 유기태양전지 제조 방법에 관한 것이다. 현재 유기 태양전지의 활성층 물질로 regioregular poly(3-hexylthiophene) (P3HT) 와 phenyl-C
61 -butyric acid methyl ester (PCBM) 의 혼합물을 활성층으로 하고 PEDOT:PSS를 정공 전도층으로 사용하여 유기 태양전지를 제작하고 있다. 하지만 유기물 소자의 한계라고 할 수 있는 낮은 이동도로 인한 낮은 에너지 변환 효율과 외부환경 요인에 이한 전지의 수명 저하에 대해 많은 개선이 필요한 실정이다. 본 발명에서는 위에서 언급한 유기 물질인 PEDOT:PSS를 대체하여 사용한 CuAlO
2 박막을 정공 전도층으로 사용하여 기존의 공정을 그대로 사용하면서 전자 에너지 장벽 (electron energy barrier)을 통해서 전자 손실 전류를 줄임으로써 광 에너지 변환 효율을 기존 유기태양전지 만큼 증가시키고, 또한, 유기 박막의 단점으로 지적되고 있는 산소, 수분 등에 의한 시간에 따른 소자의 특성 저하를 억제할 수 있기 때문에 고수명 전자소자로써의 역할로도 기대된다.

9. 发明公开

KR1020120134161A 산화물 박막 제조방법 및 박막 트랜지스터 제조방법 有权
标题翻译：一种制造氧化物薄膜的方法，一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120134161A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：KR1020110051718
申请日：2011-05-30
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김현재 , 윤두현 , 김시준 , 정주혜
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/324 , H01L29/66742 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing an oxide thin film and a method for manufacturing an oxide thin film transistor are provided to reduce production costs by reducing use of expensive substances like indium. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating layer(220') is formed on the gate electrode. A channel layer(230') is formed on the gate insulating layer. A source electrode(240) and a drain electrode(250) are formed on the channel layer. An oxide thin film is formed on the substrate in a channel layer formation step. Oxygen hole concentration of the oxide thin film increases in the channel layer formation step.
摘要翻译：目的：提供氧化物薄膜的制造方法和氧化物薄膜晶体管的制造方法，通过减少贵金属如铟的使用来降低生产成本。构成：在基板上形成栅电极。栅极绝缘层（220'）形成在栅电极上。沟道层（230'）形成在栅极绝缘层上。源极电极（240）和漏电极（250）形成在沟道层上。在沟道层形成工序中，在衬底上形成氧化物薄膜。在沟道层形成步骤中氧化物薄膜的氧空穴浓度增加。

10. 发明公开

KR1020160108630A 전기 에너지를 이용한 박막 활성화 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 기판 처리 장치 无效
标题翻译：薄膜激活方法，薄膜薄膜晶体管的制作方法及使用电能处理基板的装置
公开(公告)号：KR1020160108630A
公开(公告)日：2016-09-20
申请号：KR1020150030151
申请日：2015-03-04
申请人： 연세대학교 산학협력단
发明人： 김현재 , 윤두현 , 정태수 , 탁영준 , 이희수 , 김원기 , 박정우
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/326 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/477 , H01L21/479 , H01L29/42356 , H01L29/7869 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/326 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78696
摘要： 본발명은박막활성화방법, 박막트랜지스터제조방법및 기판처리장치에관한것으로, 보다구체적으로전기에너지를이용하여박막을활성화하는방법, 박막트랜지스터를제조하는방법그리고기판을처리하는장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른박막활성화방법은박막에전기에너지를공급하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及薄膜激活方法，薄膜晶体管的制造方法和基板处理装置，其可以应用于具有低热阻的基板上。更具体地说，本发明涉及一种薄膜激活方法，薄膜晶体管的制造方法以及使用电能处理衬底的装置。根据本发明的实施例，薄膜激活方法包括向薄膜提供电能的步骤。

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